**对比文件名称**：发明申请_US20120030420A1 PROTOCOL FOR REFRESH BETWEEN A MEMORY CONTROLLER AND A MEMORY DEVICE
**目标专利名称**：用于存储器的自刷新的方法及相关设备
**模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：在所述存储器控制器处，接收对动态随机存取存储器DRAM的最新近的DRAM触发的自刷新循环的自刷新区间的剩余部分的指示，其中在所述睡眠操作模式期间所述DRAM的自刷新循环是至少部分地基于所述DRAM的自刷新区间来周期性地触发的，并且其中所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分小于所述自刷新区间<br>**判断结果**：隐含公开 | [0011] ...progress information regarding the refresh operation is sent from the memory device to the memory controller during the self-refresh state through a ... sideband link. ... the controller can use the progress information received from the memory device to determine when the refresh operation actually completes...<br>[0012] ...progress information for the refreshing operations is sent from the memory device to the memory controller (operation 104).<br>图5 操作D、E、F及对应文字描述：RF信号的断言（assert）和解除断言（deassert）明确指示了自刷新操作的开始和结束，其时间点（tRAS, tIREF）定义了自刷新区间。 | 在对比文件中，当DRAM进入自刷新状态（对应目标专利的“睡眠操作模式”期间），它会通过侧链路（sideband link）向存储器控制器发送关于刷新操作的“进度信息”（progress information）。如图5所示，RF信号的断言和解除断言精确标记了每个自刷新操作的开始和结束时刻。本领域技术人员知晓，自刷新操作是按固定间隔（tIREF，即自刷新区间）周期性地触发的（图5操作F）。因此，当存储器控制器在自刷新状态期间或退出时接收到这个进度信息（例如，RF信号的状态和时间），它必然能够知晓“最新近的DRAM触发的自刷新循环”的状态。通过计算自上次RF信号变化（指示操作开始或结束）以来经过的时间，并与已知的自刷新区间（tIREF）进行比较，控制器可以毫无疑义地确定当前自刷新循环的“剩余部分”，且该剩余部分必然小于完整的自刷新区间。这与目标专利中接收“剩余部分的指示”以协调刷新调度的作用实质相同。虽然对比文件未明确使用“剩余部分”一词，但其描述的进度信息本质上包含了允许控制器推导出剩余时间的所有时序信息。因此，该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征B**：在所述存储器控制器中，对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时<br>**判断结果**：隐含公开 | [0011] ... the controller can use the progress information received from the memory device to determine when the refresh operation actually completes...<br>[0012] ... the progress information received from the memory device can be used by the memory controller to control the sequencing of subsequent operations...<br>图6 操作G：To exit self-refresh during the power-down state, the controller waits a time tRAS-PM after the last RF assertion before deasserting PM... | 对比文件明确教导，存储器控制器利用从DRAM接收到的进度信息（RF信号）来确定刷新操作何时实际完成，并以此来控制后续操作的顺序。图6的操作G具体展示了控制器在退出自刷新状态时，需要“等待一个时间tRAS-PM after the last RF assertion”。这表明控制器在内部必须基于最后收到的RF信号断言时间进行计时，以确定何时可以安全地执行下一步操作（解除PM信号）。这种“等待”行为，本质上就是对自上次DRAM触发的自刷新操作开始（由RF断言指示）以来所经过时间或剩余时间的计时过程。该计时的目的与目标专利相同，都是为了在模式转换后恰当地调度初始刷新操作，避免冲突或等待。因此，本领域技术人员能够合理推断，为了实现对比文件所公开的利用进度信息控制时序的方案，存储器控制器必然具备对所述剩余部分进行计时的功能。该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征C**：响应于对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分计时而从所述存储器控制器触发所述DRAM中的初始刷新循环<br>**判断结果**：直接公开 | [0012] ... the progress information received from the memory device can be used by the memory controller to control the sequencing of subsequent operations by the memory controller (operation 106).<br>图6 操作J、K：Because the memory controller knows in operation G that the last RF assertion was directed to bank Bb, the memory controller can direct a refresh command to a bank Ba, which is different than the bank Bb that was last refreshed at a time tCK-CA after the clock CK is restarted (operation J). Alternatively, the memory controller can direct a refresh command to a bank Bb that is the same as the bank Bb that was last refreshed at a time tRC after the last assertion of RF (operation K). | 对比文件直接公开了技术特征C。在退出自刷新状态（对应目标专利中存储器控制器从睡眠模式转换到活跃模式）后，存储器控制器基于其对最后RF信号（即进度信息）的知晓（operation G），从而“知道”哪个存储体（bank）刚刚被刷新过。