对比文件名称：2003-09-04_US2003165715A_发明申请_US20030165715A1 New material for transporting electrons and organic electroluminescent display using the same
目标专利名称：1842有机发光器件和制造该有机发光器件的方法CN101675144B
本次调用的模型名称：DeepSeek
以下是根据目标专利权利要求的技术特征划分，与对比文件进行特征比对的结果。对于对比文件原文引用，均翻译为中文并标注段落编号。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：《直接公开》**<br>该有机发光器件包括第一电极 | [0034]“在基板(1)上，设置阳极(2)。”<br>[0032]图1及说明：基板(1)、阳极(2)等。 | 对比文件明确公开了阳极作为第一电极，用于注入空穴，与目标专利中第一电极（通常为阳极）的作用相同。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| **技术特征B：《直接公开》**<br>第二电极 | [0040]“在电子传输层(6)上设置阴极(7)。”<br>[0032]图1及说明：阴极(7)。 | 对比文件明确公开了阴极作为第二电极，用于注入电子，与目标专利中第二电极的作用相同。 |
| **技术特征C：《直接公开》**<br>和包括设置在所述电极之间的发光层的至少一个有机材料层 | [0037]“在空穴传输层(4)上设置发光层(5)。”<br>[0032]图1显示阳极(2)与阴极(7)之间包括发光层(5)在内的多个有机层。 | 对比文件公开了位于阳极和阴极之间的有机材料层中包括发光层，该发光层用于空穴和电子复合发光，与目标专利中发光层的作用相同。 |
| **技术特征D：《未公开》**<br>其中，所述有机材料层的至少一层包含掺杂有选自金属卤化物、金属氧化物和有机金属中的至少一种化合物的电子传输材料 | [0039]“已知的是，用具有低功函数的导电金属掺杂电子传输层增强了来自阴极的电子注入并与金属阴极层形成稳定的界面。”<br>[0040]“绝缘薄层通过隧穿效应增强电子注入。”<br>实施例中均使用单独的LiF层（5Å）作为电子注入层，未将其掺杂到电子传输层中。 | 对比文件仅提及用低功函数金属掺杂电子传输层，未提及金属卤化物、金属氧化物或有机金属；且实施例中LiF是作为独立层存在，而非掺杂在电子传输材料中。目标专利明确通过将金属卤化物等掺杂到电子传输材料中实现无需单独电子注入层的效果，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征E：《直接公开》**<br>所述电子传输材料是含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基和喹啉基中的官能团的化合物 | [0011]化学式1-5化合物均含有咪唑基（苯并咪唑）官能团。[0018]“至少一个有机层可以是执行电子注入/传输功能的电子注入/传输层。”[0039]“用于电子传输层的材料包括…8-羟基喹啉等金属配合物。”[0038]“发光材料包括…咪唑、噻唑、噁唑衍生物及它们的金属配合物，以及铝-喹啉金属配合物。” | 对比文件公开了含有咪唑基的化合物（如化学式1-5）以及含有喹啉基的化合物（如Alq3）作为电子传输材料，这些化合物均含有目标专利所列举的官能团。对比文件中这些材料用于电子传输层或电子注入/传输层，与目标专利中电子传输材料的作用相同。 |
| **技术特征F：《未公开》**<br>其中，所述含有选自咪唑基、噁唑基和噻唑基中的官能团的化合物为下列通式3的化合物 | 对比文件公开了化学式1-5（见[0011]），其结构基于蒽环，在2-或2,6-位通过苯基连接咪唑基团，与目标专利通式3的结构不同。 | 对比文件未公开目标专利通式3所示的化合物，该通式在目标专利说明书中明确为特定结构（例如实施例1所用化合物为1,4-双(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯类），而对比文件化合物均为9,10-取代蒽衍生物，结构不同，作用虽然均为电子传输但具体化合物未被公开。 |
| **技术特征G：《未公开》**<br>[通式3] | 对比文件未出现目标专利通式3的结构式。 | 通式3本身未在对比文件中出现，也无任何暗示该结构的内容。 |
