对比文件名称：2015-05-07_US2015123931A_发明申请_US20150123931A1 PIEZOELECTRIC FORCE SENSING ARRAY
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本
根据目标专利说明书的描述，其涉及一种通过涂布、结晶和成极工艺在TFT像素电路阵列上形成压电层的超声波接收器制造方法。对比文件公开了一种包含力传感设备和/或超声波接收器的触摸传感系统，其同样包含TFT像素电路阵列和压电层。以下将严格按照目标专利权利要求的技术特征划分进行逐一比对。
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量， | [0040] “In some implementations, the touch sensing system may include one or more additional components capable of fingerprint sensing, such as an ultrasonic transmitter that allows the device to become an ultrasonic transducer capable of imaging a finger in detail. In some such implementations, the force-sensing device also may be capable of functioning as an ultrasonic receiver.”<br>（在一些实施方式中，触摸感测系统可以包括能够进行指纹感测的一个或多个附加部件，诸如允许该装置成为能够详细地对手指成像的超声波换能器的超声波发射器。在一些这样的实施方式中，力感测装置还可以能够用作超声波接收器。） | 对比文件明确公开了其力感测装置（force-sensing device）能够用作超声波接收器（ultrasonic receiver）。结合[0049]段，该接收器用于检测从压板反射的超声波能量。这与目标专利中“用于检测超声波能量的超声波接收器”的作用和功能完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B《直接公开》**<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列， | [0035] “Referring first to FIG. 1A, in this example the touch sensing system includes a force-sensing device 30 having an array of sensor pixels 32 disposed on a substrate 34...”<br>（首先参考图1A，在此示例中，触摸感测系统包括力感测装置30，该装置具有布置在衬底34上的传感器像素32的阵列...）<br>[0036] “In the example shown in FIG. 1B, the substrate 34 is a thin film transistor (TFT) substrate. The array of sensor pixels 32 is disposed on the TFT substrate.”<br>（在图1B所示的示例中，衬底34是薄膜晶体管（TFT）衬底。传感器像素32的阵列布置在TFT衬底上。） | 对比文件直接描述了传感器像素（即像素电路）的阵列布置在衬底（具体为TFT衬底）上。这与目标专利权利要求中“安置在衬底上的像素电路的阵列”的结构特征完全一致，且作用相同，都是作为传感阵列的基础结构。因此被直接公开。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上， | 未找到相关描述。 | 对比文件详细描述了包含压电层和像素电路阵列的力感测/超声波接收装置的结构和功能，但完全没有提及该装置的制造方法，特别是“将含有聚合物的溶液涂布”这一具体工艺步骤。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出这一制造方法。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D《直接公开》**<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极 | [0035] “Here, each of the sensor pixels 32 has a corresponding pixel input electrode 38, which configured for electrical connection with a discrete element of the piezoelectric film layer 36.”<br>（这里，每个传感器像素32具有对应的像素输入电极38，其被配置用于与压电膜层36的离散元件电连接。）<br>[0036] 明确指出衬底是TFT衬底，且传感器像素阵列布置其上。结合图1B-1C及[0038]描述，每个传感器像素电路包含TFT元件（如读出晶体管、复位装置等）用于信号处理。 | 对比文件公开了传感器像素电路包含TFT元件（由TFT衬底和电路描述可知），并且每个像素电路具有用于电连接的像素输入电极。这与目标专利中“每个像素电路包含至少一个TFT元件和像素输入电极”的特征完全对应，作用都是实现像素电路与压电层之间的电连接和信号读取。因此被直接公开。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层 | 未找到相关描述。 | 对比文件提到了压电膜层可由PVDF、PVDF-TrFE等铁电聚合物制成（[0058]），但自始至终没有描述任何关于“使聚合物结晶”的工艺步骤或“结晶聚合物层”的形成过程。该特征涉及压电材料制备的具体结晶化处理，对比文件未提供任何相关信息。因此未被公开。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触 | 未找到关于“成极工艺（poling）”、“施加电场”以形成压电层的描述。 | 对比文件公开了压电膜层与像素输入电极电接触的状态（[0035]），但完全没有揭示如何使压电材料具备压电性能的“成极工艺”。目标专利中该特征是制造压电层的关键步骤，涉及通过施加电场使材料极化。对比文件仅假定压电层已经存在并具有压电性，未公开其形成方法。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G《直接公开》**<br>以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | [0035] “The receiver bias electrode 39, which is connected to an externally applied receiver bias voltage 6 in this example, is disposed on an opposite side of the piezoelectric film layer 36 with respect to the pixel input electrodes 32.”<br>（在该示例中，接收器偏置电极39连接到外部施加的接收器偏置电压6，其布置在压电膜层36的与像素输入电极32相对的一侧。）<br>[0036] “The receiver bias electrode 39 may be a metallized electrode and may be grounded or biased to control which signals are passed to the array of sensor pixel circuits 32.”<br>（接收器偏置电极39可以是金属化电极，并且可以被接地或偏置以控制哪些信号被传递到传感器像素电路32的阵列。） | 对比文件明确公开了接收器偏置电极沉积在压电层上，并且其作用是通过偏置或接地来控制传递到传感器像素电路（包含TFT元件）的信号。这与目标专利中技术特征G的描述完全一致，作用相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征H《未公开》**<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | 未找到对像素输入电极具体材料或形态为“导电薄膜”的描述。 | 对比文件提到了“pixel input electrode”，但没有具体说明其构成材料或形态。目标专利说明书[0048]段提及像素输入电极可以包含透明导电薄膜如ITO或IZO，但权利要求H限定了“由导电薄膜形成”这一具体结构。对比文件未公开此具体限定。因此未被公开。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 未找到任何关于“助粘剂”的描述。 | 该特征涉及涂布工艺中的一个具体子步骤——使用助粘剂。如特征C所述，对比文件未公开涂布工艺本身，更未提及涂布助粘剂这一具体工序。因此未被公开。 |
| **技术特征J《未公开》**<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 未找到任何关于涂布方法（如旋涂等）的描述。 | 该特征限定了涂布溶液的具体实施方式。对比文件未公开任何制造压电层的涂布工艺，因此自然也未能公开这些具体的涂布方法。因此未被公开。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | [0058] “Specific examples of piezoelectric materials that may be employed include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.”<br>（可以采用的压电材料的具体实例包含铁电聚合物，例如聚偏二氟乙烯（PVDF）和聚偏二氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）共聚物。） | 对比文件明确列举了压电层材料可以包含PVDF、PVDF-TrFE等铁电聚合物（ferroelectric polymers）。这与技术特征K的限定完全一致。因此被直接公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 未找到关于聚合物“居里温度”、“熔点”或在此温度区间“焙烤”以实现结晶的描述。 | 该特征涉及聚合物结晶工艺的非常具体和详细的温度-时间参数。对比文件虽然公开了聚合物可以是铁电聚合物（特征K），但完全没有涉及任何有关其结晶工艺的条件或步骤。因此该具体工艺特征未被公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 未找到任何关于在成极前使用导电材料将像素电路端子短接至接地的描述。 | 该特征是目标专利中为保护TFT元件在执行成极工艺（施加高电场）前所采取的特定防护措施。对比文件未描述任何成极工艺，因此也不可能公开与之配套的防护步骤。因此未被公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 未找到关于“导电橡胶”或“导电墨水”的描述。 | 该特征是对特征M中“导电材料”的进一步具体限定。由于特征M未被公开，且对比文件本身也未提及这两种具体材料，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 未找到关于接收器偏置电极具体构成子层（铜、镍）的描述。 | 对比文件公开了接收器偏置电极的存在和作用（特征G），并提到其可以是金属化电极（[0036]），但并未具体披露其层状结构由“第一铜子层和第二镍子层”构成。该具体结构特征未被公开。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 未找到关于接收器偏置电极各子层厚度的任何具体数值描述。 | 该特征是对特征O中具体子层的厚度进行的进一步数值限定。由于特征O未被公开，且对比文件也未提供任何相关厚度信息，因此该特征未被公开。 |
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