对比文件名称：2001-08-24_发明专利_JP2001230637A Low-voltage type wide band operational amplifier
目标专利名称：无削减信号包络地提升放大器增益CN107852138B
模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：差分级，包括第一晶体管，所述第一晶体管具有电连接到第一差分输入的控制端子和电连接到第一差分输出的输出端子，《直接公开》 | 【0002】“この差動オペアンプは、Ｖ ipとＶ inのそれぞれにあるカスコードのＮチャンネル入力トランジスタ１，３と２，４... この回路の差動出力Ｖ opおよびＶ onは、Ｎチャンネル・トランジスタ３，４のドレインからそれぞれ取る。” <br> 译：该差分运算放大器包括分别位于Vip和Vin的共源共栅N沟道输入晶体管1，3和2，4...该电路的差分输出Vop和Von分别取自N沟道晶体管3，4的漏极。 | 对比文件图2及说明书【0002】段明确公开了由N沟道晶体管（例如，1和3为一对，2和4为另一对）构成的差分放大级。其中，晶体管1、2的栅极接收差分输入Vip、Vin，晶体管3、4的漏极提供差分输出Vop、Von。这直接公开了一个差分级，其第一晶体管（例如晶体管1或3）的控制端子（栅极）电连接到第一差分输入（Vip），输出端子（漏极）电连接到第一差分输出（Vop）。 |
| **技术特征B**：所述差分级进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电连接到第二差分输入的控制端子和电连接到第二差分输出的输出端子，《直接公开》 | 【0002】“この差動オペアンプは、Ｖ ipとＶ inのそれぞれにあるカスコードのＮチャンネル入力トランジスタ１，３と２，４... この回路の差動出力Ｖ opおよびＶ onは、Ｎチャンネル・トランジスタ３，４のドレインからそれぞれ取る。” <br> 译：该差分运算放大器包括分别位于Vip和Vin的共源共栅N沟道输入晶体管1，3和2，4...该电路的差分输出Vop和Von分别取自N沟道晶体管3，4的漏极。 | 如上所述，对比文件公开的差分级明确包括第二晶体管（例如晶体管2或4），其控制端子（栅极）电连接到第二差分输入（Vin），输出端子（漏极）电连接到第二差分输出（Von）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：第一偏置晶体管，具有电连接到所述第一晶体管的所述控制端子的输出端子，《隐含公开》 | 【0002】“この差動オペアンプは、... ロング・テール（long tail）の電流源トランジスタ５とから構成されている。” <br> 译：该差分运算放大器由...长尾电流源晶体管5构成。 | 对比文件图1公开了“长尾电流源晶体管5”。在差分放大器中，长尾电流源通常用于为差分对（晶体管1、2）提供恒定的尾电流，从而设置其静态工作点，起到偏置作用。虽然图1的结构与目标专利图2的结构类似，但对比文件图2的改进型中移除了该晶体管5。然而，图1公开了一种使用晶体管（5）为差分对（包括第一晶体管1）提供偏置的结构。本领域技术人员能够理解，为实现偏置功能，该晶体管5的输出端（漏极）需要连接到差分对的公共源极节点，而差分对的栅极（即第一晶体管的控制端子）的电位会受到该偏置结构的影响。虽然连接方式不完全相同（目标专利是偏置晶体管输出直接连到差分晶体管栅极，图1是电流源晶体管提供尾电流），但其核心作用“使用晶体管进行偏置”已被公开。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：第二偏置晶体管，具有电连接到所述第二晶体管的所述控制端子的输出端子，《隐含公开》 | 【0002】“この差動オペアンプは、... ロング・テール（long tail）の電流源トランジスタ５とから構成されている。” <br> 译：该差分运算放大器由...长尾电流源晶体管5构成。 | 理由同技术特征C。对比文件图1中的长尾电流源晶体管5为整个差分对（包括第一晶体管1和第二晶体管2）提供偏置电流，其作用覆盖了为第二晶体管提供偏置。本领域技术人员可以理解，该偏置晶体管通过提供尾电流间接影响了第二晶体管的控制端子（栅极）的工作点。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：第一反馈网络，电连接在所述第一偏置晶体管的控制端子与所述第一偏置晶体管的所述输出端子之间，《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件全文未公开任何连接在偏置晶体管（如晶体管5）的控制端子（栅极）与其输出端子（漏极或源极）之间的反馈网络。其提到的同相调节回路（10）是为了稳定共模输出电压，其反馈信号施加在负载晶体管（8，9）的栅极，并非在偏置晶体管的栅极和输出端之间建立反馈。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：第二反馈网络，电连接在所述第二偏置晶体管的控制端子与所述第二偏置晶体管的所述输出端子之间，《未公开》 | 无对应内容。 | 理由同技术特征E。对比文件未公开连接在第二偏置晶体管控制端与输出端之间的反馈网络。 |
