**本次调用模型名称：DeepSeek-R1**
**对比文件名称：** 2012-04-18_CN102422421A_发明公开_CN102422421A 磁性隧道结装置及制造
**目标专利名称：** 356用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模CN106104830B
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠** <br>**《直接公开》** | “硬掩模306可形成于磁性隧道结层304上方。举例来说，硬掩模306可由沉积于磁性隧道结层304上的材料形成。” (段落[0025]) | 对比文件公开了在MTJ层堆叠（即磁性隧道结层304，其包括固定层、势垒层、自由层等）上形成硬掩模306。该硬掩模用于图案化MTJ结构（见段落[0025]：“光致抗蚀剂308可形成于硬掩模306上方且经图案化以对图4中所示的磁性隧道结结构402进行图案化”），其作用与目标专利中位于第二电极层（或顶部电极）上、用于在蚀刻步骤中定义图案的“第一导电硬掩模”相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征A。 |
| **技术特征B：所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。对比文件在图案化MTJ结构后，沉积的是覆盖整个结构的“磁性隧道结密封层410”（段落[0027]），而非仅位于特定侧壁和表面的“间隔体”。 | 对比文件未公开“第一间隔体”。目标专利中的“第一间隔体”（如第一间隔体层510）是共形沉积后经选择性去除形成的，其核心作用之一是定义用于形成第二导电硬掩模的凹槽，并保护侧壁免受后续蚀刻影响。对比文件中的“磁性隧道结密封层410”是用于密封和保护整个已图案化的MTJ结构（段落[0027]），其形成方式、结构形态（覆盖整个顶部和侧壁）以及在制造流程中所起的作用（作为蚀刻停止层和密封层，见段落[0031]逻辑罩盖层602的密封作用）均与目标专利的“第一间隔体”不同。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该技术特征。 |
| **技术特征C：与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。对比文件在图案化MTJ结构并沉积密封层后，直接进行绝缘层平面化和顶部电极的形成（段落[0028]），未提及在已有硬掩模之上再形成一个与其侧壁对准的第二导电硬掩模。 | 对比文件未公开“第二导电硬掩模”。目标专利的“第二导电硬掩模”（如第二导电硬掩模518）是通过在第一间隔体侧壁定义的凹槽中填充导电材料形成的，用于执行后续的MTJ层蚀刻。这是目标专利实现“多步骤蚀刻”和“替代硬掩模”的核心构件。对比文件的工艺流程中不存在此类结构，其后续蚀刻掩模依赖于原始的硬掩模306或后续形成的顶部电极502（段落[0029]）进行图案化。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D：其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。 | 该特征描述了第二导电硬掩模的空间位置关系及其对MTJ层堆叠最终尺寸的定义作用。由于对比文件根本未公开“第二导电硬掩模”（特征C），因此与该第二硬掩模相关的交叠和对准关系自然也未被公开。 |
| **技术特征E：其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。 | 该特征是第二导电硬掩模与第一导电硬掩模之间电连接关系的进一步限定。由于“第二导电硬掩模”本身未被对比文件公开（特征C），其与第一硬掩模的电耦合关系也无从谈起。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。 | 该特征是对第二导电硬掩模材料的限定。由于“第二导电硬掩模”本身未被对比文件公开（特征C），其材料组成也未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。 | 该特征是对第一间隔体厚度的具体数值限定。由于“第一间隔体”本身未被对比文件公开（特征B），其厚度范围也未被公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。对比文件在密封层410上沉积的是第二绝缘层412（段落[0027]），其材料未明确，且作用是在平面化后打开MTJ顶部以形成顶部电极，与目标专利中用于定义凹槽的第一介电层作用不同。 | 该特征限定了位于第一间隔体上的第一介电层的材料。目标专利中该介电层（如第一介电层514）用于后续选择性去除第一间隔体第二部分以形成凹槽。对比文件中不存在与“第一间隔体”配套使用的“第一介电层”，其“第二绝缘层412”的沉积位置、功能和后续处理均与此不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。** <br>**《直接公开》** | “底部电极302可形成于底部罩盖层106上方及底部沟槽202中的铜上方。...磁性隧道结层304可形成于底部电极302上方。” (段落[0025]) | 对比文件明确公开了在MTJ层堆叠（磁性隧道结层304）下方形成有底部电极302，并且该底部电极与MTJ层堆叠直接接触，构成电耦合。这与目标专利中“电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层”完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征I。 |
| **技术特征J：其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。 | 该特征限定了覆盖在第一电极层和第二导电硬掩模上的第二间隔体。对比文件中既无“第二导电硬掩模”，也未公开在对应结构上沉积类似目标专利中“第二间隔体526”的层。其“磁性隧道结密封层410”和“逻辑罩盖层602”的功能和覆盖范围与此不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。 | 该特征进一步限定了第二间隔体的具体覆盖位置。由于“第二间隔体”、“第一间隔体”和“第二导电硬掩模”均未被对比文件公开，该覆盖关系自然也未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。** <br>**《未公开》** | 未发现对应内容。对比文件有“第三绝缘层604”形成在逻辑罩盖层602上（段落[0031]），但逻辑罩盖层602是覆盖整个区域的密封层，并非目标专利中位于特定间隔体上的介电层。 | 该特征限定了在第二间隔体上设置第二介电层。目标专利中该层（如第二介电层528）用于最终的平坦化和形成互连。对比文件中不存在“第二间隔体”，因此在其上的“第二介电层”也无从谈起。虽然对比文件有绝缘层，但其设置的基础（逻辑罩盖层）和在整个器件结构中的层级关系与目标专利不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。** <br>**《未公开》** | “可执行第二铜镶嵌工艺以在第三绝缘层604中打开顶部沟槽702及打开通往经图案化的顶部电极502的顶部通孔704...在顶部沟槽702中及在顶部通孔704及逻辑通孔706中的所述至少一者中镀铜...” (段落[0032]) | 该特征描述了通向第二导电硬掩模的导电互连结构。对比文件公开了通往“顶部电极502”的“顶部通孔704”和导电沟槽（段落[0032]）。然而，目标专利的互连是通向“第二导电硬掩模”，而对比文件的互连是通向“顶部电极”。这是两个不同的结构元件和电连接节点。由于对比文件未公开“第二导电硬掩模”，因此也不可能公开通向它的互连。该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。** <br>**《直接公开》** | “...电子装置1362及1364中的一者或一者以上可为例如移动电话等远程单元、手持式个人通信系统(PCS)单元、例如个人数据助理等便携式数据单元、具备全球定位系统(GPS)功能的装置、导航装置、例如仪表读取设备等固定位置数据单元，或存储或检索数据或计算机指令的任何其它装置，或其任何组合。” (段落[0058]) | 对比文件在具体实施方式部分明确列举了其MTJ装置可被集成入的电子设备，包括移动电话、PCS单元、便携式数据单元、导航设备、固定位置数据单元等，这与目标专利权利要求中列举的设备类型高度重叠。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了将MTJ装置集成到所述各类电子设备中的技术特征。 |
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