对比文件名称：2006-09-28_JP2006522464A_发明专利_JP2006522464A In a semiconductor die, a high density composite mim capacitor with reduced voltage dependence
目标专利名称：336互补后端制程(BEOL)电容器CN105074915B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构，** | 未找到相关描述。对比文件全文未提及金属氧化物金属（MOM）电容器。 | 根据目标专利说明书，MOM电容器结构是利用互连层中的横向导电叉指形成的电容器（参见背景技术部分）。对比文件JP2006522464A通篇描述的是由独立金属板（如120, 122, 124, 130）和介电层（132, 134）构成的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器及其复合结构，未涉及利用互连层横向叉指的MOM电容器。因此，对比文件未公开技术特征A。 |
| **《未公开》** | ||
| **技术特征B：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层** | 未找到相关描述。对比文件未描述MOM电容器，因此也未描述其包含下互连层。 | 技术特征B是MOM电容器结构的具体构成。由于对比文件未公开MOM电容器结构（特征A），因此自然也未曾公开该结构包括互连堆叠的下互连层这一特征。 |
| **《未公开》** | ||
| **技术特征C：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层** | 未找到相关描述。 | 技术特征C限定了与MOM电容器结构耦合的第二上互连层。由于对比文件未公开MOM电容器结构（特征A），因此也未公开与之耦合的第二上互连层。 |
| **《未公开》** | ||
| **技术特征D：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层** | [2] “図１に同様に示すように、金属板１３０は誘電体セグメント１３４の上に位置しており…金属板１３０は上部ＭＩＭキャパシタの上部電極を形成する。”<br>（同样如图1所示，金属板130位于介电体分段134之上…金属板130形成上部MIM电容器的上部电极。）<br>结合图1可知，诱电体セグメント134（介电层）位于金属板122（上部MIM电容器的下部电极，其位于相互接続金属層115中）与金属板130（上部MIM电容器的上部电极）之间。 | 对比文件公开了由金属板122（作为下部电极）、诱电体セグメント134（作为介电层）和金属板130（作为上部电极）构成的上部MIM电容器。金属板122位于相互接続金属層115（相当于一个上互连层），金属板130位于其上的层间介电体中，并通过通孔116连接到更上方的相互接続金属層121（相当于另一个上互连层）。因此，该MIM电容器层（介电层134及其两侧的电极）实质上位于两个上互连层（115和121）之间。虽然对比文件没有明确使用“第一上互连层”和“第二上互连层”的表述，但其描述的互连金属层115和121在结构层级上相当于上互连层。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，在互连堆叠的两个金属层之间存在一个MIM电容器层。因此，技术特征D被直接公开。 |
| **《直接公开》** | ||
| **技术特征E：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构，** | [2] “構造１００は、金属板１２４、金属板１２０、金属板１２２、および金属板１３０を含み、それらは２つのＭＩＭキャパシタ用の電極を形成している。”<br>（结构100包括金属板124、金属板120、金属板122和金属板130，它们形成两个MIM电容器的电极。） | 对比文件明确公开了包含下部MIM电容器（电极124和120）和上部MIM电容器（电极122和130）的MIM电容器结构。然而，技术特征E要求该MIM电容器结构“耦合到所述MOM电容器结构”。由于对比文件未公开任何MOM电容器结构（特征A、B），因此无法公开MIM电容器结构与MOM电容器结构之间的耦合关系。 |
| **《未公开》** | ||
| **技术特征F：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分，** | [2] “金属板１２２…すなわち上部ＭＩＭキャパシタの下部電極は…相互接続金属層１１５内に位置している。”<br>（金属板122…即上部MIM电容器的下部电极…位于相互接続金属層115内。）<br>[2] “ステップ３１４で、第２の相互接続金属層がパターニングされて…上部ＭＩＭキャパシタの下部電極、すなわち金属板１２２とを形成する。”<br>（在步骤314中，第二互连金属层被图案化以形成…上部MIM电容器的下部电极，即金属板122。） | 对比文件明确公开了上部MIM电容器的下部电极（金属板122）是通过对相互接続金属層115（相当于一个上互连层）进行图案化而形成的。这意味着该电极是互连金属层115的一部分。这与技术特征F中“第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分”的描述完全一致。在对比文件中，该极板作为MIM电容器结构（上部MIM电容器）的一个极板。因此，技术特征F被直接公开。 |
