# 特征比对分析
**对比文件名称**：2013-05-23_WO2013072775A_发明申请_WO2013072775A2 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE
**目标专利名称**：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
**调用模型**：DeepSeek
根据目标专利说明书，其核心在于提供一种低剖型封装，通过在基板的第一表面（例如面向电路板的表面）设置凹陷以容纳互连结构（如焊球），从而降低整体封装高度，同时利用延伸穿过基板非凹陷部分的穿基板通孔（第一穿基板通孔）来形成嵌入式电感器等无源器件，以维持稳健的电感性能。重分布层用于将凹陷内的互连电耦合至穿基板通孔。
对比文件公开了一种包括半导体基板的封装组件，其同样在基板一侧（第一侧Al）形成沟槽（trenches）以容纳焊球，旨在增加焊球与基板的接触面积，改善应力耐受性。对比文件也公开了穿硅通孔（through-silicon vias）和重分布层。
以下是严格按照目标专利权利要求划分的技术特征比对表格。
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板《直接公开》** | [0024]段： “FIG. 1 schematically illustrates an example package assembly 100 including a semiconductor substrate 102. As used herein, the semiconductor substrate 102 refers to a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si).” | 对比文件明确公开了封装组件包括一个半导体基板（semiconductor substrate 102）。这与目标专利中“基板”的特征相同。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷《直接公开》** | [0036]段： “However, the semiconductor substrate 102a includes recessed trenches 105 that are configured to receive solder balls 112.” <br> [0040]段： “Multiple trenches 105 are defined within the semiconductor substrate 102a by etching the semiconductor substrate 102a. The trenches 105 are configured to receive solder balls 112.” <br> 图1A、1B也示意了沟槽105。 | 对比文件明确公开了在半导体基板102a的第一侧Al上定义了多个凹陷的沟槽（recessed trenches 105），用于接收焊球112。这对应于目标专利中“在基板的第一表面中的第一凹陷”这一结构特征。两者作用相同，都是为容纳互连结构（焊球）提供空间。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分《隐含公开》** | [0051]段： “As can be seen in FIG. IB, through-silicon vias 111 can be included within silicon substrate 102a.” <br> [0059]段： “Referring to FIG. 2F, if desired, through-silicon vias 111 can be created within the silicon substrate 102a.” | 对比文件公开了在硅基板102a中可以包括穿硅通孔111。这些通孔从基板的一侧延伸到另一侧，其形成独立于沟槽105的制造步骤（参见图2D-2F，先形成沟槽，再形成通孔）。虽然对比文件未明确文字描述这些通孔“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”，但附图1B和制造流程显示，通孔111与沟槽105是基板上不同的结构特征。本领域技术人员结合附图1B和制造描述（图2D-2F），能够毫无疑义地理解，穿硅通孔111是穿过基板主体的结构，其位置可以位于没有形成沟槽的基板区域，即“非凹陷部分”。因此，技术特征C被隐含公开。 |
| **技术特征D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端《隐含公开》** | [0051]段及图1B： “As can be seen in FIG. IB, through-silicon vias 111 can be included within silicon substrate 102a.” | 对比文件图1B显示了穿硅通孔111的端部位于基板的第一表面Al上。同时，该表面Al上也有用于容纳焊球112的沟槽105。虽然对比文件文字未明确描述通孔端部“毗邻”凹陷，但附图1B展示的布局中，通孔111和沟槽105均位于同一表面Al上。本领域技术人员在实施对比文件的技术方案时，为了进行电路连接，完全有可能且合理地安排某些穿硅通孔的端部位置靠近（即毗邻）某个沟槽，以便通过重分布层进行电连接。这种布局安排属于本领域常规设计选择。因此，技术特征D被隐含公开。 |
| **技术特征E：，其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器《未被公开》** | 无相应内容。 | 对比文件虽然公开了穿硅通孔111，但从未描述或暗示将这些通孔通过基板第二表面上的导体相互耦合以形成嵌入式电感器。对比文件中通孔的作用是提供垂直电连接（例如连接两侧的重分布层，或连接半导体管芯与电路板），并未涉及利用通孔对形成电感器这一特定无源器件结构。这与目标专利中旨在维持稳健电感的嵌入式电感器核心构思不同。因此，技术特征E既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《直接公开》** | [0036]段： “However, the semiconductor substrate 102a includes recessed trenches 105 that are configured to receive solder balls 112.” <br> [0048]段： “One or more package interconnect structures such as, for example, one or more solder balls 112 or bumps can be formed on the one or more interconnect layers 106 within the trenches 105...” | 对比文件明确公开了焊球112作为封装互连结构，被接收（formed on...within）在沟槽105内，并且通过沟槽内的互连层106（参见[0041]段）耦合至沟槽。这完全对应于目标专利中“第一互连被包括在第一凹陷内并且被耦合至第一凹陷”的技术特征。因此，技术特征F被直接公开。 |
