对比文件名称：2004-06-24_JP2004179419A_发明专利_JP2004179419A Semiconductor device and manufacturing method thereof
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用模型名称：gpt-4
根据目标专利权利要求的技术特征划分，结合对比文件说明书内容，创建特征比对表格如下：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“金属氧化物金属(MOM)电容器”或类似结构。 | 对比文件描述的是多层堆叠的MIM（金属-绝缘体-金属）电容器结构（例如，参见【００１４】、【００１８】-【００３３】），其电容由垂直堆叠的金属电极板和其间的绝缘体膜形成。目标专利中的MOM电容器是利用互连层内横向叉指之间的电容性耦合的结构（参见目标专利说明书【0002】-【0004】），这与对比文件描述的垂直板MIM电容器在结构原理和作用上完全不同。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开MOM电容器结构，更未公开其耦合到“第一上互连层”。 |
| **技术特征B：** 所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“MOM电容器结构”，也未提及利用互连堆叠中的“下互连层”形成电容器。 | 由于技术特征A（MOM电容器结构）未被公开，且对比文件中的电容器是由专门沉积的金属电极膜（如TiN膜、Pt膜）构成，并非利用互连堆叠中已有的用于布线的导电互连层（如下互连层）形成（参见目标专利说明书【0002】），因此该特征未被公开。 |
| **技术特征C：** 所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“MOM电容器结构”，因此不存在与之耦合的“第二上互连层”。对比文件中的电容器电极通过配线（導電性接続部，如129a， 129b， 215a， 215b）连接到其他部分（参见【００３１】、【００５３】）。 | 该特征依赖于MOM电容器结构的存在。由于MOM电容器结构未被公开，且对比文件中未描述将互连堆叠中的特定上互连层作为电容器极板或直接与电容器特定节点耦合的结构，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征D：** 位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。<br>**《隐含公开》** | 【００１４】“本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、…第１の電極と、第１の電極の下方に設けられた第２の電極と、第２の電極の下方に設けられた第３の電極と、第１の電極と第２の電極の間に設けられた第１の誘電体膜と、第２の電極と第３の電極の間に設けられた第２の誘電体膜とを含むキャパシタ構造と…” <br>【００３３】“電極１２５ａ、誘電体膜１２４及び電極１２３ａによってＭＩＭ構造を有する上層側のキャパシタ１１が形成され、電極１２３ａ、誘電体膜１２２及び電極１２１ａによってＭＩＭ構造を有する下層側のキャパシタ１２が形成される。” | 对比文件明确公开了包含至少一个MIM电容器层的结构，该结构由金属电极（如125a， 123a）和位于其间的绝缘体膜（如124）构成（【００３３】）。目标专利中的“MIM电容器层”指的就是这种金属-绝缘体-金属的层叠结构。虽然对比文件未明确限定这些MIM层位于名为“第一上互连层”和“第二上互连层”的两个特定互连层之间，但其电容器结构必然位于半导体器件的互连堆叠之中。考虑到本领域技术人员能够理解，在BEOL工艺中制造此类MIM电容器时，其上下通常会有互连层（例如用于连接电容器极板的金属配线层），因此，通过推理，有可能认为这些MIM层位于互连堆叠中的某些上互连层之间。根据隐含公开的宽松标准，该特征被判断为隐含公开。 |
| **技术特征E：** 耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“MOM电容器结构”。 | 该特征要求MIM电容器结构与MOM电容器结构耦合。由于对比文件中不存在MOM电容器结构，因此也就不存在与之耦合的MIM电容器结构。对比文件中的MIM电容器是独立存在的，或与其他MIM电容器并联（【００３３】），但未与MOM电容器组合。 |
| **技术特征F：** 所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分。<br>**《未公开》** | 对比文件中的MIM电容器电极（如125a， 123a， 121a）是通过专门沉积的导电膜（如TiN膜）图案化形成的独立结构（参见【００２２】、【００２８】），而非利用互连堆叠中已有的上互连层（如用于布线的金属层）的一部分来充当。 | 目标专利的核心构思之一是利用互连堆叠中已有的上互连层（如M9）的一部分作为MIM电容器的一个极板，从而简化工艺（参见说明书【0026】）。对比文件中的电容器极板是额外沉积的专用电极膜，与互连层是分开制造和定义的。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”这一特定技术手段。 |
