对比文件名称：US2015130579A1_Description_20260219_0500
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
本次调用的模型名称：deepseek-ai/DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | [0034] "In one example, the process may use a substrate formed of an insulator, glass, an alkaline earth boro-aluminosilicate glass, Silicon (Si), Gallium Arsenide (GaAs), Indium Phosphate (InP), Silicon Carbide (SiC), a glass-based laminate, sapphire (Al2 O3 ), quartz, a ceramic, Silicon on Insulator (SOI), Silicon on Sapphire (SOS), high resistivity Silicon (HRS), Aluminum Nitride (AlN), a plastic, or a combination thereof." | 对比文件在描述制造过程时明确提到了使用各种材料形成的“substrate（基板）”。该基板是制造过程的一部分，用于承载或形成螺旋电感器，这与目标专利中基板作为电感器支撑结构的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：以及<br>布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>《未公开》 | 对比文件整体描述了“multi spiral inductor（多螺旋电感器）”，例如[0018]中提到了第一螺旋110和第二螺旋120的堆叠配置。然而，全文未提及电感器是“梯度层堆叠（gradient layer stacked）”类型。对比文件关注于改变匝间距（turn spacing）和迹线宽度（trace width）以提高Q因子，并未涉及或暗示在垂直于基板方向上的厚度存在“梯度”变化。 | 目标专利中“梯度层堆叠电感器”的核心特征在于电感器在垂直于基板方向上的厚度根据梯度而增大（参见特征H）。对比文件公开的“multi spiral inductor”是一种堆叠的螺旋电感器，但其描述的变化（如匝间距、迹线宽度）均发生在平行于基板平面的方向上。对比文件未提及，本领域技术人员也无法从对比文件的内容中推理出该电感器在垂直方向上具有梯度变化的厚度。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》 | 对比文件未提及螺旋电感器在“垂直于基板方向上的厚度”。对比文件提及了“trace width（迹线宽度）”（如W1, W2），例如[0019]：“the first spiral 110 has a fixed trace width W1”。但“trace width”通常被理解为平行于基板平面的导体宽度，与目标专利中定义的“在垂直于基板的方向上的厚度”是完全不同的维度。 | 目标专利明确区分了“厚度（垂直于基板）”和“迹线宽度（通常平行于基板）”。对比文件仅公开了可变迹线宽度，未提及或暗示导体在垂直方向上的尺寸（即厚度）存在变化，更未具体限定最内匝的某一部分具有特定的垂直厚度。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>《未公开》 | 同上，对比文件未提及螺旋电感器在垂直于基板方向上的厚度，因此也未公开最内匝第二部分具有特定的第二厚度。 | 该特征与技术特征C紧密相关，同样是关于垂直方向上的厚度。由于对比文件未公开任何关于垂直厚度的信息，故该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>《未公开》 | 对比文件未公开第一厚度和第二厚度，因此也无法公开二者的大小关系。 | 该特征是厚度之间的比较关系，其前提（垂直厚度）未被公开，故该关系本身也未被公开。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>《未公开》 | 同上，对比文件未提及螺旋电感器在垂直于基板方向上的厚度，因此也未公开最内匝第三部分具有特定的第三厚度。 | 该特征与技术特征C、D类似，同样是关于垂直方向上的厚度。由于对比文件未公开任何关于垂直厚度的信息，故该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>《未公开》 | 对比文件未公开第一、第二、第三厚度，因此也无法公开它们之间的大小关系。 | 该特征是多个厚度之间的比较关系，其前提（多个垂直厚度）未被公开，故该关系本身也未被公开。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》 | 对比文件未提及电感器在垂直于基板方向上的厚度，更没有描述这种厚度沿着最内匝按照梯度（gradient）方式增大。对比文件提及的“vary（变化）”是针对迹线宽度和匝间距，且变化方式可以是线性的、指数的等（参见[0020]），但这发生在平面内，而非垂直方向。 | 目标专利的核心发明点之一在于垂直方向厚度的梯度变化以优化性能。对比文件完全没有涉及导体在垂直方向（Z轴）的尺寸变化，其优化思路（改变平面内的匝间距和宽度）与目标专利不同。因此，本领域技术人员无法从对比文件中推理出该技术特征。 |
