**对比文件名称**：1999-11-04_DE19919140A_发明专利_DE19919140A1 Low voltage differential signal driver with pre-amplifier circuit
**目标专利名称**：365带有内置去加重的高速预驱动器和电压电平转换器CN103947114B
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：串行化器<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 对比文件描述的是一个低压差分信号（LVDS）驱动器电路，其输入信号为“Eingangssignal IN”（输入信号IN）。全文未提及“串行化器”（Serializer）或其功能模块。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该电路包含或接收来自串行化器的信号。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征B**：被耦合以从所述串行化器接收差分输入的预驱动器<br>**未被公开** | 说明书第2页第19-21行：“Die Vorverstärkerschaltung eines LVDS-Leitungstreibers gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfaßt eine Stromerzeugerschaltung (Source) und eine Stromverbraucherschaltung (Sink).” | 对比文件公开了包含“Voranhebungs- oder Vorverstärkerschaltung (pre-emphasis circuit)”的LVDS驱动器（见说明书第2页第11行）。该预放大器电路（Voverstärkerschaltung）接收输入信号IN（单端），并通过反相器IV1产生互补控制信号来控制主驱动桥（M21-M24）。然而，目标专利的“预驱动器”是特指用于接收来自**串行化器**的**差分输入**（in0/1p, in0/1n）并进行电平转换和去加重的电路。对比文件的预放大器电路功能是产生预加重脉冲以提高切换速度，其输入是单端信号IN，并非来自串行化器的特定差分信号。两者在输入信号来源、形式及核心功能上均不同。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员也无法从对比文件中间接推理出此特定耦合关系，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中所述预驱动器包括：全p型金属氧化物硅(PMOS)交叉耦合电平转换器，其包括四个PMOS晶体管以从所述串行化器接收差分输入并提供预驱动器输出<br>**未被公开** | 说明书第2页第29-34行，图2：“Die Stromlenkschaltung 201 hat eine modifizierte H-Brückenschaltungskonfiguration. ... Jedes der vertikalen Segmente V1, V2, V3 und V4 enthält jeweils einen NMOS-Schalter M21, M22, M23 bzw. M24.” | 对比文件的核心驱动级（Stromlenkschaltung 201）是一个由四个NMOS晶体管（M21-M24）构成的改进型H桥电路。其预放大器电路中的晶体管M27是PMOS，但M27的作用是在信号跳变期间提供额外的上拉电流（预加重），它并非构成一个用于接收差分输入并进行电平转换的“全PMOS交叉耦合电平转换器”。目标专利的“全PMOS交叉耦合电平转换器”是由四个PMOS晶体管构成的特定结构，用于从串行化器接收差分输入并实现从第一功率域到第二功率域的电压电平转换。对比文件未公开此特定结构。因此，该特征未被直接公开。基于对比文件公开的NMOS H桥和用于预加重的单个PMOS，本领域技术人员无法合理推断出目标专利中用于电平转换的全PMOS交叉耦合结构，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：形成分别耦合到所述交叉耦合电平转换器的输出的去加重抽头的两个去加重PMOS晶体管<br>**未被公开** | 说明书第2页第44-47行，图2：“Die Vorverstärkerschaltung umfaßt Transistoren M25-M28, Inverter IV2-IV5 und ein Exklusiv-NICHT-ODER-Gatter XNOR.” | 对比文件的预放大器电路包含晶体管M25-M28。其中M27是PMOS，M25是NMOS，它们的作用是在信号跳变期间（由XNOR门和延迟电路控制）分别提供额外的上拉和下拉电流，以实现“预加重”（Voranhebung, pre-emphasis）功能，目的是提高信号边沿速度。目标专利的“两个去加重PMOS晶体管”是“形成去加重抽头”，其功能是“去加重”（de-emphasis），即在信号跳变后减弱信号，以补偿高频损耗。两者功能（预加重 vs 去加重）相反，电路结构（一个PMOS加一个NMOS vs 两个PMOS）和耦合方式（由逻辑电路控制脉冲式开启 vs 与电平转换器并联持续作用）也不同。因此，该特征未被直接公开。