对比文件名称：WO2012040063A1_Description_20260318_1957
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
作为专利代理师，我将严格按照目标专利权利要求的技术特征划分进行比对，并结合目标专利说明书对技术特征进行解释。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板**<br>《直接公开》 | [0006] “The substrate may be a glass substrate.”<br>[0008] “The substrate may be formed of a material having properties similar to those of glass, such as plastic.”<br>[0102] “In such implementations, the glass substrate 1007 may be between 300 microns and 700 microns in thickness.” | 对比文件明确公开了器件包括基板（substrate），例如玻璃基板（glass substrate）。该基板在对比文件中作为承载其他器件（如无源器件、集成芯片）的基础结构，与目标专利中基板（102）作为承载通孔和电容器的基础结构的作用相同。本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，**<br>《隐含公开》 | [0006] “A plurality of vias may extend through the substrate, between the first surface and a second surface of the substrate.”<br>[0009] “...forming a plurality of vias in a glass substrate...”<br>[0105] “...a through-glass via is formed in block 1325. Referring now to Figure 14F, an interconnect via 1010a has been formed through the glass substrate 1007...” | 对比文件明确公开了至少部分地穿过玻璃基板（1007）延伸的通孔（1010a）。目标专利中，该通孔（104）是多通孔电感器的一部分。对比文件虽然未明确将通孔称为“多通孔电感器的一部分”，但其通孔（1010a）可用于形成电感或作为电感的一部分（例如，[0119]提到电感器1120a-d，[0126]提到电感器1120e）。结合本领域公知常识，通孔本身可具有电感特性，多个通孔通过导电结构连接可形成电感器。因此，本领域技术人员通过对比文件公开的“延伸穿过基板的通孔”以及“形成电感器”的内容，能够合理推断出存在“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器一部分的通孔”。 |
| **C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>《隐含公开》 | [0119] “...power combiner circuit 1029 includes the inductors 1120a, 1120b, 1120c and 1120d...”<br>[0126] “...an inductor 1120e is one of the components of the power combiner circuit 1029.”<br>[0135] “One or more other passive devices may be formed of the metal portions 1405b and 1405c, such as single-turn or multi-turn inductors.”<br>（附图10A-10G，12显示了通孔1010a与基板上的导电结构连接） | 对比文件公开了在基板上形成电感器（1120a-e）以及通孔（1010a）与基板上导电结构（如金属层1421、焊盘1015）的连接。目标专利的“多通孔电感器”本质上是由通孔和基板上的导电结构串联形成的螺旋电感。对比文件虽未明确描述一个由“通孔A-导电结构-通孔B”构成的完整多通孔电感器，但其公开了形成电感器的技术手段，并且附图显示多个通孔通过基板表面的导电迹线连接。本领域技术人员根据对比文件公开的“在基板上形成电感器”和“具有多个连接的通孔”，能够合理推断出可以通过将两个通孔（相当于第一和第二通孔）用基板上的导电结构耦合在一起来构成电感器的一部分，即隐含公开了该技术特征。 |
| **D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，**<br>《隐含公开》 | [0103] “At least one passive component may be a ... capacitor...”<br>[0119] “...the capacitors 1125a, 1125b and 1125c. The capacitors 1125 may, for example, be radio frequency metal-insulator-metal (RF MIM) capacitors.”<br>[0135] “...which form the lower and upper plates of capacitor 1425.” | 对比文件明确公开了在基板上形成电容器（1125，1425），该电容器包括极板（金属层1405a、1411）和位于其间的电介质层（1409）。目标专利的核心在于电容器直接耦合至通孔，且电介质位于通孔与电容器极板之间。对比文件未明确描述电容器直接形成在通孔上方且以通孔作为一个电极。然而，对比文件公开了在具有通孔的同一基板上制造MIM电容器，且通孔与基板上的金属层（可构成电容器极板）电连接（例如通过铜层1421）。本领域技术人员基于对比文件公开的“在带有通孔的基板上制造电容器”以及“通孔与基板上金属层相连”的技术启示，能够合理推断出可以将电容器制作得使其一个极板通过导电结构与通孔电连接，甚至可以将通孔的上表面作为电容器的下极板，并在其上沉积电介质和上极板，从而实现“电容器耦合至通孔”且“电介质位于通孔与电容器极板之间”的结构。