**对比文件名称**：2013-02-07_US2013034917A_发明申请_US20130034917A1 METHOD FOR FABRICATING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE
**目标专利名称**：用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模 CN106104830B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠《直接公开》 | [0021] "A conductive layer 23 for a top electrode is formed over the layer 22... layers 24, 25, and 26 for a hard mask are formed on the conductive layer 23. The respective layers 24, 25, and 26 for a hard mask may use a tantalum layer, a USG layer, and a carbon layer." (段落[0021])<br>[0023] "...hard mask patterns 24a and 25a are formed." (段落[0023])<br>[0025] "...a top electrode 23a and an MTJ element 22a are formed." (段落[0025]) | 对比文件公开了在MTJ层（22）上形成顶部电极层（23a），并在该顶部电极层（23a）上形成了硬掩模图案（24a, 25a）。其中，硬掩模层包含钽（Ta）层，属于导电硬掩模。该硬掩模的作用是作为蚀刻掩模来图案化下方的MTJ层和电极层，这与目标专利中第一导电硬掩模位于第二电极层（顶部电极）上并用于图案化的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件直接公开了该特征。 |
| **技术特征B**：所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体《未公开》 | [0026] "a carbon coating layer 28 is formed to cover the MTJ element 22a." (段落[0026])<br>[0027] "...it may be uniformly deposited on the sidewall of a pattern structure..." (段落[0027])<br>[0028] "a carbon spacer 28a is formed for protecting the MTJ element 22a." (段落[0028]) | 对比文件公开了在蚀刻形成MTJ图案（22a）和顶部电极（23a）后，形成碳涂层（28）并加工成碳间隔体（28a），其覆盖MTJ图案和顶部电极图案的侧壁。然而，目标专利中的“第一间隔体”是共形沉积后选择性去除其顶部水平部分形成的，其覆盖第一导电硬掩模的侧壁、第二电极层的侧壁**以及** MTJ层堆叠的**表面**。对比文件中的碳间隔体（28a）是在蚀刻后形成的侧壁保护层，并未描述其也覆盖MTJ层堆叠的顶面（该顶面已被硬掩模覆盖），其形成方式和结构位置与目标专利不同。因此，对比文件未直接或隐含公开该特定结构的第一间隔体。 |
| **技术特征C**：与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，《未公开》 | 未找到相关描述。 | 对比文件全文未提及在第一个硬掩模（24a, 25a）和间隔体（28a）之上再形成第二个“导电硬掩模”。其碳间隔体（28a）本身是作为蚀刻底部电极的掩模，但该间隔体是碳材料，其作用是作为蚀刻阻挡层和保护层，而非目标专利中所述的“导电硬掩模”。目标专利的第二导电硬掩模是用于后续蚀刻MTJ磁性层的导电掩模层，并位于第一间隔体之上。两者在结构、材料（导电 vs. 非导电碳）和作用上均不相同。因此，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征D**：其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。《未公开》 | [0029] "...the conductive layer 21 for a bottom electrode... is etched by using the carbon spacer 28a as an etch barrier." (段落[0029]) | 对比文件中的碳间隔体（28a）用于蚀刻底部电极（21），其横向尺寸定义了底部电极的图案。然而，目标专利中的“第二导电硬掩模”是与第一间隔体侧壁对准、并与第一导电硬掩模和第二电极层交叠的结构，其作用是定义**MTJ层堆叠**的横向尺寸。对比文件没有与第一导电硬掩模交叠的第二导电硬掩模结构，其MTJ层堆叠（22a）的横向尺寸是由第一硬掩模（24a, 25a）定义的，而非由碳间隔体（28a）定义。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。《未公开》 | 未找到相关描述。 | 由于对比文件根本未公开“第二导电硬掩模”这一结构，因此更不可能公开其与第一导电硬掩模之间的电耦合关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。《未公开》 | [0021] "...layers 24, 25, and 26 for a hard mask... may use a tantalum layer..." (段落[0021]) | 对比文件公开了第一硬掩模中包含钽（Ta）层。然而，其并未公开由钽、铪或铂构成的“第二导电硬掩模”。目标专利中第二导电硬掩模的材料选择是基于其作为后续蚀刻掩模的功能。对比文件中的碳间隔体（28a）材料为碳，与目标专利所述材料完全不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。《未公开》 | 未找到相关描述。 | 对比文件虽然描述了形成碳间隔体（28a），但并未给出其厚度的具体数值范围（例如10-50纳米）。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或必然推断出该间隔体厚度必定在此范围内。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。《未公开》 | 未找到相关描述。 | 对比文件完全没有描述在间隔体（碳间隔体28a）上沉积介电层（如SiNx）并进行平坦化的工艺步骤。其工艺路径与目标专利中通过沉积和去除介电层来形成凹槽的方法截然不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。《直接公开》 | [0021] "a conductive layer 21 for a bottom electrode is formed on a substrate 20, and a layer for an MTJ element is formed on the conductive layer 21." (段落[0021])<br>[0029] "...the conductive layer 21 for a bottom electrode... is etched... to form a bottom electrode 11a (参见图2F-2H)." | 对比文件明确公开了在基板（20）上形成用于底部电极的导电层（21），MTJ层（22）形成于其上。经过蚀刻后，最终形成底部电极（11a/21a）。该底部电极层位于MTJ层堆叠之下并与之电耦合。这与目标专利中“电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层”的结构和作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。《未公开》 | [0032] "...a capping layer 29 is formed over the MTJ element 22a." (段落[0032]) | 对比文件在蚀刻和清洁步骤后，形成了一个覆盖层（capping layer 29）覆盖在MTJ元件上。然而，该覆盖层是作为最终的钝化或封装层，其覆盖整个结构（包括MTJ和电极），并非目标专利中所述的位于“第一电极层和第二导电硬掩模上”的“第二间隔体”。目标专利的第二间隔体是共形沉积在蚀刻后结构的侧壁和顶部，用于保护暴露的MTJ层。两者的结构、位置和形成阶段均不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。《未公开》 | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开“第二导电硬掩模”，因此也不可能存在覆盖其侧壁的第二间隔体。虽然对比文件有覆盖层（29），但其并非以共形方式覆盖在特定间隔体和硬掩模侧壁上的“第二间隔体”结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。《未公开》 | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开目标专利中定义的“第二间隔体”，因此更不可能公开在该间隔体上沉积第二介电层的步骤。对比文件的覆盖层（29）可能就是介电材料，但其并非沉积在“第二间隔体”之上。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。《未公开》 | 未找到相关描述。 | 对比文件未公开“第二导电硬掩模”、“第二间隔体”及“第二介电层”的组合结构，因此也不可能公开延伸通过它们并电耦合至第二导电硬掩模的导电互连。该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。《隐含公开》 | [0001] "Exemplary embodiments of the present invention relate to a device used in an integrated circuit, and more particularly, to a magnetic tunnel junction device." (段落[0001])<br>[0006] "A magnetoresistive memory device..." (段落[0006]) | 对比文件明确其发明涉及用于集成电路的磁性隧道结（MTJ）器件，并描述了磁阻存储器设备。本领域技术人员公知，此类MTJ存储器器件（如MRAM、STT-MRAM）是用于制造各种电子设备（如计算机、移动电话等）中的存储芯片的核心元件。因此，虽然对比文件未明确列出所有具体设备类型，但本领域技术人员基于其作为存储器件的一般用途，能够合理推断出所制造的MTJ装置最终可能被集成到目标专利所列的各类电子设备中。因此，该特征被隐含公开。 |
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