**对比文件名称**：1997-11-04_发明专利_JPH09289251A Layout structure of semiconductor integrated circuit and its verification method
**目标专利名称**：缩放布局设计中将虚栅极接地CN105981157B
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：半导体器件有源区中的虚栅极<br>《直接公开》 | [0016]：“１a,１bはその入力が電源ライン(VDD)につながるポリシリコンゲートがP型拡散領域と交わっている常にオフ状態となっているPチャネルダミートランジスタで、２a,２bは入力が接地ライン(VSS)につながるポリシリコンゲートがN型拡散領域と交わっている常にオフ状態となっているNチャネルダミートランジスタである。”（译文：1a、1b是其输入连接到电源线(VDD)的多晶硅栅极与P型扩散区域相交的常关状态的P沟道虚设晶体管，2a、2b是其输入连接到接地线(VSS)的多晶硅栅极与N型扩散区域相交的常关状态的N沟道虚设晶体管。） | 在对比文件中，明确公开了位于半导体器件有源区（P型和N型扩散区）中的“ダミートランジスタ”（虚设晶体管）。这些虚设晶体管的栅极（ポリシリコンゲート）在物理结构上就是位于有源区上的栅极结构，并且为了保持常关状态，其栅极被连接到固定电位（VDD或VSS）。尽管其目的（保持栅极间隔恒定以控制工艺变化）与目标专利中“虚栅极”（用于器件控制并需接地以防止浮动）有所不同，但就“半导体器件有源区中的非功能性栅极”这一结构特征而言，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：毗邻于所述虚栅极的第一有源触点<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件全文未明确描述毗邻于虚设晶体管栅极的“有源触点”结构。 | 目标专利中的“第一有源触点”是具体指电耦合至源/漏区（如MD1触点）的导电结构。对比文件虽然描述了扩散区域和栅极，并提及了“コンタクト”（接触点）用于连接布线，但并未具体公开与虚设晶体管栅极相邻布置的、用于电连接至扩散区的有源触点结构。本领域技术人员无法从对比文件中直接或通过合理推断得出该特定技术特征。因此，技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C**：所述虚栅极和所述第一有源触点上的电介质层，所述电介质层上形成有开口<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述在栅极和触点上方形成具有开口的电介质层的具体工艺或结构。 | 目标专利中的该特征涉及具体的后端或中部制程（MOL）互连结构，即在器件上方沉积电介质层并图案化形成开口，以用于后续形成堆叠式触点。对比文件主要关注于布局图案的几何设计（栅极和扩散区的间距）及其验证方法，并未揭示任何具体的层间介质层及其图案化工艺。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：沉积于所述开口的侧壁上的第一隔离层<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述在开口侧壁上沉积隔离层的技术内容。 | 该隔离层是目标专利中用于实现电隔离的关键结构。对比文件中完全没有涉及此类在触点开口中形成侧壁隔离层的工艺或结构。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：形成于所述开口中的第一堆叠式触点，所述第一堆叠式触点被电耦合至所述第一有源触点<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述“堆叠式触点”结构或其形成方法。 | 目标专利的“第一堆叠式触点”是通过在电介质层开口中填充导电材料形成的、与下层有源触点电连接的垂直互连结构。对比文件未公开任何类似的堆叠式触点或通过开口形成触点的技术方案。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：沉积于所述第一堆叠式触点的表面上与所述第一有源触点相对的盖层，侧壁上的所述第一隔离层将所述第一堆叠式触点与所述虚栅极电隔离<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述在触点上沉积盖层，也未描述利用侧壁隔离层将堆叠式触点与虚栅极隔离的结构。 | 该特征涉及堆叠式触点上方的保护性盖层以及通过隔离层实现的特定电隔离关系。对比文件未公开任何相关技术内容。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：以及穿过所述电介质层的第一通孔，所述第一通孔落在所述虚栅极上并通过所述盖层的一部分直接落在所述第一堆叠式触点的所述表面上以将所述第一堆叠式触点和所述第一有源触点电耦合至所述虚栅极以使所述虚栅极接地。<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述“通孔”结构，也未描述通过通孔连接虚栅极和堆叠式触点以实现接地的具体方案。 | 目标专利该特征的核心是通过一个通孔同时接触虚栅极和堆叠式触点，从而形成接地路径。对比文件中，虚设晶体管的栅极虽然被连接到VDD或VSS，但其连接方式是宏观的布线连接（如通过铝配线连接到电源/地线），并未公开使用“通孔”这种垂直互连结构，更没有公开通孔穿过介质层并同时落在栅极和堆叠式触点上的复杂三维连接方案。