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。**<br>《直接公开》 | [0135] “...which form the lower and upper plates of capacitor 1425.”<br>（结合附图14G，电容器1425的极板1405a和1411位于基板1007上方的沉积层中，并未嵌入基板内部。） | 对比文件公开的电容器（1425）其极板（1405a， 1411）是由沉积在基板（1007）上方的金属层图案化形成的。这些极板位于基板之上，并不在基板内部，即“在所述基板以外”。这与目标专利中电容器极板（108，120）位于基板102以外（例如之上）的位置关系相同。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。**<br>《隐含公开》 | [0100] “In some implementations, electrically conductive bonding pads (such as the bonding pads 1015 depicted in Figures 10A through 10G) may be formed on at least one end of the interconnect vias...”<br>[0135] “For example, a gap 1423 has been formed between a first portion of the copper layer 1421 that has been formed in the via 1415a and a second portion of the copper layer 1421 that has been formed in the via 1417. These portions of the copper layer 1421 provide electrical connectivity with the metal portion 1405a and the metal layer 1411, respectively, which form the lower and upper plates of capacitor 1425.”<br>（附图显示通孔1010a通过导电层1421等结构与器件连接） | 对比文件公开了通孔（1010a）与基板上的导电结构（如金属层1421、焊盘1015）电连接，也公开了电容器（1425）形成在基板上。目标专利中“电容器通过通孔耦合至第一导电结构”描述了电容器、通孔和第一导电结构三者的电连接关系。对比文件虽未明确描述一个同时连接电容器和通孔的“第一导电结构”，但其公开了通孔与基板上导电结构连接，以及电容器极板与基板上导电结构连接。本领域技术人员基于对比文件的教导，能够合理推断出可以通过一个共用的导电结构（例如金属迹线或层）将通孔和电容器的其中一个极板电连接起来，该共用的导电结构即相当于“第一导电结构”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>《隐含公开》 | [0006] “A plurality of vias may extend through the substrate...”<br>[0090] “In block 905, vias are formed in the glass substrate.”<br>（附图10A，12等显示了多个通孔1010a） | 对比文件明确公开了在基板中形成多个通孔（a plurality of vias）。目标专利要求多通孔电感器包括至少两个通孔（第一通孔和第二通孔）。虽然对比文件未明确将第二个通孔指定为“多通孔电感器的第二部分”，但其公开了形成多个通孔，并且这些通孔可以用于构成电路（包括可能包含电感器的功率合成器电路1029）。本领域技术人员基于“形成多通孔电感器”的需要，能够合理推断出需要至少两个通孔，其中第二个通孔即构成电感器的另一部分。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。**<br>《隐含公开》 | [0126] “Here, the power combiner circuit 1029 includes a number of passive devices deposited on the glass die 1005. In this implementation, an inductor 1120e is one of the components...”<br>（附图10A，12等显示了多个通孔1010a通过基板表面和背面的导电结构（如焊盘1015、金属层1421）相互连接。） | 对比文件公开了多个通孔以及基板两侧的导电结构（如顶面的金属层1421、底面的焊盘1015）。一个电感器可以由基板一侧的第一导电结构连接第一通孔，第一通孔穿过基板连接到底面的第二导电结构，第二导电结构再连接第二通孔，第二通孔穿回基板顶面。对比文件虽未明确描述如此具体的四元件串联路径形成一个电感器，但其公开了所有必要的构件：通孔、基板两侧的导电结构、以及将它们连接形成无源器件（如电感器）的能力。本领域技术人员为了在有限面积内获得更大电感量，能够合理推断出利用两个通孔和基板两侧的导电结构串联形成一个螺旋状的多通孔电感器。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。**<br>《直接公开》 | [0130] “...an oxide layer 1401 is deposited on the glass substrate 1007 and a second oxide layer 1403 is deposited on the oxide layer 1401.”<br>[0132] “...a dielectric layer 1409 that has been deposited...”<br>[0133] “...an oxide layer 1413.”<br>[0119] “The power amplifier chip and the power combiner circuit may form a power amplification system.” (功率合成器电路可包含LC谐振电路)<br>[0124] “The power amplifier circuit and the power combiner circuit may form a power amplification system.” | 对比文件明确公开了在基板上沉积多层氧化物/电介质层（1401，1403，1409，1413），电容器极板（1405a，1411）位于这些介电层之间或之上，即相当于在层间电介质（ILD）层中。同时，对比文件公开了由无源器件（包括电感器和电容器）形成的功率合成器电路（1029），该电路可与功率放大器芯片共同工作。对于本领域技术人员而言，由电感器和电容器可以构成谐振电路是公知常识。因此，对比文件直接公开了“极板在层间电介质(ILD)层中”以及“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”这两个技术特征。 |