| **技术特征H：《未公开》**<br>其中，R5至R7彼此相同或不同，各自独立地为氢原子、C1～C20脂肪族烃、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环 | 对比文件化学式1中R1、R2等定义（见[0012]-[0016]）与目标专利通式3的R5-R7不同，且未涉及通式3的取代基。 | 目标专利通式3的取代基定义未在对比文件中任何地方提及。 |
| **技术特征I：《未公开》**<br>Ar为直接键合、芳环、芳杂环、或脂肪族或芳族稠环 | 对比文件中Ar定义（[0014]“Ar是苯、萘、联苯、蒽、或衍生自芳杂环或芳环的基团”）针对的是其化学式1，而非目标专利通式3的Ar。 | 目标专利通式3的Ar含义未在对比文件中出现。 |
| **技术特征J：《未公开》**<br>X为O、S或NRa | 对比文件未涉及目标专利通式3中的X基团。 | 对比文件未公开任何与X相关的内容。 |
| **技术特征K：《未公开》**<br>Ra为氢原子、C1～C7脂肪族烃、芳环或芳杂环 | 对比文件未提及Ra的定义。 | 对比文件无相关公开。 |
| **技术特征L：《未公开》**<br>条件是R5和R6不能同时为氢；并且中，所述含有喹啉基的化合物选自下列通式5～11的化合物 | 对比文件未公开任何喹啉基化合物通式5-11，也未涉及R5和R6不能同时为氢的条件。 | 目标专利中关于喹啉基化合物的具体通式及条件均未在对比文件中出现。 |
| **技术特征M：《未公开》**<br>[通式5] | 对比文件未出现通式5。 | 无。 |
| **技术特征N：《未公开》**<br>[通式6] | 对比文件未出现通式6。 | 无。 |
| **技术特征O：《未公开》**<br>[通式7] | 对比文件未出现通式7。 | 无。 |
| **技术特征P：《未公开》**<br>[通式8] | 对比文件未出现通式8。 | 无。 |
| **技术特征Q：《未公开》**<br>[通式9] | 对比文件未出现通式9。 | 无。 |
| **技术特征R：《未公开》**<br>[通式10] | 对比文件未出现通式10。 | 无。 |
| **技术特征S：《未公开》**<br>[通式11] | 对比文件未出现通式11。 | 无。 |
| **技术特征T：《未公开》**<br>其中，n为0～9范围内的整数 | 对比文件未涉及通式5-11中的n定义。 | 无。 |
| **技术特征U：《未公开》**<br>m为2以上的整数 | 对比文件未涉及通式5-11中的m定义。 | 无。 |
| **技术特征V：《未公开》**<br>R9为选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、链烯基、环烯基、烷氧基、烷硫基、芳醚基、芳硫醚基、芳基、杂环基、卤素、氰基、醛基、羰基、羧基、酯基、氨基甲酰基、氨基、硝基、甲硅烷基、硅氧烷基和与相邻基团一起形成的环状结构中的一种 | 对比文件未涉及通式5-11中的R9定义。 | 无。 |
| **技术特征W：《未公开》**<br>上述取代基可为未取代的或取代的 | 对比文件未涉及通式5-11中关于取代基可取代的说明。 | 无。 |
| **技术特征X：《未公开》**<br>当n是2以上时，上述取代基彼此相同或不同 | 对比文件未涉及通式5-11中关于n≥2时取代基定义的说明。 | 无。 |
| **技术特征Y：《未公开》**<br>Y为上述R9基团中具有2以上价数的基团 | 对比文件未涉及通式5-11中的Y定义。 | 无。 |
| **技术特征Z：《直接公开》**<br>其中，所述有机材料层进一步包括空穴注入层、空穴传输层或空穴注入和传输层 | [0035]“在阳极(2)上设置空穴注入层(3)。”<br>[0036]“在空穴注入层(3)上设置空穴传输层(4)。”<br>图1及说明：空穴注入层(3)、空穴传输层(4)。 | 对比文件明确公开了空穴注入层和空穴传输层，这些层用于从阳极注入和传输空穴，与目标专利中空穴注入层、空穴传输层的作用相同。 |
**结论**：对比文件直接公开了技术特征A、B、C、E、Z，未公开技术特征D、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W、X、Y（包括直接公开和隐含公开均不成立）。
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