对比文件名称：2007-12-06_JP2007317948A_发明专利_JP2007317948A Nonvolatile memory
目标专利名称：制造磁性随机存取存储器的系统和方法 CN102484111B
模型名称：DeepSeek
作为资深专利代理师，我已根据目标专利权利要求的技术特征划分，结合说明书对特征的解释，对对比文件进行了详细比对。特征比对表格如下：
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译为中文) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述方法包含：将金属层的一部分形成为具有大体上直线状部分的源极线 <br> **《直接公开》** | 【说明书第[2]段，图5】“Y方向に沿って、２つのメモリセル列にそれぞれ対応してソース線SLが設けられる。ソース線SLはY方向に沿ってビット線BLと平行となるように設けられる。”（沿Y方向，对应于两个存储器列分别设置源极线SL。源极线SL设置为沿Y方向与位线BL平行。） | 对比文件明确公开了在金属配线层（第一金属配线层）中形成源极线（SL），并且该源极线是沿一个方向（Y方向）延伸的直线状导线，其“与位线平行”的描述必然意味着其具有大体上直线状的部分。这与其在对比文件中作为向多个存储单元供电的导线的功能，与目标专利中源极线的作用（供应电流）相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：使用第一通孔将所述源极线在所述大体上直线状部分处耦合到第一晶体管， <br> **《直接公开》** | 【说明书第[2]段，图5、6】“アクセストランジスタATRの他方電極（ソース）は、コンタクトCTを介して第１の金属配線層に形成されるソース線SLと電気的に結合される。”（存取晶体管ATR的另一电极（源极）通过接触CT与在第一金属配线层中形成的源极线SL电连接。） | 对比文件明确公开了源极线（SL）通过“コンタクトCT”（即接触孔，相当于通孔）电连接到存取晶体管（相当于第一晶体管）的源极。连接位置即位于直线状延伸的源极线上。其作用是为晶体管提供源极电流，与目标专利中通孔连接的作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：其中所述第一晶体管经配置以将从所述源极线接收的第一电流供应到第一磁性隧道结装置 <br> **《直接公开》** | 【说明书第[2]段，图2(a)】“アクセストランジスタATRは、ソース線SLとトンネル磁気抵抗素子TMRとの間に設けられ...” （存取晶体管ATR设置在源极线SL和隧道磁阻元件TMR之间...）以及图3关于数据写入电流路径的描述。 | 对比文件公开的存储单元结构中，存取晶体管（第一晶体管）的源极连接至源极线，漏极通过隧道磁阻元件（TMR，即MTJ装置）连接至位线。当晶体管导通时，电流从源极线经晶体管流向MTJ。这明确公开了晶体管被配置为将从源极线接收的电流供应到MTJ装置。其作用与目标专利完全相同。 |
| **技术特征D**：使用第二通孔将所述源极线耦合到第二晶体管， <br> **《隐含公开》** | 【说明书第[2]段，图7】“ソース線SL1は、２つずつの隣接するメモリセル列において互いに共有されている。”（源极线SL1在两个相邻的存储器列中被共享。）以及图7显示多个存储单元（MC1, MC2）共享同一源极线SL1。 | 对比文件明确公开了一条源极线为多个存储单元（例如MC1和MC2）供电。每个存储单元都包含一个存取晶体管（ATR）。既然源极线需要为第二晶体管（如MC2中的ATR）供电，那么它必然要通过一个电连接结构（例如与连接第一晶体管类似的通孔/接触CT）耦合到该第二晶体管。这是本领域技术人员根据“共享源极线”这一明确公开的内容，能够直接且毫无疑义地推断出的必然技术手段。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二晶体管经配置以将从所述源极线接收的第二电流供应到第二磁性隧道结装置 <br> **《隐含公开》** | 【说明书第[2]段，图7】共享同一源极线SL1的多个存储单元（MC1, MC2）具有相同的电路结构，每个都包含存取晶体管和TMR。 | 基于特征D的推理，第二晶体管（如MC2中的ATR）通过共享的源极线接收电流。由于对比文件公开的阵列中每个存储单元的结构相同（均包含ATR和TMR），且图7的电路图显示了相同的连接关系，因此第二晶体管必然被配置为将其从源极线接收的电流供应到其对应的第二TMR（MTJ）装置。这是从已公开的阵列布局和单元电路结构中合理推导出的。 |
