对比文件名称：2012-12-25_US8338869B_发明授权_US08338869B2 Sidewall coating for non-uniform spin momentum-transfer magnetic tunnel junction current flow
目标专利名称：用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模CN106104830B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠 | [0016] “A conductive hard mask layer 118 is deposited atop the barrier layer 116 to provide an etch mask for MTJ device definition, and to provide a conductive layer to bridge between the MTJ and the wiring layer to be defined above the MTJ.”<br>图1示出了在低电导率层116（位于自由层112上）上方的导电硬掩模层118。 | 目标专利中的“第二电极层”在说明书中对应于顶部电极层508。对比文件中的“barrier layer 116”位于自由层（MTJ堆叠的一部分）之上，其功能是为硬掩模提供低电导率基底，在MTJ堆叠顶部起到类似电极层的作用。导电硬掩模层118沉积在barrier layer 116之上，这与目标专利中第一导电硬掩模512在第二电极层508（MTJ堆叠顶部）上的位置和功能（作为蚀刻掩模和导电层）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了在MTJ堆叠顶部的电极层（barrier layer 116）上设置有导电硬掩模（118）的技术方案。 |
| **技术特征B《隐含公开》**<br>所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体 | [0018] “Once the etching process discussed above has been completed, a spacer film 220 is deposited over the structure with substantial coverage of the vertical sidewalls of the structure. After the spacer 220 has been deposited, a directional (anisotropic) etch is used to remove material on horizontal surfaces, thus leaving behind spacer material only on the sidewalls as shown in FIG. 2.”<br>图2示出了间隔体材料220仅保留在蚀刻后结构的侧壁上，该结构包括硬掩模118和由低电导率层116等形成的“stud”。 | 目标专利中的“第一间隔体”用于保护第一导电硬掩模和第二电极层的侧壁。对比文件描述了在蚀刻硬掩模118和低电导率层116（蚀刻停止在自由层112）之后，沉积间隔体材料220并随后进行各向异性蚀刻，仅在侧壁上留下间隔体材料。如图2所示，该间隔体材料覆盖了硬掩模118的侧壁、其下方柱状结构（包含barrier layer 116，其功能类似于电极层）的侧壁，以及暴露的MTJ堆叠（自由层112）的表面。虽然对比文件未明确使用“第二电极层”的术语，但其描述的“stud”结构包含了位于MTJ堆叠顶部的功能层（barrier layer 116）。本领域技术人员从图2和描述中可以合理推断，间隔体材料220覆盖了硬掩模、其下方功能层（相当于第二电极层）的侧壁以及MTJ堆叠的表面，这与目标专利第一间隔体的位置和作用（侧壁保护）实质相同。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上 | 未发现相关描述。 | 目标专利的核心创新点在于通过选择性去除第一间隔体层的水平部分形成凹槽，并用导电材料填充该凹槽，从而形成与第一间隔体侧壁对准的第二导电硬掩模（518）。对比文件完全没有描述或暗示任何在已有的第一间隔体（220）侧壁上形成另一个“导电硬掩模”的工艺或结构。对比文件中的间隔体220材料本身可以是导电的（如高电导率材料或铁磁材料），但其形成方式是沉积后各向异性蚀刻，保留在侧壁，而不是通过填充预先形成的、与间隔体侧壁对准的凹槽来形成一个新的、覆盖在原有硬掩模和间隔体之上的导电硬掩模。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| **技术特征D《未公开》**<br>其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准 | 未发现相关描述。 | 该特征描述了第二导电硬掩模与下方结构（第一硬掩模、第二电极层）的交叠关系，以及MTJ堆叠的蚀刻由第二硬掩模定义。这完全依赖于技术特征C所描述的第二导电硬掩模的存在。由于对比文件未公开第二导电硬掩模，因此自然也未能公开该硬掩模与其他结构的交叠关系以及由其定义MTJ堆叠横向尺寸的技术方案。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模 | 未发现相关描述。 | 该特征描述了第二导电硬掩模与第一导电硬掩模之间的电连接关系。由于对比文件未公开第二导电硬掩模，因此该电耦合关系也无从谈起。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料 | [0022] “One example of a protective spacer 322 material is tantalum...” | 对比文件确实提到了钽（tantalum）可以作为保护间隔体（protective spacer）322的材料。然而，该保护间隔体322是用于保护功能性间隔体220的额外侧壁层（参见[0021]），其目的和位置与目标专利中作为主要蚀刻掩模并覆盖在第一硬掩模和第一间隔体之上的“第二导电硬掩模”完全不同。对比文件并未将钽、铪或铂描述为用于填充凹槽形成第二导电硬掩模的材料。因此，该材料特征未被公开。 |
| **技术特征G《未公开》**<br>其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间 | 未发现相关描述。 | 对比文件描述了沉积间隔体薄膜220，但未给出其厚度的具体数值范围，如10-50纳米。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定厚度范围。 |
