对比文件名称：2014-12-04_US2014354597A_发明申请_US20140354597A1 IN-CELL MULTIFUNCTIONAL PIXEL AND DISPLAY
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A《直接公开》 | [0024] “Ultrasonic sensors are able to capture information about a fingerprint by emitting an ultrasonic pulse towards a finger positioned on a surface of a platen, which may be a cover glass of a display, and detecting ultrasonic energy reflected from the platen surface.” | 对比文件明确描述了超声波传感器通过检测从压板表面反射的超声波能量来获取指纹信息。其作用与目标专利中“用于检测超声波能量”的超声波接收器相同，都是接收反射的超声波信号。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了用于检测超声波能量的超声波接收器。 |
| 技术特征B《直接公开》 | [0030] “A thin-film transistor (TFT) array 14 on a glass or plastic TFT substrate 16 may be attached.” <br> [0030] “The TFT array 14 can be constructed of one or more circuits and sub-circuits.” | 对比文件明确公开了安置在玻璃或塑料衬底（TFT substrate 16）上的薄膜晶体管（TFT）阵列（TFT array 14）。该阵列由电路和子电路构成，其作用是为传感器提供像素级的信号处理，这与目标专利中“安置在衬底上的像素电路的阵列”作用相同，都是用于超声波接收器的传感阵列基础结构。因此被直接公开。 |
| 技术特征C《隐含公开》 | [0030] “…a layer of piezoelectric polymer 22 that is bonded to or otherwise disposed on a conductive pad that serves as a pixel input electrode on the TFT array 14…” <br> [0032] “In some implementations, a piezoelectric layer such as a piezoelectric polymer 22 may be included as part of an ultrasonic sensor…” | 对比文件公开了在TFT阵列的像素输入电极上设置压电聚合物层（piezoelectric polymer 22）。虽然未明确记载该层是“通过将含有聚合物的溶液涂布到阵列的第一侧上”制造的，但本领域技术人员公知，形成聚合物薄膜的常规方法包括溶液涂布工艺（如旋涂）。对比文件公开了“压电聚合物层”这一结果，结合本领域的公知常识，技术人员能够合理推断出采用溶液涂布是实现该层的一种可行且常规的制造方法。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征D《直接公开》 | [0030] “The TFT array 14 can be constructed of one or more circuits and sub-circuits.” <br> [0030] “…a conductive pad that serves as a pixel input electrode on the TFT array 14, for example, to a field-effect transistor (FET) input of the associated sensor circuit.” <br> [0023] “This disclosure describes an in-cell display device with sensing elements referred to herein as sensors positioned among display elements referred to herein as display pixels or sub-pixels…” | 对比文件公开了TFT阵列包含电路和子电路（即像素电路），并且每个传感器电路（可视为像素电路的一种）包含场效应晶体管（FET，是TFT的一种）元件，并电连接至作为像素输入电极的导电垫。其作用与目标专利相同，都是通过TFT元件和输入电极来传感和读取信号。因此被直接公开。 |
| 技术特征E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层 | 对比文件中未发现关于使聚合物“结晶”以形成“结晶聚合物层”的任何描述。 | 对比文件虽然提及了“压电聚合物层”（piezoelectric polymer layer），但未描述其形成过程包含“结晶”步骤。结晶是目标专利中赋予聚合物压电性能的关键热处理步骤，对比文件未公开该具体工艺。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| 技术特征F《隐含公开》 | [0027] “In the context of this document it is recognized that a piezoelectric material may also exhibit pyroelectric properties. Therefore, when the term ‘piezoelectric’ is used herein, it is implied that the material or device may also exhibit pyroelectric properties.” <br> [0030] “…a layer of piezoelectric polymer 22 that is bonded to or otherwise disposed on a conductive pad that serves as a pixel input electrode on the TFT array 14…” | 对比文件公开了压电聚合物层（piezoelectric polymer 22）设置在像素输入电极上，并明确指出该材料表现出压电特性。