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对比文件列表
1997-11-04_发明专利_JPH09289251A Layout structure of semiconductor integrated circuit and its verification method_+++A_L+++.docx
2026-02-20 00:22
1999-01-26_发明授权_US5864156A Isolated plugged contacts_+++C_D_E_L_N_a_b_i_m+++.docx
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2001-04-11_发明专利_TW429580B 形成接觸開孔之半導體加工方法、形成電氣連接及互連之方法、及積體電路_+++a_l+++.docx
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2001-11-20_发明授权_US06320234B1 Semiconductor memory device and method for manufacturing the same_+++L_a_i_m_p+++.docx
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2002-07-26_发明专利_JP2002208643A Structure of semiconductor device and manufacturing method thereof_+++A_B_C_D_E_I_L_M+++.docx
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2005-11-22_发明授权_US06967866B2 Semiconductor memory and semiconductor integrated circuit_+++A_B_I_L_M_c_e+++.docx
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2007-06-28_发明申请_US20070145519A1 Butted contact structure_+++A_L_b_c_e_i_m+++.docx
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2009-04-28_发明授权_US07525173B2 Layout structure of MOS transistors on an active region_+++A_B_I_L_M_c_e+++.docx
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2012-04-26_发明申请_US20120098073A1 Semiconductor Device_+++A_H_L_M+++.docx
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2013-04-18_发明申请_US20130093020A1 MOSFET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME_+++A_C_L_M_b_e_i+++.docx
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2013-06-06_发明申请_WO2013081767A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS_+++C_D_E_L_M_N_P_a_b_f_h_i_o+++.docx
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2013-09-26_发明申请_US20130248990A1 SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_C_D_E_i_l_m+++.docx
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2014-02-06_发明申请_US20140035048A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME_+++B_E_I_M_N_P_a_c_d_l+++.docx
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2014-02-11_发明公开_KR1020140017294A 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법_+++C_D_P_a_b_e_g_i_l_m_n+++.docx
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2014-07-17_发明公开_KR1020140090680A 자기 정렬 접점 및 국부 상호접속부를 형성하는 방법_+++B_C_D_E_H_I_L_M_N_a_b_f_g_j_k_o_p+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-07-23_发明公开_CN103946971A 用于形成自对准触点和局部互连的方法_+++B_C_E_a_d_f_p+++.docx
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2014-09-16_发明授权_US08835245B2 Semiconductor device comprising self-aligned contact elements_+++A_B_C_D_E_I_L_M_N_O_f_g_j+++.docx
2026-02-20 00:22
2014-09-24_发明公开_EP2780937A1 METHOD OF FORMING SELF -ALIGNED CONTACTS AND LOCAL INTERCONNECTS_+++B_C_D_E_I_L_M_N_a_f_g_h_j_k_o_p+++.docx
2026-02-20 00:22
2015-01-19_发明专利_JP2015502039A 自己整合コンタクト及びローカル相互接続を形成する方法_+++B_C_D_E_H_I_L_M_N_a_f_g_j_k_p+++.docx
2026-02-20 00:22
1997-12-23_发明授权_US5700706A Self-aligned isolated polysilicon plugged contacts_+++A_a+++.docx
2026-02-23 21:22
2006-06-20_发明授权_US07064222B2 Processes for the preparation of 2-methylfuran and 2-methyltetrahydrofuran_+++A+++.docx
2026-02-23 21:22
2011-07-13_发明专利_JP4720601B2 Working machine engine_+++A_b_d_i_l+++.docx
2026-02-23 21:22
2014-07-17_发明申请_US20140197494A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS_+++A_L_a_l+++.docx
2026-02-23 21:22
2014-07-17_发明申请_US20140197494A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS_+++A_L_a_l+++.docx

**对比文件名称**:2014-07-17_发明申请_US20140197494A1 TRENCH SILICIDE AND GATE OPEN WITH LOCAL INTERCONNECT WITH REPLACEMENT GATE PROCESS

**目标专利名称**:缩放布局设计中将虚栅极接地CN105981157B

**本次调用模型名称**:公开性判断模型

**分析与结论**:

目标专利权利要求的技术特征A至L涉及一种基于传感器温度测量、活动测量、功率转换、热量模型参数解释和温度调节的热管理方法。这些特征明确指向计算机体系结构或系统级别的功耗与温度监控技术。

