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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-07-23_JP4122913B_发明专利_JP4122913B2 Hydrogen use internal combustion engine and method of operation thereof_+++A_a+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-02-10_KR1020110013753A_发明公开_KR1020110013753A 저굴절층 형성용 조성물, 이를 이용한 반사 방지 필름, 편광판 및 표시 장치_+++A_a+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
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2026-03-24 23:32
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2026-03-24 23:32
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对比文件的名称:TW201222782A_Description_20260318_1905

目标专利的名称:无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料 《未公开》说明书第[0018]段:“铜高电压线圈306”与“铜低电压线圈310”。 图3、图4示出两个线圈。对比文件公开了变压器包含两个由导电材料(铜)制成的线圈(绕组)。从作用上看,对比文件的线圈用于传导电流并实现电磁耦合以进行信号传输和电流隔离,而目标专利的电感器绕组同样用于传导电流并实现电感耦合,作用相同。因此,对比文件直接公开了“第一电感器绕组,其包括导电材料”这一特征。
技术特征B:第二电感器绕组,其包括导电材料 《未公开》说明书第[0018]段:“铜高电压线圈306”与“铜低电压线圈310”。 图3、图4示出两个线圈。同上,对比文件公开了第二线圈(低电压线圈),其同样由导电材料(铜)制成。作用与目标专利的第二电感器绕组相同。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
技术特征C:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间, 《未公开》说明书第[0018]段:“该铜高电压线圈306与该铜低电压线圈310系藉由一介电质分开,例如苯环丁烯(BCB)”。 图4显示BCB层位于两个线圈之间。对比文件明确记载了在两个线圈之间存在介电质(如BCB)层,该层横向位于两个线圈之间。从作用看,对比文件的介电质用于电性绝缘,防止高压击穿;而目标专利的填充物用于提供“结构耦合”,即机械支撑和固定。两者作用不同。对比文件并未公开该介电质用于提供机械的结构耦合。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征D:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合, 《未公开》说明书第[0018]段:“该铜高电压线圈306与该铜低电压线圈310系藉由一介电质分开,例如苯环丁烯(BCB)”。如特征C所述,对比文件中介电质(BCB)的作用是电绝缘,并未提及或暗示其用于提供“结构耦合”(即机械支撑和固定两个绕组以形成一体的结构)。目标专利说明书强调填充物(如环氧树脂)用于在没有基板的情况下保持结构完整性(见[0051]段)。对比文件的结构依赖于其石英基板提供机械支撑,而非线圈间的介电质。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征E:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。 《未公开》说明书第[0015]段:“一电流隔离变压器可制造于一或多层金属中,但于一石英晶圆上,而非一硅晶圆上。” 图2-4均显示变压器形成于介电基板(石英)上。目标专利的核心在于“无基板”,即电感器结构没有作为基底部分的基板(或基板被移除)。对比文件明确且反复强调其变压器是形成在石英或玻璃等介电“基板”上的(例如[0015], [0020]段),并且该基板是整个结构的基础和支撑。对比文件的技术方案是依赖于有基板的,与目标专利的“无基板”要求完全相反。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征F:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。 《隐含公开》说明书第[0018]段及图3、图4。图4的截面图显示两个线圈(306,310)均位于石英基板302的同一表面之上,且被中间的BCB层分隔。对比文件图4的截面图清楚地显示,高电压线圈306和低电压线圈310都沉积在石英基板302的同一平面上,它们之间存在介电层(BCB)。这表明两个线圈是横向并排排列在同一平面(层)上的,即横向共面。虽然对比文件未明确使用“横向共面”一词,但本领域技术人员根据图示和描述可以毫无疑义地确定这一空间位置关系。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征G:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。 《隐含公开》说明书第[0018]段:“一外部尺寸为2100 x 2100 μm且一内部尺寸为800 x 800 μm”。 图3显示了线圈的平面螺旋状布局。对比文件图3展示了线圈的平面布局,其为螺旋状(例如方形螺旋)。说明书[0018]段提到“7/7圈的变压器”,进一步明确了线圈是螺旋缠绕的。本领域技术人员能够理解,变压器线圈通常具有螺旋形状以实现电感。因此,对比文件隐含公开了第一和第二绕组均具有螺旋形状。
技术特征H:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。 《未公开》无相关内容。对比文件未提及或图示电感器绕组的具体形状为“拉长的圆形形状”(如赛马场形)。图3所示线圈更接近方形螺旋。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征I:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。 《直接公开》说明书第[0018]段:“线接合304...与...铜高电压线圈306之间提供电性连结。线接合308...与...铜低电压线圈310之间提供电性连结。” 图3显示了焊线连接至线圈的端点。每个线圈需要与外电路连接以实现功能,这必然具有至少两个端子(输入端和输出端)。对比文件明确记载了通过“线接合”(焊线)将外部电路连接到每个线圈(见图3及[0018]段描述),这直接公开了每个线圈都具有用于电连接的端子。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
技术特征J:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。 《隐含公开》说明书第[0018]段:“线接合304...与...铜高电压线圈306之间提供电性连结。” 图3显示了焊线连接到线圈的起始和/或末端。要实现变压器的功能,每个线圈的两个端子必然分别耦合到该线圈绕组的起点和终点(即第一端和第二端)。对比文件图3显示了焊线连接到线圈的端点,这隐含了端子与绕组端的耦合关系。本领域技术人员可以合理推断出这一连接方式。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
技术特征K:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。 《未公开》说明书第[0018]段:“该等线圈的厚度可為5μm”。对比文件提到线圈厚度为5微米(即0.005毫米),这远小于0.2毫米。虽然公开了具体厚度数值,但该数值是作为实施例给出的,且其作用是实现特定变压器性能,与目标专利中“厚度小于0.2毫米”旨在实现整体结构薄型化的作用不完全相同。但从技术方案本身看,对比文件公开的线圈厚度(5μm)确实落入了“小于0.2毫米”的范围内。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
技术特征L:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。 《未公开》说明书第[0018]段:“藉由一介电质分开,例如苯环丁烯(BCB)”。对比文件明确记载了两个线圈之间的介电材料是苯环丁烯(BCB),而非环氧树脂。虽然两者都是可能的绝缘或填充材料,但具体物质不同。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征M:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。 《未公开》无相关内容。对比文件全文未提及在变压器结构中使用或设置任何铁磁层。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征N:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。 《未公开》无相关内容。对比文件描述的是将变压器制作在独立的石英基板上,然后通过引线键合与两个硅芯片连接(如图2所示),并未提及将其集成在层叠封装(PoP)结构上。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征O:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。 《未公开》无相关内容。对比文件描述的是将变压器制作在石英基板上,该石英基板是作为承载芯片和变压器的独立基板,而非“封装基板”的表面。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征P:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。 《未公开》无相关内容。对比文件描述的是将变压器制作在石英基板的表面(见图4截面图),并未提及将其嵌入或集成到封装基板的内部。因此,该技术特征未被对比文件公开。
技术特征Q:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。 《隐含公开》说明书第[0002]段:“本發明係關於在一電子系統中的電流隔離”。对比文件明确其发明是关于“在电子系统中的电流隔离”,这意味着其变压器结构旨在用于电子设备或系统。本领域技术人员可以合理推断,这种用于电流隔离的变压器结构会被纳入到电子设备中使用。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。

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