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对比文件列表
2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx

对比文件名称:2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》第0038段:“At the circuit module 1, within the multi-layer wiring circuit portion 2, capacitor elements 14, resistor elements 15 and/or **inductor elements of the spiral type** are formed as film by the thin film technology or the thick film technology.”对比文件明确公开了在多层布线电路部分内部形成“螺旋型电感元件”。电感元件必然包含由导电材料(如金属)构成的绕组。因此,技术特征A“第一电感器绕组,其包括导电材料”已被对比文件直接公开。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》第0038段:“At the circuit module 1, within the multi-layer wiring circuit portion 2, capacitor elements 14, resistor elements 15 and/or **inductor elements of the spiral type** are formed as film...”对比文件描述了在电路模块内形成电感元件。对于一个完整的电路模块,为了实现所需的电路功能(如滤波、能量存储/转换),本领域技术人员能够毫无疑义地理解,可以根据电路设计需要设置多个电感元件(绕组)。虽然原文以单数“inductor elements”列举,但在电路设计的通常实践中,设置多个同类无源元件是惯用手段。因此,技术特征B“第二电感器绕组,其包括导电材料”已被对比文件直接公开。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,《隐含公开》第0031段:“...first insulating layer 22, second insulating layer 23 and conductive metal layer 24.” 第0047段:“The first insulating layer 22 is formed as film over the entire surface thereof on the peeling layer 21...” 第0050段:“...the second insulating layer 23 is formed as film with uniform film thickness over the entire surface on the first insulating layer 22...”对比文件公开了由第一绝缘层、第二绝缘层和导电金属层构成的单元布线层结构。绝缘层(例如由聚酰亚胺或环氧树脂系的光敏绝缘树脂材料构成)在整个表面上形成,位于由导电金属层形成的布线图案(可包括电感元件)之间,提供电绝缘和机械支撑。虽然对比文件未明确描述两个特定电感器绕组之间“横向”设置有专门的“填充物”,但其公开的绝缘层位于各电路元件(包括可能形成的电感元件)之间,起到了隔离和支撑作用。本领域技术人员从对比文件公开的“在绝缘层上形成包含电感元件的布线图案”这一整体技术方案出发,可以合理推断出,当需要设置两个电感器绕组时,它们之间的区域必然由绝缘材料(即填充物)占据以实现电隔离和结构稳定。因此,技术特征C被对比文件隐含公开。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,《隐含公开》第0031段:“...first insulating layer 22, second insulating layer 23 and conductive metal layer 24.” 第0047段及第0050段描述了绝缘层的形成。对比文件公开的绝缘层(第一、第二绝缘层)用于支撑和固定其表面及内部形成的导电金属层(包括可能的电感绕组)。虽然对比文件未明确记载该绝缘层用于提供两个电感器绕组之间“结构耦合”的特定配置,但其作为整个多层布线结构的组成部分,客观上起到了将不同电路元件(包括电感绕组)结合成一个整体结构的作用,提供了机械支撑和固定,即实现了“结构耦合”。本领域技术人员能够从绝缘层支撑布线图案这一基本作用,合理推断出其具备提供结构完整性和耦合的功能。因此,技术特征D被对比文件隐含公开。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。《未公开》第0036段:“...the multi-layer wiring circuit portion 2 is adapted so that first unit wiring layer 8 is formed on a base substrate 20 provided with a peeling layer 21...” 第0065段:“In the base substrate peeling step, the base substrate 20 where the circuit module 1 has been formed via the above-described steps is immersed into acid solution... the circuit module 1 is peeled off from the base substrate 20...”对比文件明确记载了在制造过程中使用基板(base substrate 20)作为支撑基底来形成多层布线电路部分,并且在制造后期通过剥离层将电路模块从基板上剥离。然而,对比文件并未描述或暗示剥离基板后,由第一电感器绕组、第二电感器绕组和填充物(绝缘层)构成的结构本身是“没有作为基底部分的基板”的独立结构。