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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx

**对比文件名称**:2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing

**目标专利名称**:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek最新版本模型

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料<br>《直接公开》[2] “薄膜コイル30は、2つのコイルパターン31(第1のコイルパターン),32(第2のコイルパターン)を含んで構成されており、これらのコイルパターン31,32は、例えば、いずれも銅(Cu)などの高導電性材料により構成されている。”<br>(薄膜线圈30包括两个线圈图案31(第一线圈图案)和32(第二线圈图案),这些线圈图案31、32例如均由铜(Cu)等高导电性材料构成。)对比文件明确公开了第一线圈图案31,其由铜等导电材料构成。该线圈图案在对比文件中作为薄膜线圈的一部分,起到电感器绕组的作用,与目标专利中第一电感器绕组的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料<br>《直接公开》[2] “薄膜コイル30は、2つのコイルパターン31(第1のコイルパターン),32(第2のコイルパターン)を含んで構成されており、これらのコイルパターン31,32は、例えば、いずれも銅(Cu)などの高導電性材料により構成されている。”<br>(薄膜线圈30包括两个线圈图案31(第一线圈图案)和32(第二线圈图案),这些线圈图案31、32例如均由铜(Cu)等高导电性材料构成。)对比文件明确公开了第二线圈图案32,其由铜等导电材料构成。该线圈图案在对比文件中作为薄膜线圈的一部分,起到电感器绕组的作用,与目标专利中第二电感器绕组的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,<br>《直接公开》[2] “絶縁層40は、薄膜コイル30を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、下部磁性基板10上に、薄膜コイル30およびその周辺領域をリング状に覆うように配設されている。”<br>(绝缘层40用于将薄膜线圈30与周围电分离,例如,设置在下部磁性基板10上,以环形覆盖薄膜线圈30及其周边区域。)<br>结合附图可知,绝缘层40填充于两个线圈图案31、32之间及周围。对比文件公开了绝缘层40,其设置在线圈图案31、32之间及周围,起到填充和电绝缘的作用。虽然其材料(光刻胶等绝缘材料)可能不同于目标专利所列举的“环氧树脂”,但其“横向位于线圈之间”的位置关系和作用(填充、绝缘)是相同的。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到绝缘层即位于线圈之间的填充物。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,<br>《直接公开》[2] “絶縁層40は、薄膜コイル30を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、下部磁性基板10上に、薄膜コイル30およびその周辺領域をリング状に覆うように配設されている。”<br>(绝缘层40用于将薄膜线圈30与周围电分离,例如,设置在下部磁性基板10上,以环形覆盖薄膜线圈30及其周边区域。)<br>从制造方法和结构描述可知,绝缘层40将线圈图案31、32埋置并固定,提供了结构支撑。对比文件中的绝缘层40不仅提供电绝缘,其将线圈图案31、32覆盖并埋设的配置,必然起到将两个线圈图案物理上固定在一起、提供结构支撑和稳定的作用,即实现了“结构耦合”。这与目标专利中填充物的作用(提供结构耦合、稳定性和刚性)是相同的。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>《未公开》[2] “このコモンモードチョークコイルは、…、2つの磁性基体の間に、薄膜コイル30が絶縁層40、磁性層50およびシード層60を介して埋設された構成を有している。”<br>(该共模扼流圈具有以下结构:薄膜线圈30通过绝缘层40、磁性层50和种子层60埋设在两个磁性基体之间。)<br>以及明确描述了“下部磁性基板10”作为基底。目标专利的核心特征之一是“无基板”,即电感器结构没有作为基底部分的基板(例如,制造后移除了基板)。对比文件明确公开了其结构包括“下部磁性基板10”,并且线圈图案是形成在该基板上的(通过种子层60)。整个线圈结构是以该基板为基底构建的,且没有描述或暗示会移除该基板。因此,对比文件公开的是“有基板”结构,与本特征“没有作为基底部分的基板”相反,既未直接公开也未隐含公开。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。<br>《直接公开》[2] “コイルパターン31,32が水平方向(図2の紙面の面内方向;XY面内方向)に並列配置され、すなわち同一階層に配置されていることを意味している。”<br>(线圈图案31、32在水平方向(图2纸面内方向;XY面内方向)上并列配置,即配置在同一阶层。)对比文件明确且反复强调了两个线圈图案31、32是在“同一阶层”内“并列”配置的,即横向共面。这与目标专利中“横向共面”的特征完全一致。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。<br>《直接公开》[2] “コイルパターン31,32は、…、所定の中心位置Tを中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回している。”<br>(线圈图案31、32以预定的中心位置T为中心,相互并列的同时螺旋状地卷绕。)对比文件明确描述了两个线圈图案均以螺旋状(スパイラル状)卷绕。因此,第一和第二电感器绕组具有螺旋形状的技术特征被直接公开。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。<br>《未公开》对比文件全文及附图仅描述了线圈图案为“螺旋状”卷绕,未对其整体平面轮廓形状(如是否为拉长的圆形、椭圆形、矩形等)进行具体限定或描述。目标专利的该特征限定了电感器绕组特定的平面形状(拉长的圆形,例如跑道形)。对比文件仅公开了绕组是螺旋状的,但螺旋状绕组可以具有多种外轮廓形状(如圆形、方形、多边形等)。