对比文件名称：2006-11-24_JP2006319311A_发明专利_JP2006319311A Nitride-based semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
模型名称：AI助手
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未记载第一支撑构件。 | 对比文件涉及单个发光元件，未公开用于支撑多个发光器件的阵列的公共支撑构件，如目标专利的基底片。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件记载了基板侧多层金属层中的接着用金属层21，但未公开至少两个结合层布置在第一支撑构件上。 | 对比文件中的接着用金属层用于接合导电性基板和半导体层，不具备目标专利中结合层将第二支撑构件固定到第一支撑构件的功能，且缺少第一支撑构件。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未记载第一支撑构件。 | 由于缺少第一支撑构件，该特征未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | 对比文件在“実施形態１”中记载：“導電性基板１であるＳｉ基板”（导电性基板1是Si基板），并作为支撑。 | 对比文件中导电性基板1相当于目标专利的导电支撑基板，用于支撑发光结构并作为电极，因此直接公开第二支撑构件。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件记载基板侧多层金属层形成在导电性基板上，即导电性基板在基板侧多层金属层下方。 | 目标专利中第二支撑构件在结合层上方，而对比文件结构相反，且缺少第一支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件在“実施形態１”中记载：“多層半導体層１９（ｐ型窒化物系半導体層１４、発光層１３およびｎ型窒化物系半導体層１２）”。 | 对比文件的多层半导体层包括p型层、发光层、n型层，构成发光结构，直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | 对比文件记载：“多層半導体層１９は、半導体側多層金属層３９を介して導電性基板１上に形成される”。 | 发光结构通过多层金属层接合在导电性基板上，因此布置在第二支撑构件上，直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件记载：“ｎ型窒化物系半導体層１２”。 | n型层为第一导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件记载：“ｐ型窒化物系半導体層１４”。 | p型层为第二导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件记载：“発光層１３”。 | 发光层为有源层，位于n型和p型层之间，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件在“実施形態１”中记载：“ｎ型窒化物系半導体層１２上に半導体側パッド電極８を形成”。 | n型焊盘电极相当于第一电极，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 对比文件记载：“ｎ型窒化物系半導体層１２上に半導体側パッド電極８”。 | 第一电极形成在n型层上，即发光结构上，直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未记载相邻发光器件的第二支撑构件通过金属层连接。 | 对比文件中，在芯片分割后，每个芯片的导电性基板独立，没有金属层连接，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件记载：“基板側多層金属層２９の主面はパターン面２０ａより面積が小さい”，但未明确与发光结构边缘的关系。 | 对比文件中基板侧多层金属层与发光结构的边缘可能对齐，未公开具体尺寸范围，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未记载结合层具有凹凸结构。 | 对比文件中基板侧多层金属层表面未描述凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件没有第一支撑构件。 | 无第一支撑构件，该特征未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未记载连接相邻第二支撑构件的金属层。 | 对比文件无此金属层，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未记载连接相邻第二支撑构件的金属层。 | 对比文件无此金属层，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未记载连接相邻第二支撑构件的金属层。 | 对比文件无此金属层，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（欧姆层）（直接公开） | 对比文件记载了欧姆电极3（Pd层），相当于欧姆层。 | 对比文件包括欧姆层，因此“进一步包括欧姆层”被直接公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（直接公开） | 对比文件在“実施形態１”中记载：“オーミック電極３である厚さ３ｎｍのＰｄ層”。 | 欧姆电极形成欧姆接触，是欧姆层，直接公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | 对比文件记载：“ｐ型窒化物系半導体層１４上にオーミック電極３を形成し、その上に反射金属層３１等を介して導電性基板１が接合される”。 | 欧姆电极位于p型层和导电性基板之间，直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（反射层）（直接公开） | 对比文件记载了反射金属层31，相当于反射层。 | 对比文件包括反射层，因此“进一步包括反射层”被直接公开。 |
| 技术特征X：反射层（直接公开） | 对比文件在“実施形態１”中记载：“反射金属層３１である厚さ１５０ｎｍのＡｇ−Ｎｄ層”或“Ａｇ−Ｂｉ層”。 | 反射金属层用于反射光，直接公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | 对比文件记载：“オーミック電極３上に反射金属層３１を形成し、その上にバリア層３２、接着用金属層３３を介して導電性基板１と接合”。 | 反射金属层位于欧姆电极和导电性基板之间，直接公开。 |
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