**对比文件名称：** US2011304013A1_Description_20260219_0634
**目标专利名称：** 190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用的模型名称：** 深度思考与严谨比对模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括基板**<br>《直接公开》 | [0039]段：“providing a substrate 310. In a specific embodiment, substrate 310 is a silicon wafer.”<br>（提供衬底310。在一具体实施例中，衬底310是硅片。） | 对比文件明确公开了“硅衬底”，其作为器件的基础支撑结构，其作用与本领域通常理解的基板（支撑和承载上层结构）相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该特征，故被直接公开。 |
| **技术特征B：布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器**<br>《未直接公开或隐含公开》 | [0042]段：“forming an inductor having a first portion 330 and a second portion 340... the first portion of the inductor includes a conducting coil...”<br>（形成具有第一部分330和第二部分340的电感器……电感器的第一部分包括导电线圈……）<br>附图3, 7等展示了螺旋线圈结构。 | 对比文件公开了布置在基板（衬底）上的螺旋电感器（导电线圈）。然而，对比文件始终未描述该电感器是“梯度层堆叠电感器”。“梯度层堆叠”在目标专利中指电感器在垂直方向的厚度从最内匝到最外匝连续变化（梯度增大）。对比文件未公开电感器匝的厚度有任何变化，更未公开这种按梯度规律变化的层堆叠结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件描述了电感器线圈（如第一部分330）的形成，但未对其“最内匝”进行划分，也未提及最内匝中特定“第一部分”的“厚度”概念。 | 目标专利明确限定了最内匝的特定部分（第一部分）具有特定的第一厚度，这是实现其梯度厚度设计的基础特征。对比文件仅描述了线圈的宏观形状和位置，未涉及匝内不同区域的厚度差异。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推理出该具体技术特征。 |
| **技术特征D：所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 同技术特征C，对比文件未对最内匝进行分区，也未提及不同部分的厚度。 | 该特征与特征C紧密相关，共同定义了最内匝的厚度变化起点。对比文件未公开任何关于电感器匝内厚度变化的信息，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件未公开最内匝存在两个具有不同厚度的部分，因此更不可能公开这两个厚度之间的大小关系。 | 该特征定义了最内匝自身厚度的变化（第二部分比第一部分厚）。这是实现“梯度”的起始段。对比文件完全没有相关描述，无法得出。 |
| **技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件未公开最内匝被划分为多个部分并具有不同厚度。 | 该特征进一步划分了最内匝，定义了厚度继续增大的第三部分。对比文件无相应内容。 |
| **技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 由于对比文件未公开第一、第二、第三厚度及其具体数值或相对关系，因此该大小比较关系无从谈起。 | 该特征限定了厚度递增的顺序。对比文件未提供任何进行此类比较的基础信息。 |
| **技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件全文未提及电感器（无论是整体还是匝内）在垂直方向上的厚度有任何变化，也未提及“梯度增大”这一核心概念。 | 该特征是权利要求的核心，限定了厚度在电感器最内匝内部即开始按梯度连续变化。对比文件关注于在电感器下方形成空腔以降低寄生电容，其技术手段和目的（提高Q值）与目标专利通过改变电感器自身厚度来减小涡流损耗完全不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。**<br>《未直接公开或隐含公开》 | [0042]段：“forming an inductor having a first portion 330 and a second portion 340... the first portion of the inductor includes a conducting coil...”<br>（形成具有第一部分330和第二部分340的电感器……电感器的第一部分包括导电线圈……）<br>对比文件未描述电感器由多个“导电螺旋”层堆叠构成，也未描述这些螺旋之间的覆盖关系、端部位置以及它们在不同匝（特别是最内匝的特定部分和最外匝）中的具体分布。 | 该特征详细定义了实现梯度厚度的具体层叠结构：两个导电螺旋的特定覆盖和分布方式。对比文件中的电感器线圈可能由单层金属制成（如图3，7所示），或未披露其多层螺旋堆叠的具体拓扑关系。本领域技术人员无法从对比文件推断出如此具体且旨在实现厚度梯度变化的结构安排。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件未公开存在两个具有特定长度关系的导电螺旋。 | 该特征进一步限定了两个导电螺旋的长度关系，是构建特定厚度分布的必要条件。对比文件无相应内容。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件未公开在电感器线圈结构内部存在位于两个螺旋之间的“导电层”，也未描述该导电层与螺旋端部的包含关系。 | 该特征引入了额外的导电层来构建更复杂的厚度阶梯。对比文件的层结构围绕绝缘层、钝化层和可能的下层空腔，而非目标专利中这种旨在调制厚度的中间导电层。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件未公开“导电层”，因此更不可能公开该导电层是否为非连续螺旋。 | 该特征是对可能存在的导电层形状的进一步限定。由于对比文件未公开该导电层，此特征无从谈起。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件未公开“导电层”，因此也无法公开该导电层是否包含引线。 | 同上，该特征基于未被公开的上一级特征，故未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。**<br>《隐含公开》 | [0044]段：“forming a first passivation layer Passivation_1 410 overlying the inductor structure...” 和 “forming a second passivation layer Passivation_2 420 over the inductor structure...”<br>（在电感器结构之上形成第一钝化层Passivation_1 410……在电感器结构之上形成第二钝化层Passivation_2 420……） | 对比文件明确公开了在电感器结构上形成钝化层（Passivation_1, Passivation_2）。虽然对比文件未明确说明钝化层位于两个“导电螺旋”之间（因其未公开两个导电螺旋的结构），但其公开了在电感器金属结构（可视为广义的导电层）上覆盖钝化层的技术手段。本领域技术人员知晓，在多层金属结构中，钝化层常用于层间绝缘。因此，可以合理推断，如果存在多层导电螺旋结构，在它们之间设置钝化层是一种常规的、用于电绝缘和保护的可行技术选择。尽管在对比文件中钝化层的作用可能更侧重于整体保护，但实现层间绝缘这一功能是相通的。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。**<br>《直接公开》 | [0042]段：“The method also includes forming a connecting portion 335 which connects the first portion with the second portion... In a specific embodiment, the connecting portion 335 is formed using a via formation process.”<br>（该方法还包括形成连接部分335，其将第一部分与第二部分连接起来……在一具体实施例中，连接部分335使用通孔形成工艺制成。）<br>[0048]段：“One terminal of the coil is connected to the second portion 730 through a via 735.”<br>（线圈的一个端子通过通孔735连接到第二部分730。） | 对比文件明确公开了使用通孔（via）来连接电感器的不同部分（例如线圈部分和引线部分）。虽然对比文件连接的是“第一（线圈）部分”和“第二（引线/导体）部分”，而目标专利连接的是“第一导电螺旋”和“第二导电螺旋”，但两者在技术上均是通过穿过绝缘介质（在目标专利中是钝化层，在对比文件中是层间介质）的通孔来实现不同导电层之间的电连接。其作用和实现方式在本领域是相同和公知的。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。**<br>《未直接公开或隐含公开》 | 对比文件未公开最内匝存在第一部分和第二部分，也未公开这两个部分的厚度，更未公开它们之间存在单调递增的关系。 | 该特征是对最内匝厚度变化规律的总结。对比文件完全未涉及电感器自身厚度的变化，因此该特征未被公开。 |
<<<A>>><<<o>>>