| **J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。**<br>《直接公开》 | [0006] “The substrate may be a glass substrate.”<br>[0008] “...through-glass vias extending between the first surface and the second surface of the glass substrate...”<br>[0105] “...a through-glass via is formed...” | 对比文件明确且反复地公开了基板是玻璃基板（glass substrate），并且通孔是透玻通孔（through-glass vias）。这与目标专利的特征J完全一致。本领域技术人员能够毫无疑义地得出。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>《隐含公开》 | [0006] “The substrate may be a glass substrate.”<br>[0008] “The integrated circuit die may be formed on a layered silicon-insulator-silicon substrate, which is also known as a ‘silicon on insulator’ (SOI) substrate. In some other implementations, the integrated circuit die may be formed on a glass substrate, a silicon substrate, a gallium arsenide substrate, or a silicon-on-sapphire substrate.”<br>[0045] “In some other implementations, the integrated circuit die may be formed on a glass substrate, a silicon substrate, a gallium arsenide substrate, or a silicon-on-sapphire substrate.” | 对比文件直接公开了基板可以是玻璃基板、SOI基板、GaAs基板、硅基板、硅基蓝宝石基板。目标专利列举了多种可能的基板材料，其中包括了对比文件已明确公开的玻璃基板、SOI基板和蓝宝石上硅(SOS)基板。对于未被对比文件明确提到的其他材料（如石英、HRS、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠、塑料），由于对比文件已公开了使用玻璃这类低损耗介电材料作为基板，并且指出可以使用性质类似玻璃的材料如塑料（[0008]），本领域技术人员在选择基板材料时，能够根据电路性能需求（如低损耗、高绝缘性）从公知的材料库中合理选择这些等效或类似的材料。因此，该列举式的技术特征被对比文件部分公开，且其余部分可由本领域技术人员合理推断，故属于隐含公开。 |
| **L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>《直接公开》 | [0098] “Other materials that may be used to fill the vias include, for example, copper, solder... However, other conductive materials such as gold (Au), silver (Ag), aluminum, etc., may be used instead of copper (or in addition to copper).”<br>[0099] “The vias may be filled with plated copper...”<br>[0136] “Materials used to fill the interconnect vias 1010a may include, for example, copper, solder... However, other conductive materials such as gold, silver, aluminum, etc., may be used...” | 对比文件明确公开了通孔用导电材料填充，并列举了铜（copper）、金（gold）、银（silver）等金属材料。这完全覆盖了目标专利特征L中限定的金属类型。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。**<br>《直接公开》 | [0129] “...the oxide layer 1401 is formed of 350 Angstroms of silicon dioxide...”<br>[0131] “...the dielectric layer 1409 is an SiO2 layer...”<br>[0131] “...may be formed of other suitable dielectric materials, such as an oxide of hafnium, aluminum, or zirconium, aluminum nitride...”