对比文件名称：2016-02-16_US9262003B_发明授权_US09262003B2 Piezoelectric force sensing array
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 | 第[0044]段：“In some implementations, the touch sensing system may include one or more additional components, such as an ultrasonic transmitter that allows the touch sensing system 10 to function as an ultrasonic transducer capable of imaging a finger in detail. In some such implementations, the **force-sensing device 30 may be capable of functioning as an ultrasonic receiver**.”<br>第[0055]段：“The **force-sensing device 30 may be capable of functioning as an ultrasonic receiver** when the touch sensing system 10 is operating in the ultrasonic imaging mode.” | 对比文件明确公开了其力感测设备（force-sensing device 30）能够作为超声波接收器（ultrasonic receiver）来操作，用于检测超声波能量（例如，反射的超声波能量23，见第[0049]段）。该功能在对比文件中的作用与在目标专利中相同，都是将接收到的超声波能量转换为电信号。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“用于检测超声波能量的超声波接收器”这一技术特征。 |
| **技术特征B《直接公开》**<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 | 第[0035]段：“Referring first to FIG. 1A, in this example the touch sensing system includes a **force-sensing device 30 having an array of sensor pixels 32 disposed on a substrate 34**...”<br>第[0051]段：“The **force-sensing device 30 may include an array of sensor pixel circuits 32 disposed on a substrate 34**...” | 对比文件明确公开了力感测设备30包含安置在衬底34上的传感器像素32（或传感器像素电路32）的阵列。该结构在对比文件中的作用是构成感测阵列以检测力或超声波，与目标专利中像素电路阵列构成超声波接收器的感测部分作用相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C《隐含公开》**<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 | 第[0058]段：“Examples of piezoelectric materials that may be used to form the **piezoelectric film layer 36** include piezoelectric polymers... Specific examples of piezoelectric materials that may be employed include ferroelectric polymers such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.”<br>第[0060]段：“...a PVDF-TrFE **receiver layer** is approximately 12 μm thick.” | 对比文件公开了压电薄膜层36包含PVDF-TrFE等铁电聚合物，且厚度约为12μm。虽然对比文件未明确记载该层的具体制造方法，但本领域技术人员公知，为了在TFT衬底上形成均匀、较薄（如12μm）的聚合物薄膜，溶液涂布（如旋涂）是常规且最可行的制造工艺之一。考虑到对比文件明确要将压电层36与像素输入电极38电连接（见第[0051]段），以及保护TFT电路的需要，采用温和的溶液涂布工艺是合理的推断。因此，对比文件隐含公开了通过涂布含有聚合物的溶液来形成压电层。 |
| **技术特征D《直接公开》**<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 | 第[0036]段：“In the example shown in FIG. 1B, the **substrate 34 is a thin film transistor (TFT) substrate**. The array of sensor pixels 32 is disposed on the TFT substrate. Here, each of the sensor pixels 32 has a corresponding **pixel input electrode 38**...”<br>第[0051]段：“Each sensor pixel circuit 32 may include **one or more TFT elements**... Each sensor pixel circuit 32 may include a **pixel input electrode 38** that electrically couples the piezoelectric film layer 36 to the sensor pixel circuit 32.” | 对比文件明确且反复地公开了传感器像素电路32形成在TFT衬底上，包含一个或多个TFT元件，并且每个像素电路具有像素输入电极38，用于将压电薄膜层36电耦合到像素电路。这与目标专利的特征描述完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 | 对比文件全文未提及使聚合物“结晶”（crystallize）以形成“结晶聚合物层”（crystalline polymer layer）的工艺步骤或相关描述。 | 目标专利说明书中强调，通过涂布溶液后使聚合物结晶是形成压电层的关键步骤（见[0007], [0014], [0052]段）。对比文件虽然公开了压电聚合物层（如PVDF-TrFE）的存在，但完全没有描述其形成过程中的结晶步骤。结晶是赋予铁电聚合物压电性的重要预处理，并非所有聚合物薄膜自然具有压电性。对比文件的公开停留在“压电薄膜层”这一结果上，并未揭示达到该结果所需的“结晶”这一特定工艺手段。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 | 对比文件全文未提及对聚合物层进行“成极”（poling）或施加电场以使聚合物具备压电性的工艺步骤。 | 目标专利的成极工艺（施加强电场）是使已结晶的聚合物层具备压电特性的必要步骤（见[0007], [0014], [0053]段）。对比文件直接假定其聚合物层36是“压电的”（piezoelectric），但完全没有描述如何使该层获得压电性。对于铁电聚合物（如PVDF-TrFE），成极是使其偶极子定向排列从而具有宏观压电效应的关键工艺，这不是隐含的或公知的必然步骤（因为未极化的铁电聚合物不具压电性）。因此，对比文件没有公开“执行成极工艺以形成压电层”这一特征。关于“压电层与像素输入电极电接触”，对比文件第[0051]段已公开像素输入电极38将压电薄膜层36电耦合到传感器像素电路32，这属于直接公开，但该电接触关系的成立不依赖于未公开的成极工艺。 |