| **《直接公开》** | ||
| **技术特征G：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。** | [2] “金属板１３０は誘電体セグメント１３４の上に位置しており…金属板１３０は上部ＭＩＭキャパシタの上部電極を形成する。”<br>（金属板130位于介电体分段134之上…金属板130形成上部MIM电容器的上部电极。）<br>结合上下文，诱电体セグメント134是MIM电容器层（介电层），金属板130形成于其上，是该MIM电容器层结构的一部分。 | 对比文件公开的上部MIM电容器结构中，第二电容器极板（即上部电极金属板130）直接形成在作为MIM电容器层的诱电体セグメント134之上。这意味着该第二电容器极板是构成整个MIM电容器层叠结构（电极-介电-电极）的组成部分，即“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。本领域技术人员能够毫无疑义地理解这一点。因此，技术特征G被直接公开。 |
| **《直接公开》** | ||
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。** | [2] “構造１００では、金属板１２４と金属板１２０とが「下部」ＭＩＭキャパシタの２つの電極を形成し、金属板１２２と金属板１３０とが「上部」ＭＩＭキャパシタの２つの電極を形成している。”<br>（在结构100中，金属板124和金属板120形成“下部”MIM电容器的两个电极，金属板122和金属板130形成“上部”MIM电容器的两个电极。）<br>[2] “上部ＭＩＭキャパシタの下部電極、すなわち金属板１２２は、下部ＭＩＭキャパシタの上部電極、すなわち金属板１２０に、ビア１１４によって電気的に接続される。”<br>（上部MIM电容器的下部电极，即金属板122，通过通孔114电连接到下部MIM电容器的上部电极，即金属板120。） | 技术特征H描述了一个共享极板的复合MIM电容器结构：一个MIM电容器结构（对应于目标专利主MIM结构）的第一极板，同时作为另一个附加MIM电容器结构的第二极板。对比文件公开了由下部MIM电容器和上部MIM电容器并联组成的复合结构。虽然其上下电容器的极板（金属板120和122）是通过通孔114连接的独立金属板，而非物理上完全相同的“共享”极板，但二者通过低电阻通路电性连接，在电路功能上等效于一个共用的节点/极板。本领域技术人员在阅读对比文件后，为了简化结构或基于该并联连接启示，完全有可能推理出将两个电容器的相邻极板制作为一个连续的、共享的金属层（即一个极板身兼二职）的技术方案，从而实现如特征H所述的极板共享。因此，技术特征H被隐含公开。 |
| **《隐含公开》** | ||
| **技术特征I：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。** | [2] “金属セグメント１２６は…相互接続金属層１２１に位置している。”<br>（金属分段126位于相互接続金属層121中。）<br>[2] “金属セグメント１２６は、金属板１３０、すなわち上部ＭＩＭキャパシタの上部電極に、ビア１１６によって電気的に接続され、金属セグメント１２８、すなわち複合ＭＩＭキャパシタの１端子に、ビア１１９によって電気的に接続される。”<br>（金属分段126通过通孔116电连接到金属板130，即上部MIM电容器的上部电极，并通过通孔119电连接到金属分段128，即复合MIM电容器的一个端子。）<br>金属分段128通过通孔118连接到金属板124（下部MIM电容器的下部电极）。 | 对比文件中的相互接続金属層121（相当于第二上互连层）包含金属セグメント126。该金属分段126的一部分（通过通孔116）连接到上部MIM电容器的上部电极（金属板130），即附加MIM电容器结构的第一电容器极板（假设将上部MIM电容器视为“附加MIM电容器结构”）。同时，金属分段126的另一部分（通过通孔119和金属分段128、通孔118）连接到下部MIM电容器的下部电极（金属板124），即附加MIM电容器结构的第二电容器极板（假设下部MIM电容器的极板通过共享或连接作为“附加MIM电容器结构的第二电容器极板”）。这清楚地展示了第二上互连层（金属層121）的不同部分分别连接到复合MIM电容器结构的两个极板。因此，技术特征I被直接公开。 |
| **《直接公开》** | ||
| **技术特征J：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。** | [2] “高性能の混合信号およびＲＦ回路は、高密度の集積キャパシタを必要とする。”<br>（高性能混合信号和RF电路需要高密度集成电容器。） | 技术特征J限定了电容器的具体应用领域。对比文件指出其高密度复合MIM电容器可用于“高性能混合信号和RF电路”。本领域技术人员公知，混合信号和RF电路是蜂窝电话、PCS单元、导航设备等通信和消费电子产品的核心组成部分。因此，从对比文件公开的用途出发，本领域技术人员能够合理推断出该电容器有可能被集成到这些具体的终端设备中。虽然对比文件未明确列举这些设备名称，但根据其公开的用途进行推理，技术特征J被隐含公开。 |
| **《隐含公开》** |
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