对比文件名称：2009-09-11_WO2009110288A_发明申请_WO2009110288A1 貫通電極付きキャパシタおよびその製造方法、並びに半導体装置
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：OpenAI GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：基板 | [2]段落：“基板２”、“基板３２”等。<br>例如： [2] “貫通電極付きキャパシタ１ａは、図１Ａに示すように、複数の貫通孔４ａを有するインターポーザ基板（以下、「基板」と略す）２ａを備える。” | 对比文件明确且多次描述了其器件包括“基板”（如基板2、基板32），这是器件的基础结构部件，与本领域常规基板的作用相同，用于支撑和承载电路元件。本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B《隐含公开》**<br>至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔， | [2]段落：“貫通孔４の各々の内部には、導体からなる貫通電極７が充填されている。”<br>[2] “基板２の第１主面２Ａ上には、絶縁性カバー膜８、キャパシタ構造１３、保護絶縁膜１４、接続パッド１５等が形成されている。” | 对比文件公开了穿过基板（如基板2）延伸的“貫通孔”以及其中填充导体形成的“貫通電極”（如贯通电极7）。该通孔用于电连接基板两侧的电路。虽然对比文件未明确说明该通孔是“多通孔电感器的一部分”，但根据其结构（多个通孔通过导电结构连接）和作用（传导电流），本领域技术人员可以合理推断，这种由通孔和导电路径形成的结构可以起到电感器的作用，特别是当需要构建LC谐振电路时。因此，该通孔至少“隐含”了其可作为电感器一部分的可能性。 |
| **技术特征C《隐含公开》**<br>所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 | [2]段落：“半導体素子接合パッド１５は、各貫通電極７の上に形成された皿状の窪みに嵌合するように形成されている。”<br>[2] “接続パッド１５ａは、対応する貫通電極７ａと、保護絶縁膜１４ａおよび絶縁性カバー膜８ａを貫通する貫通電極接続用ビア９ａを介して電気的に接続されている。”<br>[2] “裏面パッド２３”（参见图4、5）。 | 对比文件公开了在基板一侧表面（第1主面）上形成的“接続パッド”（连接垫15）和“半導体素子接合パッド”（半导体元件接合垫15），以及在基板另一侧（第2主面）形成的“裏面パッド”（背面垫23）。这些导电结构通过“貫通電極”（通孔7）相互电连接。虽然对比文件未明确将这些结构描述为“多通孔电感器的导电结构”，但其公开了连接多个通孔的导电图案（垫），这些导电结构设置在通孔之间（例如，同一表面的垫连接不同的通孔，或通过通孔连接不同表面的垫）。本领域技术人员可以合理推断，这种由通孔和连接它们的导电结构形成的网络可以构成一个电感器所需的螺旋或蜿蜒路径。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D《未公开》**<br>耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间， | [2]段落：“キャパシタ構造１３は、下部電極１０と誘電体１１と上部電極１２とからなるＭＩＭ（metal-insulator-metal）構成（三層構成）を持つ。”<br>[2] “キャパシタ構造１３は、絶縁性カバー膜８の上に形成されている。” | 对比文件确实公开了电容器（キャパシタ構造13），其包括下部电极10、电介质11和上部电极12。然而，该电容器是通过“絶縁性カバー膜8”（绝缘性覆盖膜）形成在基板/通孔之上，电介质11位于下部电极10和上部电极12之间，**而不是**位于“通孔（贯通电极7）”与“电容器的极板”之间。在对比文件中，通孔（贯通电极7）与电容器（13）的下部电极（10）之间隔有绝缘性覆盖膜（8）以及可能的其他绝缘层（如表面绝缘膜3）。电介质并未直接位于通孔与任一电容器极板之间。这与目标专利中电介质直接位于通孔与电容器极板之间以减小电阻的核心构思不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E《直接公开》**<br>并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 | [2]段落：“キャパシタ構造１３は、絶縁性カバー膜８の上に形成されている。”<br>结合图2、3等图示可知，下部电极10、上部电极12等电容器结构均位于基板2的上方（即基板之外）。 | 对比文件明确说明电容器结构（13）形成在绝缘性覆盖膜（8）的“上に”（之上），而绝缘性覆盖膜（8）又形成在基板（2）的第1主面（2A）上。因此，电容器的极板（下部电极10、上部电极12）显然位于基板主体材料之外。本领域技术人员能毫无疑义地得出此结论。 |
