**对比文件名称**：2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module
**目标专利名称**：1839发光二极管的封装件及其制造方法 CN101375392B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek（专利审查模拟模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括金属片<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书关于图2的段落：“图中符号…9是热扩散器（ヒートスプレッダ）”；以及“作为热扩散器，最实用的材料是铜”。（原文：“図中符号…9はヒートスプレッダ”、“ヒートスプレッダとして、最も実用上有効な材質は銅である”） | 对比文件明确公开了热扩散器（heat spreader），其由金属（铜、铝等）制成，用于安装LED芯片和散热，该热扩散器相当于目标专利的金属片，作用相同（承载芯片并散热）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书关于图2的段落：“搭载发光二极管芯片1的热扩散器9”。（原文：“発光ダイオードのダイス１を搭載するヒートスプレッダ９”） | 对比文件明确记载LED芯片直接安装在热扩散器上，与目标专利的LED芯片表面安装在金属片上完全相同，且实现相同的功能（电连接和热传导）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：在所述金属片上的绝缘层<br>**未公开** | 对比文件描述柔性基板（绝缘层）与热扩散器的关系：“热扩散器贯穿柔性配线基板设置”。（原文：“フレキシブル配線基板を貫通して設けられ”） | 对比文件中热扩散器（金属片）是穿透柔性基板（绝缘层）设置的，柔性基板并非位于热扩散器的上表面，而是围绕其侧壁。目标专利的绝缘层是直接覆盖在金属片上表面的层叠结构。对比文件未公开这种层叠关系，且无法合理推断出绝缘层在金属片上的结构，因此不构成公开。 |
| **技术特征D**：所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书关于图2的段落：“搭载发光二极管芯片1的热扩散器9的搭载面突出于反射层7a的反射面”。（原文：“発光ダイオードのダイス１を搭載したヒートスプレッダ９の搭載面が、反射層７ａの反射面よりも突出している”） | 对比文件中芯片安装在热扩散器上，热扩散器从柔性基板（绝缘层）的开口中穿出，芯片位于开口中央，其周围必然与柔性基板之间存在间隙（因开口尺寸大于芯片），且后续用透明树脂填充，因此绝缘层与芯片物理隔离。本领域技术人员根据对比文件的结构可以合理推断出绝缘层与芯片是隔离的，故该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：在所述绝缘层上的引线框<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书关于图2的段落：“在柔性基板2a上形成电路配线3”。（原文：“フレキシブル基板２ａ上に回路配線３を形成し”） | 对比文件中的电路配线形成在柔性基板（绝缘层）上，相当于目标专利的引线框，用于电连接LED芯片，且位于绝缘层之上。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征F**：在所述引线框上的反射涂层<br>**未公开** | 对比文件实施例2描述：“在柔性基板2上形成电路配线3，进一步在其上形成绝缘性覆盖膜4，再在其上蒸镀铝等金属形成反射层7a”。（原文：“フレキシブル基板２上に回路配線３を形成し、さらに、絶縁性のカバーレイ４を形成する。その上に、アルミニウムなどの金属を蒸着し、金属薄膜を形成して反射層７ａとする”） | 对比文件中反射层形成在覆盖膜（绝缘层）上，而非直接形成在电路配线（引线框）上，两者之间存在中间绝缘层。目标专利的反射涂层是直接涂覆在引线框表面的。对比文件的结构与目标专利不同，本领域技术人员不能毫无疑义地得出反射涂层在引线框上的方案，且无法合理推断出直接接触的关系，因此不构成公开。 |
| **技术特征G**：模塑材料<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书关于图1的段落：“为了保护发光二极管芯片1和金属线5，在其上覆盖透明树脂6”。（原文：“発光ダイオードのダイス１と金属線５の保護のために、その上を透明樹脂６で被覆している”） | 对比文件明确公开了使用透明树脂作为模塑材料覆盖芯片和引线，该树脂起保护和模塑作用，与目标专利的模塑材料功能相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书关于图1的段落：“在其上覆盖透明树脂6”。（原文同G） | 对比文件中透明树脂通过覆盖或模塑形成包覆芯片的封装体，本领域技术人员知晓模塑材料必然形成一定形状（如半球形、透镜形等）以保护芯片。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间<br>**未公开** | 对比文件全部内容均未提及反射涂层具有内部空间。 | 目标专利的反射涂层形成杯状或凹腔结构，内部空间用于容纳模塑材料。对比文件中的反射层为平面薄膜，无任何内部空间结构。对比文件未公开该特征，且无任何暗示，因此不构成公开。 |