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：直接耦合在所述虚栅极和所述第一通孔之间的栅极触点，所述栅极触点在侧壁上具有第二隔离层，所述栅极触点被自对齐到所述第一有源触点以及和所述第一堆叠式触点自对齐。<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述位于栅极和通孔之间的“栅极触点”，也未涉及“自对齐”工艺或侧壁上具有隔离层的栅极触点结构。 | 该特征是目标专利中实现精细互连的关键细节，涉及额外的栅极触点层及其自对齐制造工艺。对比文件完全不涉及此类先进的互连结构和制造技术。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，进一步包括：毗邻于所述虚栅极的第二有源触点<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未明确描述在虚设晶体管栅极另一侧毗邻的“第二有源触点”。 | 对比文件的布局图中，虚设晶体管可能位于活性晶体管的旁边，但并未具体指出与虚设晶体管栅极相邻的、作为独立技术特征的“第二有源触点”。无法从对比文件中明确或隐含地得出此特征。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：以及相邻的堆叠式触点，所述相邻的堆叠式触点电耦合至所述第二有源触点并和所述第二有源触点对齐，且和所述第一通孔自对齐，以将所述相邻的堆叠式触点与所述第一通孔电隔离。<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述“堆叠式触点”，也未描述其与通孔自对齐以实现电隔离的关系。 | 该特征描述了另一个堆叠式触点及其与第一通孔之间的自对齐隔离关系。对比文件未公开任何堆叠式触点或自对齐互连技术。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述第一通孔和所述栅极触点自对齐，并且所述第一堆叠式触点的所述侧壁上的所述第一隔离层被安排成至少部分地与所述第一有源触点交叠，所述第一隔离层的交叠部分将所述第一堆叠式触点的一部分与所述第一通孔的一部分电隔离。<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述通孔、栅极触点、堆叠式触点之间的自对齐关系，也未描述隔离层的交叠设计。 | 该特征是目标专利中非常具体的布局和隔离设计细节。对比文件完全不涉及此类互连结构的几何关系和隔离方案。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，进一步包括：有源栅极<br>《直接公开》 | [0016]：“PS1,PS2,PS3が、P型拡散領域と交わる部分がPチャネルトランジスタP1,P2,P3であり、N型拡散領域と交わる部分がNチャネルトランジスタN1,N2,N3である。”（译文：PS1、PS2、PS3与P型扩散区域相交的部分是P沟道晶体管P1、P2、P3，与N型扩散区域相交的部分是N沟道晶体管N1、N2、N3。） | 对比文件明确公开了构成“活性なトランジスタ”（活性晶体管）的栅极，即P沟道晶体管P1、P2、P3和N沟道晶体管N1、N2、N3的栅极（PS1, PS2, PS3）。这些是用于实现电路功能的“有源栅极”。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出半导体器件中包含有源栅极的技术方案。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M**：毗邻于所述有源栅极的第二有源触点<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未明确描述与有源栅极毗邻的、作为独立技术特征的“第二有源触点”。 | 虽然对比文件公开了有源栅极（活性晶体管的栅极），并且可以推断在扩散区上需要设置触点以实现电连接，但对比文件本身并未具体指出或描述一个明确的、毗邻于某个特定有源栅极的“第二有源触点”。该特征在目标专利中有其特定的上下文和结构关系。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：第二堆叠式触点，所述第二堆叠式触点被电耦合至所述第二有源触点且在侧壁上包括将所述第二堆叠式触点与所述有源栅极电隔离的第二隔离层<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述“堆叠式触点”及其侧壁隔离层。 | 该特征涉及堆叠式触点及其隔离结构。对比文件未公开任何相关内容。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：以及电耦合至所述有源栅极且和所述第二堆叠式触点自对齐的第二通孔。<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件未描述“通孔”结构，也未描述通孔与堆叠式触点自对齐的技术。 | 该特征涉及另一个通孔及其自对齐关系。对比文件未公开任何通孔或自对齐互连技术。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。<br>《未公开》 | 无相应原文引用。对比文件全文未提及将所述半导体器件或集成电路集成到任何具体的终端应用设备中。 | 该特征是关于专利保护范围的用途限定。对比文件仅涉及集成电路的布局结构和验证方法本身，并未披露其具体的最终应用产品。因此，技术特征P未被公开。 |
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