<br>[0133] “...the oxide layer 1413 is a silicon oxynitride layer...” | 对比文件在描述电容器电介质层和绝缘层时，明确公开了使用二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（silicon oxynitride）、氧化铝（aluminum oxide）和氮化铝（aluminum nitride）作为电介质材料。这直接落入目标专利特征M所列举的材料范围内。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。**<br>《未公开》 | 对比文件未提及在通孔内使用聚合物核。[0098]-[0099]、[0136] 描述的通孔填充物为金属（铜、金、银等）、焊料或环氧树脂，未提及金属结构与聚合物核的组合结构。 | 目标专利特征N限定了通孔内具有包含聚合物核的金属结构（如图3的304和302）。对比文件描述的通孔填充方式是全金属填充（如电镀铜）或使用导电浆料，并未公开在通孔中心设置聚合物核、外围为金属结构的方案。该特征在对比文件中既无文字记载，也无法从附图或描述中合理推断。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。**<br>《未公开》 | 对比文件中的电容器（如1425）形成在基板表面的介电层和金属层中，其与通孔（1010a）是平面内的电连接关系（通过金属层1421连接）。附图中未显示电容器的极板和电介质在垂直方向上位于通孔正上方并覆盖通孔表面的结构。 | 目标专利特征O限定了电容器与通孔在垂直方向上的堆叠关系，即电容器的部件垂直位于通孔表面之上。这是实现电容器直接集成在通孔上以减小电阻的关键位置关系。对比文件仅公开了电容器和通孔都位于同一基板上并通过横向导线连接，并未公开或暗示这种垂直堆叠的集成方式。本领域技术人员无法从对比文件中推断出该具体结构。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。**<br>《未公开》 | 对比文件未描述如此具体的空间位置关系。附图10A-10G等显示，电容器（如由1405a和1411构成）位于基板（1007）的顶面附近，而导电结构（如焊盘1015）位于基板底面。虽然存在垂直方向的通孔，但并未描述一条与底面正交的轴同时穿过电容器极板、电介质和底面导电结构。 | 该特征限定了电容器、通孔和底面导电结构三者严格的共轴对齐关系。对比文件没有记载或暗示需要将电容器制作得与底面的导电结构精确垂直对准。其公开的电容器和通孔连接更可能是一种通过平面布线实现的电连接，而非垂直堆叠并对准的结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。**<br>《未公开》 | 同特征O、P的分析，对比文件未公开电容器极板与通孔在垂直方向上的对准关系。通孔（1010a）垂直于基板表面延伸，但电容器的极板（1405a，1411）是平行于基板表面的平面结构，附图中未显示通孔的垂直投影轴与电容器极板区域相交。 | 该特征实质上是特征O所述垂直堆叠关系的另一种表述，强调了通孔轴与极板区域相交。如上所述，对比文件未公开这种垂直集成结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。**<br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对尺寸关系。 | 该特征限定了通孔与电容器极板的相对尺寸，是优化电容和电阻性能的具体设计选择。对比文件通篇未提及通孔表面与电容器部件表面的尺寸比较。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中推断出这一具体尺寸关系。因此，未公开。 |
| **S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。**<br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对尺寸关系。 | 同特征R，对比文件未公开该具体的尺寸关系。因此，未公开。 |
| **T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。**<br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对尺寸关系。 | 同特征R、S，对比文件未公开该具体的尺寸关系。因此，未公开。 |
| **U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。**<br>《未公开》 | 对比文件描述的电容器（如1425）通常为单一电介质层（1409）的MIM结构。未提及在通孔与电容器主电介质之间设置第二电介质层。 | 目标专利特征U涉及具有多层电介质的电容器结构（如图4的402和106）。对比文件公开的电容器是标准的单层电介质MIM电容器，没有公开或暗示使用额外的第二电介质层。因此，该技术特征未被公开。 |
| **V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。**<br>《未公开》 | 对比文件描述的通孔（如1010a）通常是贯穿基板（through-glass vias）的。未提及“部分地延伸穿过基板”（即盲孔）的通孔，也未提及多个通孔在基板内部结合的结构。 | 目标专利特征V限定了使用盲孔并在基板内部连接以形成电感器的特定复杂三维结构（如图6）。对比文件公开的通孔均为贯穿孔，且电感器由表面金属化图案或通孔与表面金属的组合形成，未公开这种在基板体内连接盲孔的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。**<br>《未公开》 | 同特征O、Q的分析。对比文件公开了通孔延伸穿过基板，但未公开电容器的极板和电介质垂直位于通孔之上的结构。 | 该特征综合了通孔贯穿基板以及电容器垂直堆叠于通孔之上两个要素。对比文件仅具备前者，不具备后者。因此，该技术特征未被公开。 |
### 总结
根据以上分析，对比文件WO2012040063A1直接公开了技术特征A、E、I、J、L、M；隐含公开了技术特征B、C、D、F、G、H、K；未公开技术特征N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W。
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