**对比文件名称：** US2011086487A1_Description_20260318_1917
**目标专利名称：** 336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
**本次调用的模型名称：** 深度分析对比文件公开性
**特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，《未被公开》** | 对比文件未记载与“金属氧化物金属(MOM)电容器结构”相同或等同的结构。对比文件提及的电容结构包括MOS电容、MIM电容以及利用现有布线层形成的VPP、GRID或sandwich结构（见[0004]-[0006]段）。 | 目标专利中的MOM电容器结构是利用互连层中横向叉指之间的电容性耦合形成的特定结构（见目标专利[0002]段）。对比文件说明书通篇未提及“MOM”或利用互连层横向叉指的电容结构。其[0006]段提及的VPP、GRID或sandwich结构是利用现有布线层形成的电容器，但未具体描述其结构为横向叉指。本领域技术人员阅读对比文件后，不能直接且毫无疑义地得出或必然联想到目标专利中明确限定的“MOM电容器结构”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **B：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层，《未被公开》** | 对比文件未记载MOM电容器结构，因此也未记载其包含下互连层。 | 由于技术特征A中的MOM电容器结构未被对比文件公开，因此其包含“至少一个下互连层”的具体构成自然也未被公开。 |
| **C：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层，《未被公开》** | 对比文件未记载MOM电容器结构，因此也未记载有第二上互连层耦合到该结构。 | 该技术特征依赖于MOM电容器结构的存在。由于技术特征A、B均未被公开，因此耦合关系所指向的对象“MOM电容器结构”不存在，该耦合关系本身也未被公开。 |
| **D：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层，《直接公开》** | “On the surface of the lower top metal layer 6, a first conductive layer is arranged, which serves as a bottom electrode 7 of the MIM capacitor C1. ... On this lower MIM capacitor plate 7 an insulating layer 8 is provided, and thereon a second conductive layer 9 serving as a second (top) electrode of the MIM capacitor C1, is arranged.” (参见[0028]段) | 对比文件图2A-2E及[0028]段明确公开了在金属层6（可对应于第一上互连层）和金属层11（可对应于第二上互连层）之间存在由绝缘层8（介电层）构成的MIM电容器（C1）层。该MIM电容器层在对比文件中起到提供电容的作用，与目标专利中MIM电容器层的作用（提供垂直方向的电容）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术特征。 |
| **E：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，《未被公开》** | 对比文件未记载MOM电容器结构，因此也未记载有MIM电容器结构耦合到该MOM结构。图2F显示MIM电容C1与VPP电容C2并联（见[0027]段）。 | 目标专利要求MIM电容器结构“耦合到所述MOM电容器结构”，这限定了两种特定类型电容结构的组合关系。对比文件虽然公开了MIM电容器（C1），但其是与VPP电容器（C2）并联，并未与MOM电容器结构组合或耦合。由于MOM电容器结构未被公开，该特定的组合关系也未被公开。 |
| **F：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，《未被公开》** | “On the surface of the lower top metal layer 6, a first conductive layer is arranged, which serves as a bottom electrode 7 of the MIM capacitor C1.” (参见[0028]段) | 目标专利的核心创新点之一在于MIM电容器的一个极板直接由互连层（如M9）的一部分构成，从而简化工艺（见目标专利[0026]段）。对比文件中，MIM电容器（C1）的底部电极7是一个额外沉积在金属层6表面的第一导电层（如TiN），它并非金属层6本身的一部分。因此，对比文件公开的MIM电容器结构具有独立的底部电极，而非“仅包括所述第一上互连层的一部分”的极板。该技术特征未被公开。 |
| **G：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分，《直接公开》** | “... thereon a second conductive layer 9 serving as a second (top) electrode of the MIM capacitor C1, is arranged.” (参见[0028]段) | 对比文件明确公开了MIM电容器的顶部电极9（第二导电层）。该顶部电极9形成在绝缘层8（MIM电容器层）之上，构成了MIM电容器结构的一部分。因此，该第二电容器极板必然“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”（即覆盖在其上）。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地得出该结论。 |
| **H：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板，《未被公开》** | 对比文件未记载在两层互连层之间存在两个MIM电容器结构，且其中一个MIM结构的极板作为另一个MIM结构极板的情况。图2A-2E仅示出一个MIM电容器C1。 | 该技术特征描述了如图4所示的两层MIM电容器堆叠结构，其中下层MIM的顶部极板同时作为上层MIM的底部极板。对比文件仅公开了一个独立的MIM电容器（C1），并未公开这种共享极板的、堆叠的附加MIM电容器结构。因此，该特征未被公开。 |
| **I：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板，《未被公开》** | 对比文件未记载附加MIM电容器结构，因此也未记载第二上互连层被分区耦合到该附加结构的两个极板。 | 该技术特征是基于技术特征H的附加MIM电容器结构的具体连接关系。由于技术特征H未被公开，该具体的连接关系也未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中，《隐含公开》** | “... in an analog/digital converter wherein, the numerical value of the capacitance determines the convertal characteristics. Furthermore, another semiconductor device of an embodiment of the invention comprises a filter portion ... In all these devices and further semiconductor devices for analog or mixed-signal processing or radio frequency devices ...” (参见[0017]段) | 目标专利列举了电容器可集成的多种终端设备。对比文件[0017]段明确指出，包含所述电容结构的半导体器件可用于模数转换器、滤波器等模拟或混合信号处理、射频设备中。本领域技术人员公知，这些功能模块（如ADC、滤波器）正是蜂窝电话、PCS单元、导航设备等所包含的核心部件。因此，虽然对比文件未明确列出所有具体设备名称，但基于其公开的应用领域，本领域技术人员能够合理推断出其中所描述的电容结构可以集成到目标专利所列的这类设备中。该技术特征被隐含公开。 |
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