| **技术特征G：** 所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**《未公开》** | 对比文件中的MIM电容器层由电极膜和绝缘膜共同构成。其电容器极板（如125a）是构成MIM层的一部分（金属部分），但并非“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”这种描述。通常，“MIM电容器层”指整个夹层结构，而“极板”特指其中的金属电极。 | 该特征的表述可能意在强调第二极板是MIM电容器层中的构成部分。然而，更关键的是，该特征与技术特征F共同定义了目标专利中一种特定的MIM电容器结构（其中一个极板是互连层，另一个极板是MIM层中的一部分）。由于技术特征F未被公开，且对比文件中MIM电容器的两个极板均为专门沉积的电极膜，并非由互连层和MIM层的一部分构成，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征H：** 其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**《隐含公开》** | 【００３３】“電極１２５ａ、誘電体膜１２４及び電極１２３ａによってＭＩＭ構造を有する上層側のキャパシタ１１が形成され、電極１２３ａ、誘電体膜１２２及び電極１２１ａによってＭＩＭ構造を有する下層側のキャパシタ１２が形成される。” <br>【００５５】“電極２１０ａ、誘電体膜２０９及び電極２０８ａによってＭＩＭ構造を有するキャパシタ２１が、電極２０８ａ、誘電体膜２０７及び電極２０６ａによってＭＩＭ構造を有するキャパシタ２２が、…” | 对比文件明确公开了多层堆叠的MIM电容器结构，其中中间电极（如123a， 208a）同时作为上层电容器的下极板和下层电容器的上极板（共享极板）。例如，在图11的等效电路中，电极123a既是电容器11的负极板，又是电容器12的正极板。这完全对应于特征H中描述的“附加MIM电容器结构”，其一个极板（第一电容器极板）是独立电极（如121a），介电层（如122），而另一个极板（第二电容器极板）是另一个MIM电容器结构（如由上方的125a、124、123a构成）的极板（即123a）。因此，该特征被对比文件实质公开。虽然对比文件未明确限定这些结构位于“第一上互连层和第二上互连层之间”，但根据隐含公开的宽松标准，可以认为其隐含了在互连堆叠中存在此类堆叠MIM电容器结构的可能性。 |
| **技术特征I：** 其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**《隐含公开》** | 【００３１】“配線１２９ａ（第１の導電性接続部）及び配線１２９ｂ（第２の導電性接続部）を、互いに離間するように形成する。 電極１２１ａと電極１２５ａとは、配線１２９ａによって電気的に接続される。” <br>【００５３】“配線２１５ａ（第１の導電性接続部）及び配線２１５ｂ（第２の導電性接続部）を、互いに離間するように形成する。 配線２１５ａによって電極２０２ａ、２０６ａ及び２１０ａが電気的に接続され、配線２１５ｂによって電極２０４ａ及び２０８ａが電気的に接続される。” | 对比文件公开了通过不同的配线（129a， 129b； 215a， 215b）将堆叠电容器中不同组的电极分别连接起来。例如，在实施方式1中，配线129a连接电极121a和125a（即堆叠电容器的两端电极），而配线129b连接中间电极123a（【００３１】）。在目标专利中，“第二上互连层”可理解为互连堆叠中的一个布线层。对比文件中的“配線”正是这样的互连层中的导电结构。因此，本领域技术人员可以理解，在形成互连堆叠时，会有一个布线层（相当于“第二上互连层”）的部分区域（第一部分）通过接触孔连接到附加MIM电容器结构的一个极板（如121a），而同一布线层的其他部分（第二部分）连接到共享极板（如123a）。虽然对比文件未使用“上互连层”这一术语，但其描述的配线结构及其连接关系，实质上隐含公开了该特征。 |
| **技术特征J：** 其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**《隐含公开》** | 【０００２】“近年、ＲＦ回路等のアナログ回路とＣＭＯＳ回路等のロジック回路を同一チップ内に集積化したＬＳＩが検討されている。” | 该特征属于电容器的应用领域。对比文件明确指出其半导体装置（包含所述电容器）用于集成了RF（射频）电路和逻辑电路的LSI。RF电路是无线通信设备（如蜂窝电话、PCS单元）的核心组成部分。因此，本领域技术人员能够毫无困难地推断出，包含此类电容器的集成电路有可能被用于制造无线通信设备、便携式电子设备等。根据隐含公开的宽松标准，可以认为该应用领域被隐含公开。 |
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