| **技术特征J**：所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部<br>**未公开** | 依赖特征I，对比文件无第一空间。 | 由于特征I未公开，本特征自然不成立。对比文件未公开模塑材料设置于反射涂层内部空间的结构，故不构成公开。 |
| **技术特征K**：设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中<br>**未公开** | 对比文件图2显示：芯片安装区域由柔性基板（绝缘层）的开口和热扩散器顶部围成，电路配线（引线框）位于柔性基板表面，不参与围成该空间。 | 目标专利的第二空间是由绝缘层和引线框共同围成的安装区域。对比文件中，模塑材料填充的开口仅由绝缘层（柔性基板）包围，引线框并不形成包围结构。本领域技术人员无法从对比文件推断出模塑材料设置在由绝缘层和引线框共同包围的空间中，故不构成公开。 |
| **技术特征L**：其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上<br>**未公开** | 依赖特征I，对比文件无第一空间。 | 由于特征I未公开，本特征不成立。对比文件未公开模塑材料在反射涂层内部空间之上的垂直位置关系，故不构成公开。 |
| **技术特征M**：其中所述金属片具有25μm～75μm的厚度<br>**未公开** | 对比文件未提及热扩散器的厚度范围。 | 对比文件未记载金属片的厚度，本领域技术人员无法从对比文件直接或间接得到25μm～75μm的特定厚度范围，因此不构成公开。 |
| **技术特征N**：其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成<br>**未公开** | 对比文件记载柔性基板由聚酰亚胺、聚酯等树脂膜构成，未提及玻璃环氧基材料。 | 对比文件未公开玻璃环氧基材料（如FR-4），且无任何暗示，因此不构成公开。 |
| **技术特征O**：其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成<br>**未公开** | 同N，对比文件未提及FR-4树脂。 | 阻燃剂-4树脂（FR-4）是玻璃环氧基材料的一种，对比文件未公开，故不构成公开。 |
| **技术特征P**：其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书中关于反射层材料的描述：“在柔性基板上涂布混合了氧化钛、氧化锌等介电体填料的白色涂料形成反射膜”。（原文：“フレキシブル基板に酸化チタン、酸化亜鉛等誘電体フィラーを混合した白色塗料を塗布して反射膜を形成したもの”） | 对比文件明确公开了反射涂层由含氧化钛和树脂的白色涂料构成，与目标专利的反射涂层主组分一致。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述反射涂层由白色树脂制成<br>**《直接公开》** | 同上，对比文件明确使用“白色涂料”。（原文同上） | “白色涂料”即白色树脂，对比文件公开了反射涂层由白色树脂制成，故直接公开。 |
| **技术特征R**：所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成<br>**《直接公开》** | 对比文件记载：“氧化钛、氧化锌等介电体填料”。（原文：“酸化チタン、酸化亜鉛等誘電体フィラー”） | 对比文件公开了氧化锌作为填料，氧化锌属于特征R所列的“至少一种”物质（碳酸钙、硫酸钡、氧化锌）。因此，虽然未提及碳酸钙和硫酸钡，但公开了氧化锌即满足“至少一种”的条件，故该特征被直接公开。 |
| **技术特征S**：其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上<br>**未公开** | 对比文件反射层全面形成后通过蚀刻在焊盘处开口，并非仅选择性地形成在引线框上。 | 目标专利的反射涂层是直接选择性地形成在引线框的特定部分。对比文件中反射层是全面覆盖而后局部去除，且反射层并不直接位于引线框上（中间有绝缘层），因此不构成公开。 |
### 公开性代码总结
根据上述分析，对比文件直接公开或隐含公开的技术特征对应代码如下：
- 直接公开：A, B, E, G, H, P, Q, R
- 隐含公开：D
因此，输出代码为：
<<<A>>><<<B>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<P>>><<<Q>>><<<R>>><<<d>>>