由于功能原理相反，本领域技术人员无法从对比文件的预加重电路推理出去加重抽头结构，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其中所述两个去加重PMOS晶体管与所述交叉耦合电平转换器并联耦合<br>**未被公开** | 基于特征C和D未被公开，此特征无对应基础。 | 由于对比文件既未公开“全PMOS交叉耦合电平转换器”（特征C），也未公开“两个去加重PMOS晶体管”（特征D），因此更不存在这两者之间的“并联耦合”关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：耦合到预驱动器输出并被配置成从所述预驱动器接收差分输入的驱动器。<br>**直接公开** | 说明书第2页第29-34行，图2：“Die Stromlenkschaltung 201 hat eine modifizierte H-Brückenschaltungskonfiguration. Ein Lastabschnitt LO erstreckt sich horizontal und enthält die ohm'sche Last RL. Dieser Lastabschnitt LO ist zwischen Endknoten 203 und 205 angeschlossen.” | 对比文件中的“Stromlenkschaltung 201”（电流导引电路201）即为主驱动器级，其输出节点203和205连接外部负载电阻RL，输出差分信号OUT+和OUT-。该驱动器接收来自前级（包括预放大器电路产生的控制信号）的输入，并驱动负载。这与目标专利中“驱动器”的功能（接收预驱动器输出并驱动后续线路）相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，来自所述串行化器的所述差分输入的每一输入线耦合到所述交叉耦合电平转换器的相应互补输入。<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 此特征限定了串行化器的差分输入与全PMOS交叉耦合电平转换器输入之间的特定连接关系。如前述，对比文件既未公开“串行化器”（特征A），也未公开“全PMOS交叉耦合电平转换器”（特征C）。其驱动级（M21-M24）的输入是单端信号IN及其反相信号。因此，该特征未被直接公开。由于缺乏相关结构基础，也无法被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，来自所述串行化器的所述差分输入的每一输入线耦合到所述去加重PMOS晶体管中的相应一个去加重PMOS晶体管的输入。<br>**未被公开** | 说明书第2页第44-49行，图2：“Das Eingangssignal IN wird an zwei Eingängen A, B des XNOR-Gatters angelegt. ... Das XNOR-Gatter erzeugt somit einen positiven Impuls bei jedem Übergang des Eingangssignals IN ... In den Fig. 2 und 3 erkennt man, daß dann, wenn das Ausgangssignal IXNOR hoch ist, beide Transistoren M25 und M27 einschalten.” | 对比文件中预加重晶体管M25和M27的栅极输入均来自XNOR逻辑门（IXNOR）的输出，而非直接来自原始的差分输入信号。目标专利的去加重PMOS晶体管是直接耦合到来自串行化器的差分输入线。两者输入信号的来源和路径完全不同。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员无法从对比文件的逻辑控制预加重电路推理出目标专利的直接耦合去加重结构，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，进一步包括：耦合在所述交叉耦合电平转换器与接地之间的尾电流控制晶体管<br>**未被公开** | 说明书第2页第20-22行，图2：“Ein Widerstand R21, der zwischen dem gemeinsamen Knoten COM und der Spannungsversorgung VSS angeschlossen ist.” | 对比文件在驱动级（H桥）的共模节点COM与地VSS之间连接的是一个电阻R21（见公式(1)中用于建立低输出电压VOL），其作用是设置输出共模电平。目标专利的“尾电流控制晶体管”是一个晶体管（如图4中的430），用于控制流过交叉耦合电平转换器的尾电流大小，从而设置输出信号的峰值和交点。两者在元件类型（电阻 vs 晶体管）和所起的作用（设置静态输出电平 vs 动态控制尾电流）上均不相同。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员无法从固定电阻R21推理出可控的尾电流晶体管，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：被耦合以控制所述尾电流控制晶体管的第一电流镜。