好的，我将以资深专利代理师的身份，对目标专利与对比文件进行特征比对和创造性评估。本次评估严格遵循您提供的判断标准和输出格式。
**目标专利名称**：使用串联磁性隧道结的多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT-MRAMCN107430883B
**对比文件名称**：2008-08-21_发明申请_WO2008100872A2 AN IMPROVED HIGH CAPACITY LOW COST MULTI-STATE MAGNETIC MEMORY
**模型名称**：GPT-4
### **特征比对表格**
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：具有第一读取余裕的第一磁性隧道结(MTJ)元件** <br>《直接公开》 | [p0039] “...the MTJ 126 comprises the layers 114, 116 and 118...The MTJ 124 and 126 form the relevant parts of a stack of memory elements.” <br>[p0088] “...the MTJs 910 and 912 are similar to the MTJs of previous figures...” | 对比文件明确公开了具有多个MTJ元件（如MTJ 910和MTJ 912）的存储器单元，每个MTJ元件均具有固定层、势垒层和自由层，能够存储信息，其电阻状态（平行或反平行）对应不同的逻辑状态，因此必然具有“读取余裕”（即高低电阻态之差）。本领域技术人员能够毫无疑义地得出，对比文件中的任一个MTJ元件（例如MTJ 910）即相当于目标专利的“具有第一读取余裕的第一MTJ元件”。 |
| **B：具有第二读取余裕的第二MTJ元件，所述第一读取余裕大于所述第二读取余裕的两倍** <br>《隐含公开》 | [p0048] “Since the MTJs 124 and 126 are made with different aspect ratios (or anisotropy), the switching current is different for these two MTJs...Therefore, the switching current for the MTJ 126 is 3-5 times higher than that of the MTJ 124...” <br>[p0052] “...different aspect ratio or anisotropy associated with the different MTJs 124 and 126 causes the different switching of the MTJs...” | 目标专利说明书指出，读取余裕（ΔR）与MTJ尺寸（大小）相关，尺寸差异会导致读取余裕差异。对比文件明确教导，为了使两个MTJ具有不同的开关电流以实现多态存储，可以使它们具有不同的长宽比或各向异性。虽然对比文件未明确提及“读取余裕”，但本领域技术人员公知，MTJ的电阻差（即读取余裕）与其物理尺寸（如长宽比）密切相关。对比文件通过设置不同的长宽比，实质上使得两个MTJ具有了不同的电阻特性，这必然包含了“读取余裕”的差异。考虑到隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员有可能从对比文件中“不同长宽比导致不同开关特性”的教导，合理推断出可以通过设置显著不同的尺寸（例如，一个尺寸大于另一个的两倍以上），来使两个MTJ的读取余裕满足所述比例关系。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **C：以及耦合在所述第一MTJ元件与所述第二MTJ元件之间的存取晶体管** <br>《直接公开》 | [p0088] Fig. 8; “The memory cell 914 is shown to include an MTJ 910, an MTJ 912 and an access transistor 940. The MTJ 912 is shown coupled in series to the MTJ 912, which is shown coupled to the drain of the transistor 940.” | 对比文件图8及其对应文字说明清晰展示了存储器单元914的结构，其中两个MTJ（910和912）与一个存取晶体管（940）串联连接。晶体管940位于MTJ 910和MTJ 912之间，并选择性地将电流路径耦合至这两个MTJ。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **D：，其中所述存取晶体管的栅极耦合至字线，** <br>《直接公开》 | [p0088] “...the transistor 940 is selected by raising the voltage on the word line 942.” | 对比文件明确记载了存取晶体管940的栅极由字线942控制，通过提升字线942的电压来选择该晶体管。这直接公开了“存取晶体管的栅极耦合至字线”这一技术特征。 |