具有压电特性意味着材料内部的偶极子已经沿某个方向定向排列，这通常是通过“成极”（极化）工艺实现的。虽然对比文件未明确描述施加电场的成极步骤，但本领域技术人员基于对压电材料基本特性的理解，能够合理推断出为了使聚合物层具有压电性，必然需要对其进行极化处理。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征G《直接公开》 | [0034] “An ITO layer, for example, may be included as part of a color filter array 28 and serve as a TCF electrode 26 for the ultrasonic sensors 20a. TCF electrodes 26 for the ultrasonic sensors 20a may also be referred to as a receiver bias electrode.” <br> [0032] “…first TCF electrode layer 21a may be disposed above the sensor circuits…” | 对比文件明确公开了在传感器电路（及压电层）上设置有透明导电薄膜（TCF）电极（如ITO层），并明确指出该电极可作为超声波传感器的接收器偏置电极（receiver bias electrode）。该电极用于控制信号传递至传感器电路，其作用与目标专利中“经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”的接收器偏置电极完全相同。因此被直接公开。 |
| 技术特征H《直接公开》 | [0034] “The TCF electrode may be formed from materials such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide)… or other conductive materials that are substantially transparent and can be used as electrically conductive films.” <br> [0030] “…a conductive pad that serves as a pixel input electrode…” | 对比文件公开了像素输入电极可以是导电垫，并且用于电极的材料包括ITO、IZO等透明导电薄膜。这直接公开了“像素输入电极是由导电薄膜形成的”这一技术特征。其作用都是提供透明的导电连接。 |
| 技术特征I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 对比文件中未发现关于在涂布聚合物溶液之前或过程中使用“助粘剂”的任何描述。 | 对比文件未提及在形成压电聚合物层时使用助粘剂。助粘剂是目标专利中为提高聚合物与基板结合力而采用的特定工艺步骤，对比文件中没有相关内容。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该技术特征。 |
| 技术特征J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 对比文件中未具体描述形成压电聚合物层所采用的具体涂布工艺方法（如旋涂等）。 | 对比文件仅公开了存在“压电聚合物层”这一结果，但未揭示其具体的制造方法或涂布技术。所列出的旋涂、槽缝式涂布等方法虽然属于本领域公知技术，但对比文件本身并未提供任何指向这些具体方法的教导或启示。因此，该具体涂布方法未被对比文件公开。 |
| 技术特征K《直接公开》 | [0032] “In some implementations, the piezoelectric layer may overlay a photoelectric light sensor… as some piezoelectric layers such as a layer of polyvinylidene fluoride (PVDF) or polyvinylidene-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers are substantially transparent…” | 对比文件明确列举了PVDF和PVDF-TrFE共聚物作为压电层的实例。PVDF及其共聚物是本领域公认的铁电聚合物。因此，对比文件直接公开了“聚合物包含铁电聚合物”这一技术特征。 |
| 技术特征L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 对比文件中未发现关于聚合物的“居里温度”、“熔点”以及在特定温度范围内“焙烤至少一小时”以使聚合物结晶的任何描述。 | 对比文件虽然提到了压电聚合物材料，但完全没有涉及通过控制温度进行结晶的具体工艺参数（如居里温度、熔点、焙烤时间）。这些是目标专利中特定的制造条件，对比文件未予公开。 |
| 技术特征M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 对比文件中未发现关于在极化（成极）之前施加导电材料将像素电路端子短路到接地的任何描述。 | 在极化前短路电路端子以防止TFT损坏是目标专利中的特定防护措施。对比文件的整个说明书中均未提及此步骤或类似概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 对比文件中未发现关于“导电橡胶”或“导电墨水”的任何描述。 | 对比文件未提及用于短路或任何其他用途的导电橡胶或导电墨水。该特定材料选择未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 对比文件中未发现关于接收器偏置电极（TCF电极）具有“第一铜子层和第二镍子层”结构的任何描述。 | 对比文件公开的接收器偏置电极（如ITO层）是单层透明导电膜，并未描述其由铜和镍子层构成的多层结构。该特定层状结构未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 对比文件中未发现关于电极层具体厚度为“150埃”和“850埃”的任何描述。 | 对比文件完全没有涉及接收器偏置电极的具体厚度数值。该特定尺寸参数未被公开。 |
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