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对比文件列表
2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-07-31_JP2003218405A_发明专利_JP2003218405A Electronic component mounting structure and mounting method_+++d+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
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2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx

对比文件名称:2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board

目标专利名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:GPT-4

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括金属片;**直接公开**对比文件摘要:“The present invention provides a hybrid circuit structure that includes a metal substrate”以及图2中的“metal substrate 112”。对比文件明确公开了金属基底(metal substrate)作为电路结构的支撑件,相当于目标专利的金属片。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片;**隐含公开**对比文件说明:“the mounting of circuit components, such as flip chips and surface-mount devices (SMD) on the circuit structure”(参见图2相关描述)。对比文件公开了可表面安装的电路组件,未明确指定发光二极管,但本领域技术人员能够合理推断发光二极管是常见的表面安装器件,因此隐含公开了发光二极管芯片表面安装在金属片上。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层;**直接公开**对比文件摘要:“The present invention provides a hybrid circuit structure that includes ... an inorganic electrical insulator layer on the metal substrate”。以及图2中“insulator coating 120”。对比文件公开了绝缘层(insulator coating)直接形成在金属基底上,相当于目标专利的绝缘层在金属片上。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离;**隐含公开**对比文件说明:“insulator coating 120 electrically insulates these passive thick-film elements ... from the substrate 112”,并且电路组件通过焊料、导体和界面层安装在绝缘层上方,不直接接触绝缘层。对比文件中绝缘层与电路组件之间通过界面层和导体层隔离,不直接接触,本领域技术人员可知该绝缘层与安装的电路组件(包括发光二极管芯片)是隔离的,因此隐含公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框;**直接公开**对比文件说明:“thick-film conductors 114 printed and fired on an insulator coating 120”(参见图2及说明)。对比文件公开了厚膜导体(conductor)形成在绝缘涂层上,该导体具有导电图案,相当于引线框的功能,因此直接公开。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层;未公开无对比文件未涉及任何反射涂层,因此未公开。
技术特征G:模塑材料;**直接公开**对比文件说明:“molding compound 326 encapsulates a passivation gel 328, the insulator layer 320, interface layer 322, passive circuit elements, and circuit components 324 on the steel substrate 312”(参见图5及说明)。对比文件明确公开了模塑材料(molding compound)用于封装电路组件,相当于目标专利的模塑材料。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片;**隐含公开**同上,对比文件公开了模塑材料封装电路组件,包括各种电路组件(如芯片)。对比文件公开了模塑材料以预定形状封装组件,本领域技术人员可合理推断该模塑材料同样可用于模制发光二极管芯片,因此隐含公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间;未公开无对比文件无反射涂层,因此无第一空间。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部;未公开无无反射涂层,因此无第一空间。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中;未公开对比文件没有公开由绝缘层和导体包围的特定空间,模塑材料填充整个封装区域。对比文件的结构不同于目标专利,不存在由绝缘层和引线框包围的第二空间,因此未公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上;未公开无无反射涂层,因此无第一空间。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度;未公开对比文件未公开金属片的具体厚度范围,虽然提到“foil”但未给出数值。对比文件未公开任何关于金属片厚度的具体数值范围,因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成;**直接公开**对比文件说明:“organic insulator layer 426, such as the FR4 substrate material”(参见图6说明)。FR4是玻璃环氧基材料的典型代表,对比文件公开了FR4作为绝缘层,因此直接公开了玻璃环氧基材料。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成;**直接公开**同上,对比文件明确提到“FR4 substrate material”。对比文件直接公开了FR4(阻燃剂-4树脂)作为绝缘层材料。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分;未公开无对比文件无反射涂层。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成;未公开无对比文件无反射涂层。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成;未公开无对比文件无反射涂层。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上;未公开无对比文件无反射涂层。

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