| **技术特征I**：其特征在于：<br>所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《隐含公开》 | [0018] “The multi spiral inductor 130 includes a first spiral (e.g., a first planar spiral inductor) 110 and a second spiral (e.g., a second planar spiral inductor) 120 in a stacked configuration and connected by a via 132 .” <br>[0018] “In an illustrative embodiment, the first spiral 110 is located on a first (e.g., lower) layer of a multilayer device, the second spiral 120 is located on a second (e.g., higher) layer of the multilayer device...” | 对比文件直接公开了螺旋电感器包括第一螺旋和第二螺旋，并且二者以堆叠配置（stacked configuration）布置，这意味着一个螺旋在垂直方向上覆盖另一个螺旋。基于堆叠结构的通常理解，位于上层的螺旋（第二螺旋120）会覆盖位于下层的螺旋（第一螺旋110）。关于最内匝各部分具体由哪个螺旋的哪一端构成，对比文件没有明确描述。然而，在堆叠螺旋电感器中，为了实现电连接和形成连续的螺旋路径，本领域技术人员可以理解，需要通过通孔（via 132）将上下螺旋连接起来，这隐含了不同螺旋的端部在垂直方向上会有重叠或连接区域，从而可能构成目标专利中描述的最内匝的不同部分（如一部分仅包含下层螺旋，另一部分包含上下层螺旋的连接处）。因此，该特征的整体构思（两个堆叠的螺旋，一个覆盖另一个，且最内匝和外匝由两个螺旋的不同部分构成）可以被认为被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》 | 对比文件未提及第一螺旋和第二螺旋的长度关系。图1显示两个螺旋具有相同的匝数（2.75匝），但未明确比较它们的物理长度。 | 目标专利明确限定了第二导电螺旋的长度大于第一导电螺旋的长度。对比文件没有描述或暗示两个螺旋之间存在这种特定的长度关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》 | 对比文件描述的结构是第一螺旋和第二螺旋通过通孔直接连接（如via 132），并未提及在第一螺旋和第二螺旋之间存在一个额外的、独立的“导电层”。对比文件中的“layer”指的是器件中的层级（如第一层、第二层），而非插入在两个螺旋之间的功能性子层。 | 目标专利明确限定了一个额外的导电层位于两个导电螺旋之间，并参与构成最内匝的第二部分。对比文件的结构是两层螺旋直接通过通孔互连，没有公开这样的中间导电层。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》 | 对比文件未公开技术特征K中的“导电层”，因此也无法公开该导电层是否包括非连续螺旋。 | 该特征是对技术特征K中导电层具体形态的进一步限定。由于技术特征K未被公开，其从属特征L也未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》 | 对比文件未公开技术特征K中的“导电层”，因此也无法公开该导电层是否包括输入/输出引线。 | 该特征是对技术特征K中导电层功能的进一步限定。由于技术特征K未被公开，其从属特征M也未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《未公开》 | 对比文件在描述制造过程时提到可能形成“passivation layers（钝化层）”（参见[0049]），但并未明确说明该钝化层是形成在第一螺旋和第二螺旋之间。其上下文更可能是指在整个器件上形成钝化层。 | 目标专利明确限定钝化层位于两个导电螺旋之间。对比文件没有明确公开这样的特定位置关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《直接公开》 | [0018] “The multi spiral inductor 130 includes a first spiral 110 and a second spiral 120 in a stacked configuration and connected by a via 132 .” <br>[0049] “...the fabrication equipment may be configured to form one or more spirals, to form one or more passivation layers, to form one or more vias...” | 对比文件直接公开了第一螺旋和第二螺旋通过通孔（via 132）连接。虽然对比文件没有明确说明通孔是否穿过一个位于两者之间的“钝化层”，但在多层集成电路制造中，通孔通常需要穿过层间介质（可能包含钝化材料）以实现不同金属层之间的电连接。结合对比文件提到了形成钝化层和通孔，本领域技术人员能够毫无疑义地理解，为了实现堆叠螺旋之间的连接，通孔必然会延伸穿过位于它们之间的绝缘介质（可视为钝化层的一部分）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》 | 对比文件未提及螺旋电感器在垂直于基板方向上的厚度，因此也未公开该厚度沿着最内匝单调递增。 | 该特征是对垂直方向厚度变化趋势的进一步限定。由于对比文件未公开任何关于垂直厚度的信息（如特征C、D），故该变化趋势也未被公开。 |
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