对比文件涉及半导体制造工艺,具体公开了在替代栅极工艺中形成自对准沟槽接触、栅极开口和局部互连结构的方法。其全部内容均围绕半导体器件(如晶体管)的物理结构、材料层、蚀刻工艺和电连接方案展开。

经逐项比对,对比文件未提及任何与温度传感器、活动测量(电流、性能)、功率转换、存储的热量模型参数、温度偏移计算或调节相关的技术内容。对比文件与目标专利权利要求的技术特征属于完全不同的技术领域(半导体器件制造 vs. 系统热管理),不存在技术主题的交集或启示。

因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开目标专利权利要求的任何技术特征A至L。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包括:从传感器接收区的温度测量值<br>**判断结果:未公开**无对比文件全文涉及半导体器件的结构(如栅极、源/漏、隔离层)和制造工艺(如沉积、蚀刻、化学机械抛光),没有任何关于“传感器”、“温度测量”或“接收温度测量值”的记载。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该技术特征。
**技术特征B**:测量所述区的活动,所测量的活动包括流动于包含所述裸片的装置中的电流或包含所述裸片的所述装置的性能<br>**判断结果:未公开**无对比文件描述的是形成物理互连以电连接栅极和源/漏极,未涉及对装置“活动”的“测量”,也未提及测量“电流”流动或装置“性能”。该特征与对比文件的技术主题无关。
**技术特征C**:所述性能至少部分基于确定高速缓存未命中的数量或管线暂停的数量<br>**判断结果:未公开**无对比文件未涉及任何计算机体系结构层面的性能指标,如“高速缓存未命中”或“管线暂停”。本领域技术人员无法从半导体制造工艺文献中毫无疑义地得出或合理推断出此类特征。
**技术特征D**:将所测量的活动转化为所述区的功率<br>**判断结果:未公开**无对比文件未记载任何将“活动”转化为“功率”的过程、模块或计算。该特征属于系统功耗监控范畴,与对比文件的器件互连结构主题无关联。
**技术特征E**:通过参考所存储的热量模型参数来解释所述区的所述功率或所述活动来导出温度偏移<br>**判断结果:未公开**无对比文件未提及“所存储的热量模型参数”、“解释”功率或活动、或“导出温度偏移”等概念。这些是热管理算法的典型特征,在半导体结构专利中未被公开或暗示。
**技术特征F**:以及至少部分地基于所述温度偏移调节所述温度测量值。<br>**判断结果:未公开**无对比文件未涉及任何形式的“温度测量值调节”。该特征延续了前述热管理控制回路的概念,在对比文件中无任何基础。
**技术特征G**:其中所述所存储的热量模型参数包含与温度差匹配的所估计的功率。<br>**判断结果:未公开**无对比文件未公开任何“存储的热量模型参数”,更未公开其具体内容(如与温度差匹配的估计功率)。
**技术特征H**:其中所述所存储的热量模型参数包含与绝对温度匹配的所估计的功率。<br>**判断结果:未公开**无同上,对比文件未公开任何“存储的热量模型参数”及其具体内容。
**技术特征I**:其中所述所测量的活动包括电流流动穿过电源开关。<br>**判断结果:未公开**无对比文件中的“开关”指晶体管本身,但文件未记载对流过晶体管(作为电源开关)的电流进行“测量”。该特征仍属于活动监测范畴,未被公开。
**技术特征J**:其中所述所测量的活动包括至少部分地基于所述裸片的所述装置的所述性能。<br>**判断结果:未公开**无该特征是对特征B的进一步限定,重申活动测量基于装置性能。如前所述,对比文件未涉及装置性能的测量。
**技术特征K**:其中所述性能的测量值是至少部分地基于性能计数器确定的。<br>**判断结果:未公开**无“性能计数器”是计算机系统中的硬件或软件模块,用于统计特定事件。对比文件作为半导体器件制造专利,未公开任何与“性能计数器”相关的内容。
**技术特征L**:其中所述活动的测量以及所述区所消耗的功率转换是通过数字功率监测器/计量器执行的。<br>**判断结果:未公开**无“数字功率监测器/计量器”是实现功耗监控的特定硬件或软件单元。对比文件仅描述物理互连结构和工艺,未公开任何形式的功率监测或计量装置。

**结论**:对比文件未直接或隐含公开目标专利权利要求的任何技术特征A至L。因此,不在回答中插入任何对应的公开性判断代码(<<<A>>>至<<<L>>>或<<<a>>>至<<<l>>>)。

权利要求与技术特征
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