| **技术特征G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一《隐含公开》** | [0041]段： “One or more interconnect or redistribution layers 106 are formed on the semiconductor substrate 102a to cover at least portions of the first side Al of the semiconductor substrate 102a. The portions covered by the interconnect layers 106 include at least the trenches 105.” <br> [0051]段： “The through-silicon vias 111 can allow for electrical coupling of the two redistribution layers 106, 109 as well as components on or within the silicon substrate 102a.” | 对比文件公开了在第一表面Al上形成重分布层106，其覆盖了包括沟槽105在内的区域，用于路由电信号。同时，对比文件公开了穿硅通孔111可以用于电耦合两侧的重分布层106和109。本领域技术人员能够理解，重分布层106的一个基本功能就是进行电连接和路由。为了将沟槽105内的焊球112（第一互连）的信号引出或引入，通过重分布层106的布线将其连接至一个穿硅通孔111，是再自然不过的常规电连接方式。虽然对比文件没有明确文字记载“重分布层将焊球耦合至穿硅通孔之一”，但这种连接是实现垂直互连的必然且合理的用途。因此，技术特征G被隐含公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器《未被公开》** | [0055]段及图2C： “For example, an example capacitor 222 and an example electro-static discharge (ESD) protection device 224 can be formed on the semiconductor substrate 102 as depicted in region 275 of the semiconductor substrate 102.” | 对比文件确实公开了可以在基板（102）上形成电容器222。然而，该电容器222被描述为形成在基板的“第一侧Al”上（参见[0055]段：”one or more devices...can be formed on the first side Al of the semiconductor substrate 102”），而非“毗邻对向的第二表面”。更重要的是，目标专利中的“第二穿基板通孔”特指从凹陷延伸到第二表面的、长度缩短的通孔，用于以更低寄生参数耦合电容器。对比文件完全没有公开这种从凹陷起始的、长度缩短的“第二穿基板通孔”，也没有描述任何穿基板通孔专门电耦合至电容器。因此，技术特征H既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔《未被公开》** | 无相应内容。 | 由于技术特征E（形成嵌入式电感器）未被公开，作为其进一步限定的技术特征I（电感器包括至少两个第一穿基板通孔）自然也未被公开。对比文件中没有涉及利用穿基板通孔形成电感器的任何内容。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器《未被公开》** | 无相应内容。 | 同理，由于嵌入式电感器这一概念本身未被公开，其数量特征“多个”也未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球《未被公开》** | [0024]段： “...the semiconductor substrate 102 refers to a substrate or interposer that substantially comprises a semiconductor material such as, for example, silicon (Si).” | 对比文件明确且一贯地将基板描述为“半导体基板”，其主要材料是硅等半导体材料。这与目标专利中“玻璃基板”的限定完全不同。虽然“第一互连包括焊球”这一部分被公开（技术特征F），但技术特征K是将“玻璃基板”和“焊球”作为一个组合特征来限定的。基板材质的差异是实质性区别。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱《未被公开》** | [0024], [0037]段： 基板被公开为半导体基板（如硅）。<br> [0036], [0048]段： 第一互连被公开为焊球（solder balls）。 | 对比文件公开了“基板包括半导体基板”，但公开的“第一互连”是焊球，而非“金属柱”。金属柱（如铜柱）是另一种互连形式。对比文件未提及或暗示使用金属柱作为沟槽内的互连。因此，技术特征L未被完全公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球《未被公开》** | 无相应内容。 | 对比文件自始至终将基板描述为半导体（硅）基板，从未提及有机基板。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球《未被公开》** | 无相应内容。 | 同上，对比文件未公开有机基板。技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷《直接公开》** | [0040]段： “Multiple trenches 105 are defined within the semiconductor substrate 102a...” | 对比文件公开了在基板第一表面定义了“多个”（Multiple）沟槽105。这必然包括至少两个凹陷，即“第一凹陷”和“第二凹陷”。因此，技术特征O被直接公开。 |
| **技术特征P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球《隐含公开》** | [0048]段： “One or more package interconnect structures such as, for example, one or more solder balls 112 or bumps can be formed on the one or more interconnect layers 106 within the trenches 105 to further route the electrical signals of the one or more semiconductor dies 108.” <br> [0049]段： “The package assemblies 100a, 100b can be electrically coupled to other substrates or electrical devices such as a printed circuit board (PCB) 150... using the one or more solder balls 112...” | 对比文件公开了在多个沟槽105内形成焊球112，用于将封装组件电耦合至印刷电路板150。焊球在封装中通常同时具备电连接和机械固定的双重功能。本领域技术人员知晓，在一些设计中，可以有意地将某些焊球仅用于提供机械支撑和紧固，而不传输电信号（例如，将其连接到接地或电源平面以实现机械固定而非信号路由）。虽然对比文件未明确文字指出某些焊球“仅具有机械功能”，但基于焊球的通用功能和设计自由度，这种使用方式是本领域技术人员能够合理推断出的设计选项。因此，技术特征P被隐含公开。 |
## 结论与代码输出
根据以上分析：
- **直接公开**的技术特征有：A, B, F, O。
- **隐含公开**的技术特征有：C, D, G, P。
- **未被公开**的技术特征有：E, H, I, J, K, L, M, N。
<<<A>>><<<B>>><<<F>>><<<O>>>
<<<c>>><<<d>>><<<g>>><<<p>>>