相反,剥离基板后得到的是一个完整的、包含多层绝缘层和布线层的电路模块(可能还包括半导体芯片)。目标专利强调“无基板”是指该电感器结构自身没有作为其基底部分(即承载主体)的基板,而对比文件中的绝缘层和金属层结构是集成在多层电路模块内部的,并非一个独立的无基板分立器件。因此,技术特征E未被对比文件公开。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。《未公开》无相关内容。对比文件未描述任何关于两个电感器绕组之间空间位置关系的内容,特别是未提及它们是否“横向共面”。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特征。因此,技术特征F未被对比文件公开。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。《未公开》第0038段:“...inductor elements of the spiral type are formed as film...”对比文件仅一般性地提到形成“螺旋型”的电感元件,但并未具体公开存在两个分别具有“第一螺旋形状”和“第二螺旋形状”的电感器绕组。公开一种类型的螺旋形状不等于公开了两个独立的、可能形状不同的螺旋绕组。因此,技术特征G未被对比文件公开。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。《未公开》无相关内容。对比文件未描述电感器绕组的具体形状为“拉长的圆形形状”。因此,技术特征H未被对比文件公开。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。《未公开》无相关内容。对比文件虽然公开了形成电感元件,但未描述这些电感元件(绕组)具有特定的端子配置,例如每个绕组包括两个端子。因此,技术特征I未被对比文件公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。《未公开》无相关内容。对比文件未描述电感器绕组端子的具体连接关系。因此,技术特征J未被对比文件公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。《未公开》无相关内容。对比文件未提及任何电感器绕组的具体厚度数值,特别是“小于0.2毫米”的厚度限定。因此,技术特征K未被对比文件公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。《未公开》第0047段:“As the first insulating layer 22, e.g., negative type photosensitive insulating resin material of polyimide system or epoxy system is used.”对比文件公开绝缘层材料可以是“环氧树脂系”的光敏绝缘树脂材料。然而,技术特征L限定了“填充物”为环氧树脂。虽然对比文件中的绝缘层在位置上可能对应于填充物,且材料可能包含环氧树脂,但对比文件并未将用于电感器绕组之间、提供结构耦合的特定材料明确限定为“环氧树脂”,而是给出了聚酰亚胺系或环氧树脂系等多种选择。因此,不能认为技术特征L被直接公开。从隐含公开角度看,环氧树脂仅是可选材料之一,本领域技术人员无法必然地、唯一地推断出填充物就是环氧树脂。因此,技术特征L未被对比文件公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。《未公开》无相关内容。对比文件全文未提及在电感器结构或绝缘层(填充物)附近设置铁磁层。因此,技术特征M未被对比文件公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。《未公开》无相关内容。对比文件描述的是“多层互连电路模块”及其制造方法,并未提及“层叠封装(PoP)结构”。因此,技术特征N未被对比文件公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。《未公开》无相关内容。对比文件描述了在基板上制造多层布线电路部分,并将半导体芯片安装在该电路部分上。但未描述将电感器结构作为分立元件“集成在封装基板的表面上”。因此,技术特征O未被对比文件公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。《直接公开》第0038段:“At the circuit module 1, **within the multi-layer wiring circuit portion 2**, capacitor elements 14, resistor elements 15 and/or inductor elements of the spiral type are formed as film...”对比文件明确公开了在“多层布线电路部分2内部”形成螺旋型电感元件。该“多层布线电路部分2”在电路中起到类似中介层或封装基板的作用(参见第0034段:“the multi-layer wiring circuit portion 2 functions as interposer”)。因此,“在多层布线电路部分内部形成电感元件”公开了“电感器结构被集成在封装基板内部”这一技术特征。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。《直接公开》第0032段:“The circuit module according to the present invention has, e.g., information communication function and/or storage function, etc., and **is mounted in various electronic equipments such as personal computer, mobile telephone and/or audio equipment, etc.**”对比文件明确记载了包含电感元件的电路模块被安装(纳入)于个人电脑、移动电话、音频设备等各种电子设备中。因此,技术特征Q已被对比文件直接公开。

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