| **技术特征F《隐含公开》**<br>其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 | [2]段落：“接続パッド１５ａは、キャパシタ構造１３の少なくとも一部と、保護絶縁膜１４ａを貫通するキャパシタ接続用ビア２０ａを介して電気的に接続されている。 さらに、接続パッド１５ａは、対応する貫通電極７ａと、保護絶縁膜１４ａおよび絶縁性カバー膜８ａを貫通する貫通電極接続用ビア９ａを介して電気的に接続されている。”<br>[2] “下部電極接続パッド１６は、キャパシタ構造１３の下部電極１０との電気的接続が、保護絶縁膜１４に形成されたキャパシタ接続用ビア（以下、これを「下部電極接続ビア」と称する）２０を介してなされている。” | 对比文件中的“接続パッド”（如15, 16, 17）可视为“第一导电结构”。公开内容显示，电容器（キャパシタ構造13）的电极（如下部电极10、上部电极12）通过“キャパシタ接続用ビア”（电容器连接用通孔，如20, 21）与这些连接垫（第一导电结构）电连接。同时，这些连接垫又通过“貫通電極接続用ビア”（贯通电极连接用通孔，如9）与“貫通電極”（通孔7）电连接。因此，电容器通过连接垫（第一导电结构）和连接用通孔（9）的中间路径，间接地“耦合至”了贯通电极（通孔7）。虽然路径中包含了连接垫和额外的连接用通孔（9），而非电容器直接位于通孔7之上，但从电路连接关系上看，电容器最终通过第一导电结构和相关互连结构与通孔实现了电学上的耦合。在宽松的隐含公开判断标准下，可以认为该特征被隐含公开。 |
| **技术特征G《隐含公开》**<br>其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 | [2]段落：“複数の貫通孔４を有するインターポーザ基板”、“貫通孔４の各々の内部には、導体からなる貫通電極７が充填されている。” | 对比文件明确公开了基板中具有“複数の貫通孔”（多个贯通孔4），并填充形成多个“貫通電極”（贯通电极7）。这些通孔中的任何一个，只要不是特征B中提及的那个“通孔”，都可以被视为“第二通孔”。它们都至少部分地（实际上是完全）延伸穿过基板。基于与技术特征B和C相同的推理逻辑，本领域技术人员可以合理推断，这些多个通孔中的至少另一个，可以与特征B中的通孔以及导电结构一起，共同构成一个多通孔电感器的各个部分。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H《隐含公开》**<br>第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 | [2]段落：“裏面パッド２３”（参见图4、5描述及图示）。<br>[2] “貫通電極付きキャパシタ１は、裏面パッド２３およびカバー樹脂２４を備えた状態で、図５に示すように、実装基板２５上に実装される。 実装基板２５と貫通電極付きキャパシタ１は、裏面パッド２３を介して電気的に接続される。” | 对比文件公开了在基板另一侧（第2主面）形成的“裏面パッド23”（背面垫），这可视为“第二导电结构”。结合前述，基板第一主面的“接続パッド15”（第一导电结构）通过“貫通電極7”（通孔，可作为“第二通孔”）与背面的“裏面パッド23”（第二导电结构）电连接。虽然对比文件未明确将这些部件的组合称为“多通孔电感器”，但由通孔（如7）、另一通孔（另一个7）、第一主面的导电结构（15）、第二主面的导电结构（23）所形成的导电回路，完全具备构成电感器基本线圈结构的所有要素。本领域技术人员可以合理推断出这种结构能够起到电感器的作用。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I《隐含公开》**<br>其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 | [2]段落：“保護絶縁膜１４は、キャパシタ構造１３を被覆するように形成されている。”<br>[2] “絶縁性カバー膜８”。<br>关于谐振电路：对比文件主要描述该电容器作为去耦电容器使用，未明确提及与电感器形成谐振电路。 | 对比文件中的电容器极板（10,12）被“保護絶縁膜14”（保护绝缘膜）和“絶縁性カバー膜8”（绝缘性覆盖膜）等介电层所包围，这些层可广义地理解为起到层间电介质（ILD）的作用，用于绝缘和隔离。因此，“极板在层间电介质(ILD)层中”这一结构特征被隐含公开。关于“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”，对比文件未明确描述将所述通孔/导电结构形成的电感与电容器连接成谐振电路。然而，对比文件公开了去耦电容器，而去耦电容器在高速电路中常与电源分布网络的寄生电感形成LC滤波或谐振结构。此外，对比文件公开了电容器和可能构成电感的结构要素（通孔、导电垫）。在宽松的隐含公开标准下，本领域技术人员有可能基于公开的元件（电容、可能作为电感的通孔/互连结构）推断出它们可以组合形成谐振电路。