| **技术特征F**：其中所述第一通孔将所述源极线连接到另一金属层内的分路器， <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及“分路器”（shunt）这一结构。 | 目标专利中的“分路器”（如源极接点分路器106）是一个位于不同金属层（M1）、用于汇聚多个源极接点后再通过通孔连接至源极线（M2）的中间导电部件。对比文件中，源极线（第一金属层）直接通过接触CT（通孔）连接到晶体管的源极扩散层，没有描述任何位于其他金属层、起汇聚作用的“分路器”结构。两者连接架构不同。 |
| **技术特征G**：且其中所述分路器耦合到：第一源极接点，其耦合到所述第一晶体管的源极端子 <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及“分路器”及“第一源极接点”。 | 由于特征F的分路器未被公开，且对比文件中晶体管源极通过单个接触CT直接连接至源极线，没有使用多个源极接点再经分路器汇合的构造，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：第二源极接点，其耦合到所述第一晶体管的所述源极端子。 <br> **《未公开》** | 对比文件全文未提及“第二源极接点”。 | 同上。目标专利中采用多个源极接点以降低电阻，而对比文件仅示出单个接触连接。该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中所述源极线大体上无支路。 <br> **《直接公开》** | 【说明书第[2]段，图5】源极线SL在布局图中显示为沿Y方向延伸的笔直导线，在所示区域内没有显示出任何分支结构。 | 从对比文件图5所示的布局图可以清楚地看出，源极线SL是沿列方向（Y方向）延伸的直线状导线，在其路径上没有绘制出任何分支。结合其描述“与位线平行设置”，本领域技术人员可以毫无疑义地确定该源极线是“大体上无支路”的直线状导线，其作用是为同一列上的多个单元供电，与目标专利中简化布局、降低电阻的作用一致。 |
| **技术特征J**：其中所述金属层为大体上平面的且定位于与所述第一晶体管相距第一距离处且与所述第二晶体管相距第二距离处。 <br> **《隐含公开》** | 【说明书第[2]段，图6】显示了层状结构：基板上的晶体管，其上通过层间介质设置有第一金属配线层（源极线SL）。 | 对比文件公开了源极线形成于“第１の金属配線層”（第一金属配线层），该金属层本身是大体上平面的。该平面金属层通过绝缘介质位于晶体管（无论是第一还是第二晶体管）的上方，因此必然存在一个垂直方向上的距离。虽然对比文件没有明确文字指出“与第一晶体管相距第一距离处且与第二晶体管相距第二距离处”，但根据半导体制造的公知常识和附图所示的层状结构，本领域技术人员能够理解，同一个平面金属层会与下方不同位置的晶体管分别具有一个距离。 |
| **技术特征K**：其中所述第一距离与所述第二距离大体上相同。 <br> **《未公开》** | 对比文件未描述源极线平面与不同晶体管之间的具体距离，更未提及这些距离是否相同。 | 尽管特征J隐含了距离的存在，但“距离大体上相同”是一个特定的几何关系。目标专利说明书强调此特征有助于实现简化的三维构形。对比文件并未提供任何信息表明其源极线所在平面与所连接的不同晶体管之间的垂直距离是相同的。这取决于具体的工艺布局和平坦化程度，不能从对比文件中直接或隐含地推导出。 |
| **技术特征L**：其中通过使用第三通孔和第四通孔将所述源极线的一部分与另一导电线的大体上直线状部分并联连接。 <br> **《未公开》** | 对比文件全文未描述将源极线与另一导线通过多个通孔并联连接以降低电阻的结构。 | 目标专利中的并联导线（如240）是用于降低源极线电阻的特定设计。对比文件中未提及任何与源极线并联的额外导电线，也没有通过多个通孔实现这种并联连接的结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中形成所述金属层、将所述源极线电连接到所述第一晶体管和将所述源极线电连接到所述第二晶体管由集成到电子装置中的处理器控制。 <br> **《未公开》** | 对比文件涉及存储器阵列的结构和电路设计，未描述其制造方法，更没有提及制造过程由“集成到电子装置中的处理器”控制。 | 该特征是关于制造过程的控制主体，属于方法层面的限定。对比文件作为一份关于存储器器件结构的专利文献，完全没有涉及具体的制造工艺步骤或控制方式。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件的内容中隐含推导出来。 |
### **结论**
根据上述比对分析：
- 对比文件直接公开了技术特征A、B、C、I。
- 对比文件隐含公开了技术特征D、E、J。
- 技术特征F、G、H、K、L、M未被对比文件公开或隐含公开。
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