| **E：其中所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管形成多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)存储器单元** <br>《隐含公开》 | [p0040] “The memory element 100 advantageously stores two bits of information...” <br>[p0088] “The MTJs 910 and 912...Each MTJ 910 and 912 possesses a resistance of a different or unique value. The difference in their resistance results from the difference in the aspect ratio or size or anisotropy of the MTJs.” | 对比文件公开的存储器单元（如单元914）由两个具有不同电阻值的MTJ和一个存取晶体管串联构成，能够存储两位信息（四个状态），这构成了一个“多位磁阻随机存取存储器单元”。虽然对比文件未明确使用“自旋转移矩（STT）”这一术语，但其描述的基于电流诱导磁化翻转（current-induced-magnetization-switching）的存储器，在本领域通常被理解为STT-MRAM技术范畴内的实现方式。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的内容中，合理推断出其所描述的结构形成了一个多位STT-MRAM存储器单元。该技术特征被隐含公开。 |
| **F：以及被配置成将所述STT-MRAM存储器单元的感测出的值与第二值进行比较的电路系统，所述第二值基于所述感测出的值与第一值的比较，** <br>《未公开》 | [p0083] “The circuit 1004 compares the total resistance of the MTJs 1010 and 1012 with the resistances of the reference resistors of the state reference circuits...if the resistance of the MTJs 1010 and 1012 is determined to be greater than the resistor 1030, the resistance of the MTJs 1010 and 1012 is compared to the resistance of the resistor 1034...” | 对比文件公开了读取电路（图9及对应描述），其通过感测放大器1004将MTJ的总电阻依次与多个参考电阻（1026, 1030, 1034）进行比较，以确定状态。然而，其比较逻辑是**顺序比较**：首先与参考值A比较，若大于则再与参考值B比较，若小于则再与参考值C比较（取决于实现）。目标专利权利要求中的“第二值基于所述感测出的值与第一值的比较”意味着**动态选择**第二个比较值，其具体值（例如是Ref1还是Ref2）取决于第一次比较的结果（例如感测值大于还是小于第一值）。对比文件的方案中，虽然比较顺序可能由逻辑控制，但其用于第二次比较的“参考值B或C”是预定的、固定的，并非根据第一次比较的**结果内容**（如大小关系）来动态计算或选择出一个新的“第二值”。因此，对比文件未公开该特定的双比较逻辑。 |
| **G：其中所述第一值是与所述第二MTJ元件相关联的第一参考电平，** <br>《未公开》 | [p0085] “Examples of resistance values of the reference resistors are averages of the resistances of the MTJs 1010 and 1012.” | 对比文件中的参考值（如电阻1026、1030、1034的阻值）是针对整个存储器单元（两个MTJ串联）的总电阻在不同状态下的**平均值**而设置的。这些参考值并非专门“与所述第二MTJ元件相关联”，而是与整个单元的状态相关联。目标专利的特征G要求参考电平特指与“第二MTJ元件”关联，这在对比文件中没有对应公开。 |
| **H：并且所述第二值是与所述第二MTJ元件相关联的第二参考电平，** <br>《未公开》 | 同上。 | 基于与特征G相同的理由，对比文件中的参考值并非特指与“第二MTJ元件”相关联的参考电平。因此，该特征未被公开。 |
| **I：以及其中所述第一参考电平和所述第二参考电平是从平均参考电平值推导的** <br>《隐含公开》 | [p0085] “Examples of resistance values of the reference resistors are averages of the resistances of the MTJs 1010 and 1012. For example, the resistance of the resistor 1026 is the average of the resistances of the MTJs 1010 and 1012 at the states 1 and 4...The resistance of the resistor 1030 is the average...at the states 2 and 4...” | 对比文件明确教导了其读取电路中使用的参考电阻值，是存储器单元MTJ在不同状态下的电阻值的**平均值**。例如，电阻1026的阻值是状态1和状态4总电阻的平均值。这直接公开了“参考电平是从平均参考电平值推导的”这一概念。虽然对比文件的平均值是针对单元总电阻，而目标专利是针对第二MTJ元件的参考电平，但“从平均值推导参考电平”这一技术手段已被对比文件公开。根据隐含公开的宽松标准，本领域技术人员有可能将这种获取参考值的方法应用于其他具体场景。 |
| **J：，所述平均参考电平值从初始化设备确定或者由其它MTJ结构确定。** <br>《隐含公开》 | [p0085] “Examples of resistance values of the reference resistors are averages of the resistances of the MTJs 1010 and 1012.” | 对比文件公开了参考电阻值是MTJ在不同状态下的电阻平均值。本领域技术人员可以理解，要获得这些平均值，必然需要通过某种方式（例如在初始化或测试阶段）对MTJ的电阻进行测量和计算。虽然对比文件未明确提及“初始化设备”或“其它MTJ结构”，但为了确定平均值，使用初始化设备进行测量，或者使用专门设计的其它MTJ结构来提供参考，是本领域实现该技术方案的常规和合理手段。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **K：其特征在于，进一步包括，耦合至所述第一MTJ元件的位线以及耦合至所述第二MTJ元件的源线，其中所述电路系统被进一步配置成基于所述感测出的值与所述第二值的关系来确定所述第二MTJ元件的电阻状态。** <br>《未公开》 | [p0071] Fig. 8; [p0080] Fig. 9; | 对比文件的图8和图9展示了存储器单元的连接，其中MTJ一端通过晶体管接地，另一端接至位线/电源线。然而，1）对比文件并未明确区分“耦合至第一MTJ的位线”和“耦合至第二MTJ的源线”；2）更重要的是，对比文件的读取电路（图9）确定的是**整个存储器单元**的电阻状态（即两位信息），而非专门确定“第二MTJ元件的电阻状态”。目标专利的特征K限定了电路系统专门用于确定**第二MTJ元件**的电阻状态，这与对比文件确定单元整体状态的技术方案不同。因此，该特征未被公开。 |