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征J《直接公开》**<br>其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 | [2]段落：“インターポーザ基板３２として、厚み２００μｍのアルカリフリー・ガラスを使用した。”<br>[2] “ＲＩＥ法で、直径５０μｍの半導体素子２６の端子位置に対応した貫通孔４を複数個、半導体素子２６が複数とれるように形成した。” | 对比文件在第2实施例（实施形态2）和实施例2中明确公开了使用“アルカリフリー・ガラス”（无碱玻璃）作为基板32，并在其中形成“貫通孔4”（贯通孔）。这直接对应于“玻璃型基板”和“透玻通孔”（TGV）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 | [2]段落：“基板２の材質は、本第１実施形態においては、半導体基板を適用した例について説明する。 半導体基板の材質としては、化合物半導体等でもよく、特に限定されないが、シリコン（Ｓｉ）または砒化ガリウム（ＧａＡｓ）的単結晶が適している。”<br>[2] “基板３２の材料は、絶縁体であれば限定されないが、例えば、ガラス、セラミック、酸化物単結晶等が利用できる。 結晶化ガラス、低温焼成セラミック(ガラスとセラミックの複合体)も好適に利用できる。” | 对比文件公开了多种基板材料选择：第一实施例提到硅(Si)或砷化镓(GaAs)半导体基板；第二实施例提到玻璃、陶瓷、氧化物单晶、结晶化玻璃、低温共烧陶瓷（玻璃与陶瓷的复合体）等绝缘体基板。虽然未明确列举目标专利权利要求中的所有具体材料（如SOI、SOS、HRS、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠、塑料），但已公开了“玻璃基板”和“GaAs基板”。根据直接公开判断原则，只要对比文件公开了权利要求列举的多个选项中的至少一个，即可认为该特征被直接公开。因此，“基板包括玻璃基板”或“基板包括砷化镓(GaAs)基板”已被直接公开。 |
| **技术特征L《直接公开》**<br>所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 | [2]段落：“貫通孔４に充填される導体は、特に限定されないが、低電気抵抗の点からは、めっき金属が好ましく、特に銅（Ｃｕ）が好適に用いられる。”<br>[2] “Ｃｕのフィルドめっきを行い、各貫通孔４の内部を完全にＣｕで充填して貫通電極７を形成した。”<br>[2] (实施例3) “各貫通孔４の内部にＡｇペーストを充填” | 对比文件明确公开了用铜(Cu)填充贯通孔形成贯通电极7，在实施例3中使用了银(Ag)糊剂填充。这直接对应于“金属填充型通孔”，且金属包括了铜(Cu)和银(Ag)。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征M《直接公开》**<br>所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。 | [2]段落：“誘電体１１の材質も、高絶縁性の材料であれば特に限定されない。 例えば、酸化タンタル，酸化アルミニウム，酸化シリコン等を適用することができる。” | 对比文件明确列举了电容器电介质（誘電体11）的材料包括“酸化タンタル”（五氧化二钽，Ta2O5）、“酸化アルミニウム”（氧化铝，Al2O3）和“酸化シリコン”（氧化硅，如SiO2）。这直接公开了目标专利列举的多种选项中的至少三种（Ta2O5, Al2O3, SiO2）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 | 对比文件全文未提及在通孔（贯通电极）内使用聚合物核。其贯通电极7通常是完全由金属（如Cu）填充（实施例1，2）或由Ag糊剂填充（实施例3）。 | 目标专利中“聚合物核”的技术方案（如图3）用于提供结构性支撑并可能与TGV制造技术更兼容。对比文件完全没有描述或暗示在通孔内存在聚合物核结构。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 | 如特征D所述，对比文件的电容器形成在绝缘性覆盖膜8之上，电介质11位于下部电极10和上部电极12之间。电容器的任何部分（极板或电介质）并非“垂直位于”通孔（贯通电极7）的“面向电介质的表面”上，因为通孔7与电容器之间被绝缘性覆盖膜8等隔开，不存在通孔直接“面向”电容器电介质的情况。该特征体现了目标专利电容器直接集成于通孔之上的核心架构，对比文件未公开此结构。 | 该特征描述了电容器元件在垂直方向上与通孔表面直接对齐或重叠的紧密空间关系，这是实现低电阻连接的关键。对比文件的结构是电容器通过中间绝缘层和互连结构“悬于”通孔之上，而非其部件垂直位于通孔表面之上。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 | 对比文件中，电容器（13）位于基板2的第一主面（2A）侧，连接垫（15，可作为第一导电结构）也位于同一侧（第一主面）。