| **技术特征G**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络每个包括电容性反馈电路。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开如技术特征E、F定义的连接在偏置晶体管栅-源或栅-漏之间的电容性反馈电路。其共模反馈回路可能包含电容性元件，但其结构、连接位置和作用（共模调节）均与目标专利中用于改变跨导的电容性反馈网络不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络改变所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的相应跨导。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件中的电路（包括其共模反馈）的目的在于补偿同相输入电压变化以稳定工作点，防止输入晶体管电流大幅波动（见【0010】），而非有意地改变偏置晶体管的跨导。目标专利的反馈网络核心作用是通过反馈直接、可控地改变偏置晶体管的跨导以提升增益。二者目的和效果不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络减小所述第一偏置晶体管和所述第二偏置晶体管的所述相应跨导。《未公开》 | 无对应内容。 | 理由同技术特征H。对比文件未公开任何旨在减小偏置晶体管跨导的反馈网络或技术手段。 |
| **技术特征J**：其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是N型晶体管器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述输出端子是所述第一晶体管和所述第二晶体管的漏极端子。《直接公开》 | 【0002】“Ｎチャンネル入力トランジスタ１，３と２，４... この回路の差動出力Ｖ opおよびＶ onは、Ｎチャンネル・トランジスタ３，４のドレインからそれぞれ取る。” <br> 译：N沟道输入晶体管1，3和2，4...该电路的差分输出Vop和Von分别取自N沟道晶体管3，4的漏极。 | 对比文件明确公开输入晶体管为N沟道（N型）晶体管（1，2，3，4），并且差分输出从晶体管3，4的漏极取出。这直接公开了第一、第二晶体管（作为差分对的核心放大管，对应晶体管3和4）是N型器件，且其输出端子为漏极。 |
| **技术特征K**：其中所述第一反馈网络和所述第二反馈网络的所述电容性反馈电路每个包括可变电容器。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开如技术特征G所述的电容性反馈电路，更未提及该电路包含可变电容器。 |
| **技术特征L**：其中所述第一反馈网络包括所述第一偏置晶体管的寄生电容，其中所述第二反馈网络包括所述第二偏置晶体管的寄生电容。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开将偏置晶体管的寄生电容作为反馈网络一部分的技术方案。 |
| **技术特征M**：其中所述第一反馈网络包括电连接在所述第一偏置晶体管的所述控制端子与输出端子之间的电容器，其中所述第一晶体管的跨导以因子被增大...《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开连接在偏置晶体管控制端与输出端之间的电容器，也未公开通过此类反馈网络按特定公式增大放大器跨导的技术方案。 |
| **技术特征N**：其中所述电路进一步包括：电连接到所述第一差分输入和所述第二差分输入的混频器电路、以及电连接到所述第一差分输出和所述第二差分输出的功率放大器。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件仅涉及运算放大器本身及其共模反馈控制电路，未提及任何混频器电路或功率放大器。 |
| **技术特征O**：进一步包括：被配置为设置所述第一晶体管的DC操作点的第一电流源和被配置为设置所述第二晶体管的DC操作点的第二电流源。《直接公开》 | 【0002】“ロング・テール（long tail）の電流源トランジスタ５とから構成されている。” <br> 译：由...长尾电流源晶体管5构成。 | 对比文件图1公开了长尾电流源晶体管5。该晶体管作为恒流源，为差分输入对管（晶体管1和2）提供恒定的尾电流，从而设置这两个晶体管的DC操作点。虽然这是一个共用的尾电流源，但它同时为第一晶体管（1）和第二晶体管（2）设置DC工作点，其作用相当于分别为两个晶体管提供了偏置电流。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到这一点。因此，该特征被直接公开。 |
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