| **L：其特征在于，所述存取晶体管被配置成响应于字线信号而将所述第一MTJ元件耦合至所述第二MTJ元件。** <br>《直接公开》 | [p0088] “...the transistor 940 is selected by raising the voltage on the word line 942.” | 该特征实质上是特征D的另一种表述，已在特征D的论述中被直接公开。存取晶体管940响应于字线942的信号而导通，从而将串联的MTJ 910和MTJ 912耦合到电流路径中。 |
| **M：其特征在于，所述存取晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。** <br>《隐含公开》 | [p0088] Fig. 8; “...an access transistor 940.” | 对比文件图8中，存取晶体管940的符号是N型MOSFET的标准符号。虽然说明书文字未明确写出“NMOS”，但本领域技术人员根据电路图的标准图示和上下文（其源极接地，符合NMOS在数字电路中的常见接法），能够毫无疑义地识别出该晶体管是NMOS晶体管。因此，该特征被隐含公开。 |
| **N：其特征在于，所述存取晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。** <br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件中未提及或图示任何PMOS晶体管作为存取晶体管。因此，该特征未被公开。 |
| **O：其特征在于，所述第一MTJ元件具有第一数据保持时间，并且所述第二MTJ元件具有比所述第一数据保持时间长的第二数据保持时间。** <br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件全文未提及MTJ元件的“数据保持时间”这一参数，也未教导通过调整MTJ特性来获得不同的数据保持时间。该特征未被公开。 |
| **P：其特征在于，所述第一MTJ元件具有第一大小，并且所述第二MTJ元件具有大于所述第一大小的两倍的第二大小。** <br>《隐含公开》 | [p0048] “Since the MTJs 124 and 126 are made with different aspect ratios (or anisotropy)...the aspect ratio for MTJ 124 is approximately 1 : 1.3 to 1 : 1.5 while the aspect ratio for the MTJ 126 is approximately 1 : 2 to 1 :2.5.” <br>[p0057] “The difference in the planar dimension of the MTJs 612 to that of the MTJ 126 is approximately 1 to 10 and typically 1 to 3...” | 目标专利说明书将“大小”解释为使MTJ具有特定读取余裕的一个或多个尺寸。对比文件明确公开了通过使两个MTJ具有不同的长宽比（例如1:1.5 vs 1:2.5）或不同的平面尺寸（例如1:3）来实现不同的开关特性。虽然对比文件未精确限定“大于两倍”，但其给出的尺寸差异范围（例如1:2.5，或典型的1:3）已经涵盖了“大于两倍”的情况。本领域技术人员根据对比文件关于通过尺寸差异实现功能差异的教导，可以合理推断出使一个MTJ的尺寸显著大于另一个（包括大于两倍）是可行的技术手段。因此，该特征被隐含公开。 |
| **Q：其特征在于，所述第二MTJ元件与由所述第一值指示的第一参考电平和由所述第二值指示的第二参考电平相关联，并且其中所述第一MTJ元件与一个参考电平相关联。** <br>《未公开》 | [p0085] “Examples of resistance values of the reference resistors are averages of the resistances of the MTJs 1010 and 1012.” | 如特征G、H所述，对比文件中的参考电平是与整个存储器单元的总电阻状态相关联的平均值，并非特指与“第一MTJ元件”或“第二MTJ元件”个体相关联。对比文件没有公开将不同的参考电平组与不同的MTJ个体相关联的技术方案。因此，该特征未被公开。 |
| **R：其特征在于，进一步包括其中集成有所述第一MTJ元件、所述第二MTJ元件和所述存取晶体管的装置，所述装置选自移动电话、平板设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。** <br>《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件是一份关于存储器元件和电路本身的专利文件，其技术内容停留在存储器单元和阵列层面，并未提及将该存储器集成到任何具体的终端装置或产品中。因此，该特征未被公开。 |
### **结论与代码输出**
根据上述特征比对分析：
- 特征A、C、D、L被对比文件**直接公开**。
- 特征B、E、I、J、M、P被对比文件**隐含公开**。
- 特征F、G、H、K、N、O、Q、R**未被公开**。
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