而“裏面パッド23”（背面垫）位于基板的第二主面（2B）。目标专利特征P限定了“第一导电结构”毗邻基板的第二表面（与电容器所在表面相对）。在对比文件中，与电容器位于基板相对侧的导电结构是“裏面パッド23”，但它通常不直接通过通孔与电容器耦合（需经由第一主面的连接垫15）。更重要的是，对比文件中不存在一条“穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴”能够同时与电容器的极板、电介质以及位于第二表面的导电结构（裏面パッド23）三者相交。电容器和位于第二表面的导电结构在通孔的垂直轴向上是错开的。因此，该特征未被公开。 | 该特征定义了电容器、通孔和基板背面导电结构三者之间严格的垂直对齐关系。对比文件的结构布局不符合此定义。 |
| **技术特征Q《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 | 对比文件的通孔（贯通孔4）沿垂直于基板主面的方向延伸。然而，如特征O所述，由于电容器与通孔之间隔有绝缘层，通孔的垂直轴与电容器极板的区域在物理上是否“相交”取决于观察层次。从严格的三维几何位置看，通孔的轴可能与极板在平面投影上有重叠，但极板并非直接位于通孔顶端表面。目标专利此特征意在强调极板与通孔的直接上下对准关系。对比文件的结构不具备此直接关系。 | 该特征与特征O类似，强调通孔与电容器极板的直接垂直空间关系。对比文件未公开此关系。 |
| **技术特征R《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 | 对比文件未描述通孔（贯通电极7）的顶表面与电容器极板表面的大小比较关系。从图示推断，通孔直径通常与连接垫大小相匹配，而电容器可能覆盖更大区域，但并无明确文字记载此比较关系。目标专利此特征涉及优化性能的特定尺寸设计。 | 该特征是目标专利的特定优化方案（如图2），对比文件未公开此内容。 |
| **技术特征S《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 | 同上（特征R），对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的大小比较关系，更未提及二者大小相同。 | 该特征是目标专利的特定优化方案，对比文件未公开此内容。 |
| **技术特征T《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 | 同上（特征R），对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的大小比较关系，更未提及通孔表面小于极板表面。 | 该特征是目标专利的特定优化方案，对比文件未公开此内容。 |
| **技术特征U《未公开》**<br>其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 | 对比文件的电容器仅有一层电介质（誘電体11）。在通孔（7）与电容器电介质（11）之间存在的是绝缘性覆盖膜（8）等其他绝缘层，这些层并非作为电容器的“第二电介质”功能层。目标专利此特征指电容器本身具有多层电介质（如图4）。 | 对比文件未公开电容器具有位于通孔与主电介质之间的第二电介质层。 |
| **技术特征V《隐含公开》**<br>其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 | [2]段落：“貫通孔４”通常被描述为贯穿基板的孔。未明确描述“部分地延伸穿过基板”的盲孔或“在基板内结合”的通孔。 | 该特征描述了通孔在基板内部结合（如图6的盲孔结构）以及多通孔电感器包括至少三个通孔的复杂结构。对比文件仅公开了完全贯穿基板的通孔，未公开部分延伸或在基板内结合的通孔结构。虽然对比文件有多个通孔，但未描述它们“在基板内结合”。构成多通孔电感器需要特定的连接关系，对比文件未明确公开。因此，在隐含公开的宽松标准下，基于多个通孔的存在，本领域技术人员“有可能”推断出使用多个通孔构建更复杂电感结构的可能性，但该特定结构（内部结合的盲孔）未被提示。出于最宽松的考虑，可认为“包括多个通孔”被隐含，但“在基板内结合”这一具体限定未被公开。综合判断，该特征整体未被隐含公开。但考虑到隐含公开标准宽松，且特征G、H已隐含公开了多通孔电感器的部分要素，这里保守判断为“未公开”，因为具体的“部分延伸”和“在基板内结合”结构缺失。 |
| **技术特征W《未公开》**<br>其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 | 此特征与特征O、Q类似，强调电容器部件垂直位于通孔本体之上。如之前分析，对比文件中电容器与通孔之间存在绝缘层，电容器的部件并非“垂直位于通孔上”。通孔延伸穿过基板已被公开，但后半部分关于电容器部件垂直位于通孔上的关系未被公开。 | 该特征再次强调了目标专利的核心结构——电容器与通孔的垂直集成。对比文件的结构不具备此特征。 |
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