控制器利用这一信息来“控制后续操作的顺序”（operation 106）。具体地，如图6操作J所示，控制器可以在时钟重启后，立即向一个**不同的**存储体（Ba）发出刷新命令。这直接对应于：控制器根据对“剩余部分”（即知道另一个存储体Bb刚刷新完，当前对其的刷新剩余时间可视为0或极小）的计时/判断，触发了对新存储体（Ba）的“初始刷新循环”。操作K则展示了另一种情况：如果需要向**同一个**存储体（Bb）发送刷新命令，则需要等待时间tRC（即一个完整的刷新周期，可理解为自刷新区间）之后。这同样是根据对剩余时间（此时需要等待完整的自刷新区间）的计时来触发刷新。这两种情况都明确是“从存储器控制器触发DRAM中的刷新命令”，且其触发直接响应于基于进度信息（隐含了对剩余部分的计时）的决策。这与目标专利技术特征C的作用完全一致。因此，该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征D**：对所述存储器控制器的空闲时段计时<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书中未提及对存储器控制器的空闲时段进行计时。 | 对比文件的整个技术方案侧重于在自刷新/掉电状态期间，通过侧链路传递进度信息以实现高效的时序控制。其中并未描述或隐含需要由存储器控制器对其自身的“空闲时段”进行计时。目标专利中该特征用于决定何时进入睡眠模式，是对控制器自身活动状态的监控。对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征E**：以及<br>响应于对所述空闲时段的计时超过阈值，而将所述存储器控制器从所述活跃操作模式转换回到所述睡眠操作模式。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书中未提及基于空闲时段计时超过阈值而触发模式转换。图5进入自刷新状态是由发送预充电命令（PR）等主动操作序列触发，而非由空闲计时触发。 | 对比文件进入自刷新状态（类似睡眠模式）的过程（图5）是由存储器控制器主动发送预充电命令（PR 502）等一系列控制命令发起的，是一个受控的、确定的操作序列。没有任何记载表明这一转换是由“空闲时段计时超过阈值”这一条件自动触发的。目标专利中该特征是实现智能功耗管理的关键步骤，对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征F**：进一步包括：<br>其中在所述存储器控制器处接收对所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分的所述指示包括从所述DRAM中的寄存器读取所述指示。<br>**判断结果**：未公开 | [0011] ...progress information... is sent from the memory device to the memory controller during the self-refresh state through a (e.g., uncalibrated, low-power) sideband link.<br>[0020] ... controller chip 302 and DRAM 304 additionally communicate refreshing information through an uncalibrated, low-power sideband link...<br>图4A：...sideband link circuitry facilitates moving control values... to and from a control register (not shown) located in DRAM 304. **However**, the RF1 signal travels through the refresh logic circuitry (RF) blocks (373, 383). | 对比文件中，进度信息（RF信号）是通过专用的侧链路（sideband link）上的特定信号线（SL[0]）以信号断言/解除断言的形式实时传递的（图4A，图5）。虽然图4A的文字提到侧链路逻辑电路（SL）可以协助移动控制值“往返于DRAM中的一个控制寄存器”，但这描述的是SQ/SD数据通路。而关键的刷新进度信息（RF1信号）明确是通过独立的刷新逻辑电路（RF）块传递的，并未说明该信息存储于一个可由控制器“读取”的寄存器中。它是一种动态的信号交互，而非从静态寄存器中读取数值。因此，对比文件公开的信息传递机制与目标专利的“从寄存器读取”这一具体实现方式不同，本领域技术人员不能毫无疑义地或通过合理推理得出“从寄存器读取”这一特定技术手段。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：进一步包括：<br>在所述初始刷新循环的触发之后，根据刷新区间来周期性地触发所述DRAM的附加的存储器控制器触发的刷新循环。<br>**判断结果**：隐含公开 | [0017] This refresh-control circuitry 312 and 322 controls refreshing operations during a normal auto-refresh state.<br>[0012] ... transitions from an auto-refresh state, where the memory controller controls refreshing operations for the memory device... | 对比文件明确区分了“自动刷新状态”（auto-refresh state），在该状态下，由存储器控制器控制刷新操作（[0012], [0017]）。当系统从自刷新状态退出并返回到自动刷新状态后（如图6之后），存储器控制器自然恢复对刷新操作的控制。本领域技术人员公知，在自动刷新状态下，存储器控制器会根据一个固定的刷新区间（如tREFI）周期性地向DRAM发送刷新命令。因此，在触发初始刷新循环（如图6操作J或K）之后，存储器控制器必然会“根据刷新区间来周期性地触发附加的存储器控制器触发的刷新循环”，直到下一次进入自刷新状态。这是自动刷新模式的常规且必要的操作，虽然没有在对比文件中展开描述，但属于本领域技术人员必然知晓并会实施的隐含内容。该技术特征被**隐含公开**。 |
| **技术特征H**：其中，所述刷新区间等于所述自刷新区间。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件中提到了自刷新间隔 tIREF（图5），也提到了由控制器控制的刷新，但未明确描述在自动刷新状态下控制器使用的“刷新区间”具体是多少，也未将其与自刷新区间 tIREF 进行比较或说明两者相等。 | 目标专利中“刷新区间等于自刷新区间”是一个具体的限定条件，可能用于简化定时器设计或确保时序一致性。对比文件并未涉及这两个间隔之间的关系。本领域技术人员不能从对比文件中推导出它们必然相等。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：进一步包括：<br>响应于对所述DRAM的温度的指示而减小所述最新近的DRAM触发的自刷新循环的所述自刷新区间的所述剩余部分。<br>**判断结果**：未公开 | 对比文件说明书中完全未提及温度对刷新间隔或进度信息的影响。 | 目标专利该特征涉及根据温度动态调整刷新时序，是一个附加的优化手段。对比文件的技术方案未包含任何与温度相关的描述或暗示。该技术特征未被公开。 |
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