| **技术特征H《未公开》**<br>其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料 | [0018] 描述了间隔体材料（spacer film 220）的沉积，但未提及在间隔体上沉积并平坦化的“第一介电层”。<br>[0021] 提到了“additional spacer 322 can be deposited for masking purposes”，但这是用于后续堆叠蚀刻的保护层，并非目标专利中用于平坦化并形成凹槽的第一介电层（514）。 | 目标专利中，在形成第一间隔体层（510）后，会沉积第一介电层（514，如SiOx）并进行平坦化，随后选择性去除第一间隔体层的水平部分以在介电层中形成凹槽。对比文件完全没有描述这样的工艺步骤或结构。其间隔体220形成后，直接进行各向异性蚀刻或进行后续堆叠蚀刻，没有涉及在间隔体上沉积另一种介电材料（如SiOx）并进行平坦化的步骤。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I《直接公开》**<br>其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层 | [0014] “FIG. 1 shows an underlying patterned wiring layer 102, on which a seed layer 104 is deposited.”<br>[0015] “The underlying patterned wiring layer 102 provides contact to the bottoms of the devices.” | 目标专利中的“第一电极层”（504）对应于底部电极。对比文件图1明确示出了图案化的布线层102（patterned wiring layer 102），其位于MTJ堆叠（包括种子层104、AF层106、参考层108、隧穿阻挡层110、自由层112等）之下，并为器件底部提供电接触（[0015]）。因此，对比文件中的图案化布线层102相当于目标专利中电耦合至MTJ堆叠底部的第一电极层。本领域技术人员能够毫无疑义地得出此对应关系。 |
| **技术特征J《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体 | [0021] “Alternatively, an additional spacer 322 can be deposited for masking purposes...” | 对比文件确实提到了可以沉积额外的间隔体322用于掩蔽目的。然而，目标专利中的“第二间隔体”（526）是在第二蚀刻步骤（蚀刻磁性层506）之后，共形沉积在第二导电硬掩模518、第一间隔体510的剩余部分以及磁性层506和第一电极层504上（参见图5I和说明书[0053]）。其作用是保护下方层免受重新沉积等影响。对比文件中的额外间隔体322是在完整的堆叠蚀刻（isolates the devices as shown in FIG. 3）之前或期间沉积的，用于保护功能性间隔体220（参见[0021]），其工艺顺序、作用对象（对比文件没有第二导电硬掩模）和具体功能与目标专利的第二间隔体不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体 | 未发现相关描述。 | 该特征详细限定了第二间隔体所覆盖的具体表面位置，包括第二导电硬掩模的侧壁。由于对比文件未公开第二导电硬掩模，因此也不可能公开覆盖其侧壁的第二间隔体。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层 | 未发现相关描述。 | 目标专利中，在第二间隔体（526）上沉积第二介电层（528，如SiOx）并进行平坦化，最后形成导电互连（530）（参见图5J和说明书[0054]）。对比文件的说明书中完全没有描述在间隔体（无论是220还是322）上沉积另一层介电层并进行平坦化的工艺步骤。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连 | 未发现相关描述。 | 该特征描述了通过第二间隔体和第二介电层连接到第二导电硬掩模的导电互连。这完全依赖于目标专利所特有的、在第二蚀刻步骤后形成的多层结构（第二导电硬掩模、第二间隔体、第二介电层）。对比文件中没有相应的结构或工艺描述。 |
| **技术特征N《隐含公开》**<br>其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中 | [0029] “The resulting integrated circuit chips can be distributed ... In any case, the chip is then integrated with other chips, discrete circuit elements, and/or other signal processing devices as part of either (a) an intermediate product, such as a motherboard, or (b) an end product. The end product can be any product that includes integrated circuit chips, ranging from toys and other low-end applications to advanced computer products having a display, a keyboard, or other input device, and a central processor.” | 目标专利要求保护将MTJ装置集成到一系列电子设备中。对比文件明确指出，包含所描述MTJ器件的集成电路芯片可以集成到各种最终产品中，包括从玩具到具有显示器、键盘或中央处理器的高级计算机产品。虽然对比文件列举的“高级计算机产品”与目标专利列举的具体设备名称（如移动电话、导航设备等）不完全相同，但本领域技术人员公知，MRAM/MTJ器件作为存储器元件，可以应用于包括移动通信设备、计算机、便携式电子设备在内的广泛领域。因此，从对比文件公开的集成电路芯片可用于“任何包含集成电路芯片的产品”这一宽泛教导出发，本领域技术人员能够合理推断出该芯片（包含MTJ器件）可以被集成到目标专利所列举的各类电子设备中。因此，该应用领域特征被隐含公开。 |
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