**对比文件**：2009-04-16_JP2009081407A_发明专利_JP2009081407A Method for manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode, and lamp
**目标专利**：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**本次调用的模型名称**：无（或根据实际情况填写）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件《未公开》 | 对比文件未公开第一支撑构件。 | 对比文件中仅有临时性的假粘贴基板24，用于工艺支撑且最终去除，与目标专利中永久或半永久支撑多个发光器件的基底片（第一支撑构件）结构和功能不同，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出该特征，且不存在隐含公开的合理可能性。 |
| 技术特征B：至少两个结合层《未公开》 | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件中的种子层2用于电镀基底，平坦化用抗蚀剂层23和分离用抗蚀剂层22为工艺牺牲层，均非用于将第二支撑构件固定至第一支撑构件的永久性结合层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征C：至少两个结合层布置在第一支撑构件上《未公开》 | 对比文件未公开第一支撑构件和结合层。 | 由于特征A和B均未公开，该特征自然未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | 对比文件（発光ダイオード部分）记载：“図１に示す例の発光ダイオードＡは、基体となるメッキ層１と、メッキ層１上に配置されたシード層２と、シード層２の上に配置された化合物半導体層１１と、化合物半導体層１１上に配置されたｎ型電極層９と、から概略構成されている。” 翻译：“图1所示例的发光二极管A大致由作为基体的镀层1、配置在镀层1上的种子层2、配置在种子层2上的化合物半导体层11、配置在化合物半导体层11上的n型电极层9构成。” | 对比文件中的镀层1是导电金属层，作为基体起支撑作用，相当于目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板），因此直接公开。 |
| 技术特征E：第二支撑构件布置在至少两个结合层上《未公开》 | 对比文件未公开结合层。 | 由于结合层未公开，该特征未公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 对比文件（発光ダイオード部分）记载：“化合物半導体層１１は、反射性ｐ型電極層５、ｐ型半導体層６、発光層７及びｎ型半導体層８が積層されて構成されている。” 翻译：“化合物半导体层11由反射性p型电极层5、p型半导体层6、发光层7和n型半导体层8层叠构成。” | 对比文件的化合物半导体层11包含p型半导体层、发光层、n型半导体层，相当于目标专利的发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征G：发光结构布置在第二支撑构件上《直接公开》 | 同上，化合物半导体层11通过种子层2设置在镀层1上。 | 对比文件的发光结构（化合物半导体层11）直接或间接布置在镀层1（第二支撑构件）上，因此直接公开。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件公开了p型半导体层6（或n型半导体层8，根据上下电极结构，p型靠近镀层）。 | 对比文件公开了p型半导体层（或n型），其作为第一导电类型半导体层，与目标专利的对应层实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 对比文件公开了n型半导体层8（或p型半导体层）。 | 对比文件公开了n型半导体层，作为第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：有源层《直接公开》 | 对比文件公开了发光层7。 | 对比文件的发光层7位于p型半导体层和n型半导体层之间，相当于目标专利的有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 对比文件公开了n型电极层9。 | 对比文件的n型电极层9形成在n型半导体层上，作为电极，相当于目标专利的第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：第一电极布置在发光结构上《直接公开》 | 对比文件n型电极层9形成在n型半导体层8上。 | 对比文件的第一电极（n型电极层）直接布置在发光结构（化合物半导体层）上，因此直接公开。 |
| 技术特征M：第二支撑构件通过金属层与相邻第二支撑构件连接《直接公开》 | 对比文件（ダイシング工程部分）记载：“メッキ層1のレーザによる切断面は、メッキ層1を構成する銅が溶融した状態となる。その後、上記方法で切断された分断溝1bの底部は、各々の切断面同士が溶融銅によって再溶着する。これにより、メッキ層1全体が再溶着された状態となるため、分断された素子が飛び散ること無くウェーハ全体で保持される。” 翻译：“镀层1的激光切断面成为构成镀层1的铜熔融的状态。然后，通过上述方法切断的分断沟1b的底部，各切断面彼此通过熔融铜再溶着。由此，镀层1整体成为再溶着的状态，因此分断的元件不会飞散，被整个晶圆保持。” | 对比文件在切割后，镀层1的切断面通过熔融铜再溶着，从而连接相邻的镀层部分，即第二支撑构件（镀层）通过金属层（熔融铜）连接，与目标专利的金属层160a功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征N：结合层边缘位于发光结构边缘以内1～10微米《未公开》 | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有结合层，也未公开任何关于结合层边缘位置的限制，因此未公开。 |
| 技术特征O：结合层包括凹凸结构《未公开》 | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有结合层，也未公开结合层具有凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件表面《未公开》 | 对比文件未公开第一支撑构件和结合层。 | 对比文件没有第一支撑构件，且未公开结合层凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：金属层组成至少部分与第二支撑构件相同《直接公开》 | 对比文件金属层（再溶着的铜）与镀层1均为铜。 | 对比文件中的金属层（熔融铜）与第二支撑构件（镀层1）均由铜构成，组成相同，因此直接公开。 |
| 技术特征R：金属层组成至少部分与结合层相同《未公开》 | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有结合层，因此未公开。 |
| 技术特征S：金属层组成至少部分与发光结构相同《未公开》 | 对比文件金属层为铜，发光结构为半导体材料，组成不同。 | 对比文件未公开金属层与发光结构组成相同，也无任何暗示，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括《未公开》 | 对比文件未将“进一步包括”作为技术特征记载。 | 该特征仅为连接词，无技术内容，对比文件未公开此特定表述，因此未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层《直接公开》 | 对比文件（発光ダイオード部分）记载：“オーミックコンタクト層５ｃに要求される性能としては、ｐ型半導体層６との接触抵抗が小さいことが必須である。” 翻译：“欧姆接触层5c所要求的性能是，与p型半导体层6的接触电阻小是必须的。” | 对比文件公开了欧姆接触层5c，用于与p型半导体层形成欧姆接触，相当于目标专利的欧姆层，因此直接公开。 |
| 技术特征V：欧姆层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间《直接公开》 | 根据对比文件结构，欧姆接触层5c位于p型半导体层6和反射层5b之间，反射层5b通过相互扩散防止层5a、种子层2连接镀层1。 | 对比文件的欧姆接触层5c位于第二导电类型半导体层（p型）和第二支撑构件（镀层1）之间，因此直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包括《未公开》 | 对比文件未将“进一步包括”作为技术特征记载。 | 同特征T，未公开。 |
| 技术特征X：反射层《直接公开》 | 对比文件（発光ダイオード部分）记载：“反射層５ｂを備えることによって反射性ｐ型電極層５は、発光層７から発した光を光取出面１１ａ側に反射させる反射層となっている。” 翻译：“通过具备反射层5b，反射性p型电极层5成为将发光层7发出的光反射到光取出面11a侧的反射层。” | 对比文件公开了反射层5b，用于反射光，相当于目标专利的反射层，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：反射层布置在欧姆层和第二支撑构件之间《直接公开》 | 根据对比文件结构，反射层5b位于欧姆接触层5c和相互扩散防止层5a之间，相互扩散防止层5a通过种子层2连接镀层1。 | 对比文件的反射层5b位于欧姆层（欧姆接触层）和第二支撑构件（镀层1）之间，因此直接公开。 |
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