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对比文件列表
2001-02-09_JP2001036154A_发明专利_JP2001036154A Chip-component type light-emitting device and manufacture thereof_+++A_B_C_D_G_H+++.docx
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2001-02-27_JP2001057446A_发明专利_JP2001057446A Hybrid integrated circuit device_+++A_C_E_F_G_H_Q_S_d+++.docx
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2001-05-22_US6233817B_发明授权_US06233817B1 Method of forming thick-film hybrid circuit on a metal circuit board_+++A_C_E_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2002-03-29_JP2002094122A_发明专利_JP2002094122A Light source and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_k+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx
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2003-01-31_JP2003031850A_发明专利_JP2003031850A Light source_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_N_O+++.docx
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2003-07-25_JP2003209286A_发明专利_JP2003209286A Light emitting device and manufacturing method therefor_+++D_E_F_G_H_I_J_L_N_P_S_o_q+++.docx
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2003-07-31_JP2003218405A_发明专利_JP2003218405A Electronic component mounting structure and mounting method_+++d+++.docx
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2003-11-07_JP2003318449A_发明专利_JP2003318449A Led light source and its fabricating method_+++D_E_F_G_H_N_Q_o_p+++.docx
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2004-04-08_US2004065894A_发明申请_US20040065894A1 Light emitting device using led_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_N_Q_f_o+++.docx
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2004-06-24_WO2004053933A_发明申请_WO2004053933A2 COMPOSITE LEADFRAME LED PACKAGE AND METHOD OF MAKING THE SAME_+++A_C_D_E_G_H_i_j_l+++.docx
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2005-02-10_JP2005039100A_发明专利_JP2005039100A Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module_+++A_B_C_D_E_I_g_h_j_k+++.docx
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2005-05-26_JP2005136224A_发明专利_JP2005136224A Light-emitting diode illumination module_+++A_B_E_G_H_P_Q_R_d+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-09-13_US6943380B_发明授权_US06943380B2 Light emitting device having phosphor of alkaline earth metal silicate_+++A_B_D_E_G_H_N_o+++.docx
2026-07-29 13:29
2005-10-06_JP2005277382A_发明专利_JP2005277382A Package for storing electronic component, and electronic device_+++A_B_G_H_c_d_e_k+++.docx
2026-07-29 13:29
2007-05-10_None_发明专利_JPWO2005043637A1 発光装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
2026-07-29 13:29
WO2005043637A1_Description_20260718_2107_+++A_B_C_D_E_F_G_H+++.docx
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2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation_+++A_C_G_N_O_b_d_h+++.docx

对比文件的名称:2002-10-22_US6468813B_发明授权_US06468813B1 Method of automatically identifying and skipping defective work pieces for wire-bonding operation