| **技术特征G《直接公开》**<br>沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | 第[0036]段：“The **receiver bias electrode 39**, which is connected to an externally applied receiver bias voltage... is disposed on an opposite side of the piezoelectric film layer 36 with respect to the pixel input electrodes 32.”<br>第[0051]段：“...a **receiver bias electrode 39 is disposed** on a side of the piezoelectric film layer 36 proximal to platen... The receiver bias electrode 39 may be a metallized electrode and may be **grounded or biased to control which signals are passed to the array of sensor pixel circuits 32**.” | 对比文件明确公开了接收器偏置电极39沉积在压电薄膜层36上（相对于像素输入电极的另一侧），并且通过接地或偏置来控制哪些信号被传递到传感器像素电路阵列32（包含TFT元件）。这与目标专利中接收器偏置电极的位置和功能描述完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H《未公开》**<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | 对比文件全文未提及像素输入电极38的具体构成材料或形式，例如是否为“导电薄膜”（conductive thin film）。 | 对比文件仅公开了像素输入电极38的存在和功能（电连接），但未描述其物理构成。虽然本领域技术人员可能使用导电薄膜（如ITO）来制作此类电极，但对比文件本身并未提供任何相关的教导或暗示。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开（因为存在其他可能性，如金属块、导电浆料等）。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 对比文件全文未提及在涂布聚合物溶液之前或过程中使用“助粘剂”（adhesion promoter）。 | 使用助粘剂（如HMDS）是目标专利中为了改善聚合物层与衬底/电路阵列之间粘附性的特定工艺步骤（见[0009], [0056]-[0058]段）。对比文件在描述其压电层时完全没有涉及粘附性问题或任何相应的解决手段。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J《隐含公开》**<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 第[0058]段：“Examples of piezoelectric materials that may be used to form the piezoelectric film layer 36 include piezoelectric polymers...” | 如特征C的论述，对比文件隐含了通过涂布溶液形成聚合物层。本领域技术人员在实施该隐含的溶液涂布步骤时，自然会从常规的涂布技术（如旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射）中进行选择，以在衬底上形成均匀薄膜。这些方法是薄膜技术领域的公知常识。因此，对比文件隐含公开了通过所列出的常规涂布方法之一来执行涂布。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | 第[0058]段：“Specific examples of piezoelectric materials that may be employed include **ferroelectric polymers** such as polyvinylidene fluoride (PVDF) and polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymers.” | 对比文件明确列举了可用于形成压电薄膜层36的材料，其中包括铁电聚合物（ferroelectric polymers），如PVDF和PVDF-TrFE共聚物。这与目标专利的特征完全一致。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 对比文件全文未提及聚合物的“居里温度”（Curie temperature）或“熔点”（melting point），也未描述在特定温度范围内进行“焙烤”（baking）以实现结晶的工艺。 | 目标专利详细描述了基于聚合物居里温度和熔点进行特定温度焙烤的结晶工艺（见[0011], [0061]-[0062]段）。这是其制造方法的一个具体且非公知的参数特征。对比文件完全没有涉及聚合物的这些特性温度或利用它们进行热处理的具体方法。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 对比文件全文未提及在执行任何工艺（特别是成极工艺，因其本身未公开）之前，施加导电材料将像素电路端子短路到接地的步骤。 | 在成极前短路像素电路端子是目标专利中为了保护敏感的TFT电路免受成极高电场损害而采取的特定防护措施（见[0012], [0081]段）。对比文件没有描述任何类似的保护性步骤，因为其未提及需要高电场的成极工艺。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 对比文件全文未提及“导电橡胶”（conductive rubber）或“导电墨水”（conductive ink）用于任何目的。 | 该特征限定了短路所用导电材料的具体类型。由于对比文件未公开特征M（短路步骤），自然也不会公开用于该步骤的具体材料（导电橡胶或导电墨水）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O《隐含公开》**<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 第[0051]段：“The receiver bias electrode 39 may be a **metallized electrode**...” | 对比文件明确接收器偏置电极39是金属化电极（metallized electrode）。本领域技术人员知道，金属化电极通常通过沉积金属层来形成。铜和镍是电子器件中常用的金属沉积材料，多层结构（如铜层上覆镍层）常用于改善导电性、附着力和抗腐蚀性。虽然对比文件未明确指明具体金属材料及层状结构，但为了实现“金属化电极”这一公开特征，采用包含如铜和镍子层的结构是本领域技术人员常规选择范围内的合理实施方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征P《未公开》**<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 对比文件全文未提及接收器偏置电极的任何具体厚度尺寸，更没有公开“150埃厚的铜子层”和“850埃厚的镍子层”这种非常具体的厚度组合。 | 该特征限定了接收器偏置电极子层的精确厚度。对比文件仅公开了电极是“金属化的”，这种公开完全不足以使本领域技术人员毫无疑义地得出或必然推断出如此具体、非公知的厚度参数。厚度是具体的数值限定，不属于为实现“金属化电极”这一功能而必然隐含的内容。因此，该技术特征未被公开。 |
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