对比文件未提及“拉长的圆形”这一具体形状,本领域技术人员无法从对比文件的内容中毫无疑义地得出或合理推断出该特定形状。因此,该特征未被公开。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。<br>《直接公开》[2] “コイルパターン31の外周端および内周端にそれぞれ端子31A,31Bが設けられていると共に、コイルパターン32の外周端および内周端にそれぞれ端子32A,32Bが設けられている。”<br>(在线圈图案31的外周端和内周端分别设有端子31A、31B,同时在线圈图案32的外周端和内周端分别设有端子32A、32B。)对比文件明确公开了第一线圈图案31具有两个端子(31A, 31B),第二线圈图案32具有两个端子(32A, 32B)。这与目标专利的特征完全对应。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。<br>《隐含公开》[2] “コイルパターン31の外周端および内周端にそれぞれ端子31A,31Bが設けられている”<br>(在线圈图案31的外周端和内周端分别设有端子31A、31B。)<br>端子必然需要电连接到线圈图案的导电体上以实现功能。对比文件公开了端子31A、31B分别设置在线圈图案31的“外周端”和“内周端”。对于螺旋形线圈而言,“端”即指线圈的起点和终点。虽然对比文件没有使用“耦合至…端”的表述,但本领域技术人员根据端子设置于线圈“端”的位置描述,可以毫无疑义地理解端子是电连接(耦合)至线圈绕组的相应端部。这是一种必然的、常规的技术安排。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。<br>《未公开》对比文件描述了线圈图案的尺寸,例如端缘长度、角度、间隔等微米(μm)级尺寸,但未提及线圈图案整体的厚度具体数值,也未提及“小于0.2毫米(200μm)”这一厚度范围。目标专利该特征限定了电感器绕组的具体厚度数值范围(<0.2mm),这是其实现薄型化的一个量化指标。对比文件虽然描述了薄膜线圈及其微米级截面尺寸,但并未给出线圈图案整体厚度的具体数值或范围,特别是未公开“小于0.2毫米”这一特征。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中直接得出或合理推断出该特定厚度限制。因此,该特征未被公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。<br>《未公开》[2] “絶縁層40は、例えば、フォトレジストなどの絶縁性材料により構成されている。”<br>(绝缘层40例如由光刻胶等绝缘性材料构成。)对比文件明确记载绝缘层(即填充物)的材料是“光刻胶等绝缘性材料”,并未提及“环氧树脂”。虽然两者都是绝缘材料,但属于不同的具体物质。本领域技术人员不能毫无疑义地将“光刻胶”等同于“环氧树脂”。因此,该具体材料特征未被直接公开,也无信息表明其被隐含公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。<br>《直接公开》[2] “このコモンモードチョークコイルは、例えば、…、2つの磁性基体、すなわち下部磁性基板10と上部磁性基板20との間に、薄膜コイル30が絶縁層40、磁性層50およびシード層60を介して埋設された構成を有している。”<br>(该共模扼流圈具有例如以下结构:薄膜线圈30通过绝缘层40、磁性层50和种子层60埋设在两个磁性基体,即下部磁性基板10和上部磁性基板20之间。)<br>下部磁性基板10和上部磁性基板20由镍铁合金等磁性材料构成。对比文件明确公开了电感器结构(共模扼流圈)包括两个磁性基板(下部磁性基板10和上部磁性基板20),它们由磁性材料构成,实质上就是铁磁层。它们分别位于包含线圈和绝缘层(填充物)的结构的上下两侧,即“位于与填充物相邻”。它们的作用是提供磁路、增大电感等,这与目标专利中铁磁层的作用(提供磁屏蔽、增大有效电感等)相符。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。<br>《未公开》对比文件全文仅描述了共模扼流圈本身的结构及其制造方法,未提及任何关于“层叠封装(PoP)结构”的内容,也未描述将该电感器结构集成到此类先进封装形式中。目标专利该特征限定了电感器结构的一种具体应用或集成场景(PoP结构)。对比文件完全没有涉及任何封装形式,特别是PoP这种特定的三维堆叠封装技术。本领域技术人员无法从对比文件关于独立线圈元件的描述中,合理推断出其必然或通常被集成在PoP结构上。因此,该特征未被公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。<br>《未公开》对比文件全文仅描述了共模扼流圈本身的结构及其制造方法,未提及任何关于“封装基板”或将其集成在封装基板表面的内容。目标专利该特征限定了电感器结构的一种具体应用或集成场景(封装基板表面)。对比文件完全没有涉及任何封装基板或表面贴装技术。本领域技术人员无法从对比文件关于独立线圈元件的描述中,合理推断出其必然或通常被集成在封装基板的表面上。因此,该特征未被公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。<br>《未公开》对比文件全文仅描述了共模扼流圈本身的结构及其制造方法,未提及任何关于“封装基板”或将其嵌入封装基板内部的内容。目标专利该特征限定了电感器结构的一种具体应用或集成场景(封装基板内部)。对比文件完全没有涉及任何封装基板或嵌入式技术。本领域技术人员无法从对比文件关于独立线圈元件的描述中,合理推断出其必然或通常被集成在封装基板的内部。因此,该特征未被公开。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。<br>《隐含公开》[2] “コモンモードチョークコイルが普及している。 このコモンモードチョークコイルは、例えば、電話回線にラジオ放送などのノイズが混入することを防止するために使用されている。”<br>(共模扼流圈正在普及。该共模扼流圈例如用于防止广播等噪声混入电话线路。)<br>以及提到可应用于“電子部品”(电子部件)。对比文件明确说明其描述的线圈结构用于“共模扼流圈”这种电子部件,并举例说明了其在电话线路等中的应用。共模扼流圈本身是一种电子元器件,其最终用途必然是应用于各种电子设备或电路中。虽然对比文件未明确列出“音乐播放器、移动电话”等具体设备,但本领域技术人员根据其作为通用电子元器件的属性,可以合理推断出该电感器结构会被纳入到需要使用此类元器件的电子设备中。因此,该技术特征被隐含公开。

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