<br>**未被公开** | 说明书第2页第56-60行，图2：“Die Strombezugsschaltung 207 umfaßt Transistoren M29-M39 und einen Widerstand R22 ... Der Vormagnetisierungsstrom IBIAS wird von dem Widerstand R22 abgeleitet ... Insbesondere sind die Gates der beiden Transistoren M29, M30 miteinander verbunden ...” | 对比文件中的“Strombezugsschaltung 207”（电流参考电路207）包含由M29和M30构成的电流镜，用于产生偏置电流IBIAS和IOBIAS，以控制预加重支路中的晶体管M26和M28（保持其开启）。此电流镜的作用是为预加重电路提供稳定的偏置，而非控制一个连接在电平转换器与地之间的尾电流控制晶体管（特征I）。目标专利的第一电流镜（如图4中的420）是用于控制尾电流晶体管（430）。两者控制的对象和目的不同。因此，该特征未被直接公开。由于控制对象和电路结构不同，也无法合理推断，故未被隐含公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，进一步包括：第二电流镜，所述第二电流镜被耦合以由所述第一电流镜控制，并且用以向所述两个去加重PMOS晶体管提供电流。<br>**未被公开** | 说明书第2页第60-62行，图2：“Der Transistor M31 in Diodenschaltung verbindet den Drain des Transistors M30 mit dem Gate des Transistors M28. Auf diese Weise wird der Vormagnetisierungsstrom IBIAS an den Transistor M26 angelegt, und der Ausgangsstrom IOBIAS wird an den Transistor M28 angelegt...” | 对比文件中，由M29-M30构成的第一级电流镜产生的IOBIAS通过二极管连接的M31镜像到M28的栅极，从而为M28（预加重PMOS）提供偏置。这里只有一级电流镜（M29-M30）及其产生的偏置路径（通过M31），并未公开一个独立的“第二电流镜”由“第一电流镜”控制的结构。目标专利中明确有两个电流镜（第一电流镜420和第二电流镜435），且第二电流镜由第一电流镜控制并为两个去加重PMOS晶体管提供电流。对比文件的结构与此不同。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员无法从对比文件的单级电流镜偏置结构推理出目标专利的两级电流镜控制结构，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述串行化器由第一功率域供电，并且所述交叉耦合电平转换器由第二功率域供电。<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 对比文件全文只提到了电源VDD和VSS，没有提及任何关于“第一功率域”、“第二功率域”或不同电路模块由不同电压域供电的内容。目标专利该特征旨在解决跨电压域的电平转换问题。对比文件未涉及此概念。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述集成电路与HDMI v1.4兼容设备、移动设备、机顶盒、电视、计算机、计算机视频卡、游戏控制台、DVD播放器、卫星接收机、监视器、显示器头戴式送受话器、视频中继器、摄像机、家庭影院接收机和视频切换设备中的至少一者集成。<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 对比文件描述的是一个通用的“Low voltage differential signal driver”（低压差分信号驱动器），其背景提及用于高速数据传输（如100 Base-T， RS-422， LVDS标准），但并未具体公开或暗示其与目标专利所列举的HDMI v1.4或任何特定的视频/音频设备（如电视、DVD播放器等）集成。因此，该特征未被直接公开。本领域技术人员也无法从对比文件公开的通用驱动器毫无疑义地得出其必然用于这些特定设备，故也未被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述串行化器、所述预驱动器和所述驱动器中的至少一者集成在至少一个半导体管芯上。<br>**未被公开** | 未找到相关内容。 | 对比文件是一份电路专利，通常默认可被集成制造，但其说明书文字部分并未明确提及“半导体管芯”（semiconductor die）或类似的集成化表述。目标专利该特征是一个明确的集成化限定。虽然本领域技术人员可以理解对比文件的电路可采用集成电路工艺制造，但根据严格的“毫无疑义”直接公开标准，对比文件文本本身并未记载此特征。因此，该特征未被**直接**公开。然而，考虑到集成电路领域的公知常识，本领域技术人员阅读对比文件后，完全有可能且合理推断该驱动器电路可以被制造在半导体管芯上。根据“隐含公开判断标准非常宽松”的指示，可以认为该特征被**隐含公开**。 |
### 结论
根据以上分析，对比文件仅直接公开了技术特征F（驱动器）。技术特征N可被认为被隐含公开。其余技术特征（A、B、C、D、E、G、H、I、J、K、L、M）既未被直接公开，也未被隐含公开。
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