目标专利的名称:1839发光二极管的封装件及其制造方法CN101375392B

本次调用的模型名称:未指定

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括金属片<br>《直接公开》“焊盘114、导电迹线116和焊盘118通常由具有良好导电性的金属如铜制成。”(背景技术部分)对比文件明确公开了用于安装芯片的金属焊盘(paddle),该焊盘由金属材料制成,相当于目标专利中的金属片,且作用相同(作为芯片安装平台),因此直接公开。
技术特征B:表面安装在所述金属片上的发光二极管芯片<br>《隐含公开》“管芯120安装在基板110的焊盘114上的管芯覆盖区域112。”(背景技术部分)<br>“管芯覆盖区域112将被管芯120完全覆盖。”对比文件公开了半导体管芯(die)安装在金属焊盘上,但未明确限定为发光二极管芯片。由于发光二极管芯片是半导体管芯的一种常见类型,本领域技术人员可以合理推断该技术特征同样适用于发光二极管芯片,因此隐含公开。
技术特征C:在所述金属片上的绝缘层<br>《直接公开》“基板110设置有覆盖其表面的阻焊层110a。”(背景技术部分)<br>“焊盘114通常有一些部分从阻焊层110a暴露出来。”对比文件公开了阻焊层(solder mask)作为绝缘层覆盖在金属焊盘上,即绝缘层位于金属片(焊盘)之上,直接公开了该技术特征。
技术特征D:所述绝缘层与所述发光二极管芯片隔离<br>《隐含公开》“管芯120安装在基板110的焊盘114上的管芯覆盖区域112。”(背景技术部分)<br>管芯覆盖区域是焊盘内部区域,阻焊层未覆盖该区域(由于管芯直接接触焊盘)。对比文件公开了管芯安装区域与阻焊层(绝缘层)隔离(管芯覆盖区域未被阻焊层覆盖)。由于管芯可包括发光二极管芯片,本领域技术人员可以合理推断该隔离关系同样适用于发光二极管芯片,因此隐含公开。
技术特征E:在所述绝缘层上的引线框<br>未公开“导电迹线116围绕焊盘114设置,它们被阻焊层覆盖,仅引线指117暴露。”(背景技术部分)对比文件公开的导电迹线(相当于引线框)位于基板表面,但被阻焊层(绝缘层)覆盖,即引线框位于绝缘层之下,而非之上。对比文件未公开引线框在绝缘层上的层叠结构,因此未公开。
技术特征F:在所述引线框上的反射涂层<br>未公开无相关内容。对比文件未提及任何反射涂层,因此未公开。
技术特征G:模塑材料<br>《直接公开》“最后,管芯120、键合线124和基板110的一部分(包括大部分导电迹线116)被封装在封装体140中。”(背景技术部分)对比文件明确公开了封装体(package body)作为模塑材料,用于封装管芯、键合线等,直接公开了模塑材料。
技术特征H:该模塑材料以预定形状模制所述发光二极管芯片<br>《隐含公开》“管芯120、键合线124和基板110的一部分被封装在封装体140中。”对比文件公开了封装体以预定形状模制管芯,但管芯未明确为发光二极管芯片。由于发光二极管芯片是半导体管芯的一种,本领域技术人员可以合理推断模塑材料同样可以模制发光二极管芯片,因此隐含公开。
技术特征I:其中所述反射涂层包括在其内部的第一空间<br>未公开无相关内容。对比文件未公开反射涂层,因此不存在反射涂层内部的第一空间,未公开。
技术特征J:所述模塑材料设置在所述反射涂层的所述第一空间的内部<br>未公开无相关内容。基于特征I未公开,本特征缺乏前提,未公开。
技术特征K:和设置在由所述绝缘层和所述引线框所包围的第二空间中<br>未公开无相关内容。对比文件未公开由绝缘层和引线框包围的特定第二空间,封装体覆盖基板表面但并非该特定空间,未公开。
技术特征L:其中所述模塑材料部分形成在高于所述反射涂层内部的所述第一空间的垂直位置上<br>未公开无相关内容。基于特征I未公开,本特征缺乏前提,未公开。
技术特征M:其中所述金属片具有25μm~75μm的厚度<br>未公开无相关内容。对比文件未公开金属片的厚度范围,未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层由玻璃环氧基材料形成<br>《直接公开》“将导电金属层(如铜箔)层压在介电层(合适的介电材料如玻璃纤维增强BT树脂或FR-4玻璃纤维增强环氧树脂)的两侧。”(具体实施方式中制造方法步骤(a))对比文件公开了介电层可使用FR-4玻璃纤维增强环氧树脂,即玻璃环氧基材料,直接公开了该技术特征。
技术特征O:其中所述绝缘层由阻燃剂-4树脂形成<br>《直接公开》同上。同上,FR-4即阻燃剂-4树脂,直接公开。
技术特征P:其中所述反射涂层包括氧化钛和树脂作为主组分<br>未公开无相关内容。对比文件未公开反射涂层成分,未公开。
技术特征Q:其中所述反射涂层由白色树脂制成<br>未公开无相关内容。对比文件未公开白色树脂,未公开。
技术特征R:所述白色树脂通过混合选自碳酸钙、硫酸钡和氧化锌中的至少一种形成<br>未公开无相关内容。对比文件未公开白色树脂的混合成分,未公开。
技术特征S:其中所述反射涂层仅形成在引线框的部分区域上<br>未公开无相关内容。对比文件未公开反射涂层的形成区域,未公开。

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