对比文件名称：US20050156215A1 METHOD OF MAKING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE
目标专利名称：CN106104830B 用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模
本次调用的模型名称：未提供
### 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠《未公开》 | 对比文件描述了第一掩模层（first mask layer）25p，例如光刻胶，用于图案化MTJ堆叠（参见图7a-8a及相应描述）。未提及该掩模层为“导电硬掩模”。 | 目标专利的“第一导电硬掩模”用于后续蚀刻步骤中的掩蔽，且是导电的。对比文件中使用的第一掩模层25p是光刻胶材料，其作用仅为图案化定义，通常不具导电性，且未描述其作为“硬掩模”或“导电”层。本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出该技术特征。 |
| B：所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体《未公开》 | 对比文件公开了在离散MTJ堆叠（discrete magnetic tunnel junction stack 20）上形成间隔体（spacer）43（参见图8b-9及相应描述，段落[0043]-[0045]）。间隔体43覆盖数据层13、隧道阻挡层15和参考层17的侧壁。 | 目标专利的“第一间隔体”位于第一导电硬掩模、第二电极层及MTJ堆叠的表面上。对比文件的间隔体43是形成在已图案化的整个MTJ堆叠（包括数据层、隧道阻挡层、参考层）侧壁上的单一绝缘间隔体，用于防止短路。由于对比文件未公开“第一导电硬掩模”和“第二电极层”，因此间隔体43所邻接的结构和作用环境与目标专利不同。本领域技术人员不能直接或通过合理推断得出目标专利的该特定结构。 |
| C：与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，《未公开》 | 对比文件公开了形成自对准通孔（self-aligned via）33，并用第一导电材料11a填充形成通孔（via）11（参见图10d-12及相应描述，段落[0048]-[0050]）。通孔11与间隔体43的侧壁接触。 | 目标专利的“第二导电硬掩模”用于后续蚀刻步骤（如第二蚀刻步骤）以图案化磁性层，是位于第一导电硬掩模和第一间隔体之上的附加掩模层。对比文件中的通孔11是用于形成顶部导体23与MTJ堆叠顶部之间的电连接的互连结构，其作用是提供电学连接，而非作为蚀刻工艺中的掩模。两者功能和作用不同。 |
| D：其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。《未公开》 | 对比文件中，通孔11与MTJ堆叠的顶部（top portion 30t）接触（图11-12）。MTJ堆叠的横向尺寸由第一掩模层25p定义（图7a-8a），而通孔11的横向尺寸由自对准通孔33定义（图10d）。 | 目标专利描述了第二导电硬掩模与第一导电硬掩模及第二电极层交叠，且MTJ层堆叠（特别是磁性层）的横向尺寸由第二导电硬掩模定义并与之对准。对比文件中，MTJ堆叠的横向尺寸与通孔11的横向尺寸没有必然的对准关系，实际上，对比文件重点描述了通孔可能未对准的情况（图15a-15b）。目标专利的特征涉及特定的多步骤蚀刻工艺中掩模的布局和功能，对比文件未公开此结构关系。 |
| E：其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 由于对比文件未公开“第一导电硬掩模”和作为掩模功能的“第二导电硬掩模”，因此自然也谈不上两者之间的电耦合关系。 |
| F：其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。《未公开》 | 对比文件公开了第一导电材料11a可以是铝、铝合金、钨、钨合金、铜或铜合金（段落[0049]）。 | 目标专利明确限定了第二导电硬掩模的材料选自钽、铪和铂。对比文件公开的通孔材料是铝、钨、铜等常见互连金属，属于不同的材料组。本领域技术人员不能从对比文件得出或推断出使用钽、铪或铂作为第二导电硬掩模材料。 |
| G：其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。《未公开》 | 未发现关于间隔体43具体厚度范围的描述。 | 对比文件虽然公开了间隔体43，但未记载其厚度为10-50纳米。该数值范围是目标专利的特定限定，对比文件未公开。 |
| H：其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。《未公开》 | 对比文件公开了在间隔体43上形成介电层31，材料可以是二氧化硅或氮化硅（段落[0046]）。 | 目标专利明确限定第一介电层为SiNx材料，用于后续选择性去除第一间隔体（如SiNx）以形成凹槽。对比文件虽然提及氮化硅（Si3N4）作为介电层材料的一种可能选择，但其作用是为通孔33提供绝缘环境，并未公开其用于与特定间隔体材料配合进行选择性蚀刻以形成用于第二导电硬掩模的凹槽的特定工艺目的。因此，对比文件未直接或隐含公开该特定材料限定及其在目标专利上下文中的作用。 |
| I：其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。《直接公开》 | 对比文件公开了底部导体（bottom conductor）21（段落[0036], 图6），其作为底部电极层，电耦合至参考层（reference layer）17（段落[0054], 图14）。 | 对比文件明确描述了底部导体21，它作为底部电极（第一电极层），与MTJ堆叠（包括参考层17）电耦合。该特征在对比文件中的作用是作为MTJ器件的底部电极/导线，与目标专利中“电耦合至MTJ层堆叠的第一电极层”的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| J：其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件仅公开了一个间隔体43，没有公开在已形成的结构（相当于第一电极层和第二导电硬掩模）上再沉积第二间隔体层。 |
| K：其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 理由同特征J。对比文件未公开覆盖MTJ堆叠侧壁、第一间隔体侧壁和第二导电硬掩模侧壁的第二间隔体结构。 |
| L：其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。《未公开》 | 对比文件公开了在间隔体43和MTJ堆叠上形成介电层31（图10a，段落[0046]）。 | 目标专利的“第二介电层”沉积在“第二间隔体”上，是工艺流程中较后的步骤。对比文件的介电层31是沉积在间隔体43（相当于第一间隔体）和MTJ堆叠上的单一介电层，用于形成通孔并实现平坦化，其作用和出现阶段与目标专利的“第二介电层”不同。虽然都有介电层，但两者在整体结构中的位置、作用和工艺步骤不同，不能视为公开了该特征。 |
| M：其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。《未公开》 | 对比文件公开了顶部导体（top conductor）23通过通孔（via）11电耦合至数据层（data layer）13（图13-14，段落[0052]-[0054]）。 | 目标专利的导电互连是延伸通过第二间隔体和第二介电层并电耦合至第二导电硬掩模。对比文件的顶部导体23通过通孔11连接至MTJ堆叠的顶部（数据层13），其连接对象和通过的结构（未提及第二间隔体）均不同。因此，该特征未被公开。 |
| N：其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。《未公开》 | 未发现相关内容。 | 对比文件未提及将所制造的MTJ器件集成到任何具体的终端设备或应用中。该特征是目标专利的权利要求中的用途限定，对比文件未公开。 |
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