**对比文件名称**：2017-12-21_US2017364726A_发明申请_US20170364726A1 FINGERPRINT SENSOR DEVICE AND METHODS THEREOF
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量，《直接公开》 | [0004] "The receiver 106 includes a piezoelectric layer that is capable of detecting or receiving ultrasonic waves or signals."<br>[0070] "The transceiver layer 206 may serve as a receiver (e.g., receiver means) that is configured to receive or detect at least one ultrasonic wave/signal." | 对比文件明确公开了包含压电层的接收器（receiver）或收发器层（transceiver layer），其功能是检测或接收超声波信号。这与目标专利中“超声波接收器，用于检测超声波能量”的技术特征在结构（包含压电层）和功能（检测超声波）上完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列，《直接公开》 | [0072] "The sensor substrate 202 may include ... a thin-film transistor (TFT) substrate..."<br>[0076] "The sensor circuits 204 may include a thin-film transistor (TFT) array. For example, the sensor circuits 204 may include an array of pixel circuits, where each pixel circuit may include one or more thin-film transistors." | 对比文件明确公开了传感器电路（sensor circuits）包括TFT阵列，即像素电路阵列，并且该阵列形成在传感器衬底（sensor substrate）上，其中传感器衬底可以是TFT衬底。这直接公开了“安置在衬底上的像素电路的阵列”这一技术特征。 |
| **技术特征C**：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上，《隐含公开》 | [0072] "In some implementations, the transceiver layer 206 may be sprayed, spun, dispensed, coated or otherwise formed directly or indirectly on the sensor circuits 204."<br>[0143] "In some implementations, the transceiver layer 206 may be disposed directly on the sensor circuits and sensor substrate using, for example, a spraying, spinning, dispensing or coating process." | 对比文件公开了收发器层（包含压电层）可以通过喷涂（sprayed）、旋涂（spun）、施配（dispensed）、涂覆（coated）等方式直接形成在传感器电路阵列上。这些涂布工艺是形成聚合物层的常规手段。虽然对比文件未明确使用“含有聚合物的溶液”这一表述，但其描述的“涂覆”等方式必然涉及将形成压电聚合物的前驱体（如溶液、浆料等）施加到衬底上。本领域技术人员结合公知常识（如PVDF-TrFE等铁电聚合物常以溶液形式涂布），能够合理推断出“将含有聚合物的溶液涂布到阵列上”这一步骤。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极《直接公开》 | [0076] "...the sensor circuits 204 may include an array of pixel circuits, where each pixel circuit may include one or more thin-film transistors. A pixel circuit may include a pixel input electrode that electrically couples the transceiver layer to the pixel circuit." | 对比文件明确且直接地公开了像素电路阵列中的每个像素电路包含一个或多个薄膜晶体管（TFT）以及将收发器层电耦合到像素电路的像素输入电极。这与目标专利的技术特征完全一致。 |
| **技术特征E**：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层《隐含公开》 | [0072] "The transceiver layer 206 may include one or more piezoelectric layers..."<br>[0141] "Different implementations may use different materials for the piezoelectric layer. In some implementations, the piezoelectric layer may include a ferroelectric polymer such as polyvinylidene fluoride (PVDF) or a polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymer." | 对比文件公开了收发器层包含压电层，且压电材料可以是铁电聚合物，如PVDF或PVDF-TrFE共聚物。本领域技术人员公知，为了使此类铁电聚合物表现出压电性，必须使其从非晶态或半结晶态转变为具有特定晶体结构的结晶聚合物层，通常需要经过热处理（如退火/焙烤）以促进结晶。对比文件虽未明确记载“结晶”步骤，但公开了具有压电性的铁电聚合物层，这必然隐含了该层是结晶的，否则无法实现压电功能。因此，可以合理推断制造过程中包含了使聚合物结晶的步骤。 |
| **技术特征F**：以及执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触《隐含公开》 | [0076] "A pixel circuit may include a pixel input electrode that electrically couples the transceiver layer to the pixel circuit."<br>[0072] "The transceiver layer 206 may include one or more piezoelectric layers..." | 对比文件公开了像素输入电极将收发器层（即压电层）电耦合到像素电路，这意味着压电层与像素输入电极是电接触的。同时，对比文件公开了该层是压电层（piezoelectric layer）。本领域技术人员公知，对于铁电聚合物（如PVDF-TrFE），要使其具有压电性，必须经过“极化”（poling）工艺，即施加强电场使其内部偶极子取向一致。对比文件虽未明确描述施加电场的极化步骤，但公开了功能完整的压电层，这必然隐含了该层是已经过极化处理的。因此，可以合理推断制造过程中包含了跨越聚合物层施加电场以形成压电层的成极工艺。 |
| **技术特征G**：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《直接公开》 | [0076] "Ultrasonic waves may be generated by providing an electrical signal to the one or more transceiver electrodes 208." 结合上下文，该电极也用于接收模式下的偏置。<br>[0075] "The one or more transceiver electrodes 208 may be formed over or otherwise disposed on the transceiver layer 206."<br>[0076] 描述了传感器电路检测电荷并输出信号的过程，电极用于施加激励或偏置信号。 | 对比文件明确公开了一个或多个收发器电极（transceiver electrodes 208）形成在收发器层（即压电层）之上（over）。在接收模式下，该电极可被偏置以控制哪些压电层产生的信号被传递到底层的传感器电路（包含TFT元件）进行检测和读取。其作用与目标专利中“接收器偏置电极…经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”相同。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《隐含公开》 | [0076] "A pixel circuit may include a pixel input electrode..." 未明确材料。<br>但结合目标专利说明书[0048]“像素输入电极438可以包含透明导电薄膜，其例如由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。” 以及本领域公知常识，在TFT阵列中，像素电极通常由透明导电氧化物（如ITO）或金属薄膜制成。 | 对比文件公开了像素输入电极的存在，但未明确其构成材料。然而，在TFT阵列技术领域，像素电极通常由导电薄膜（如ITO、金属等）形成以实现电连接。本领域技术人员在阅读对比文件时，结合公知常识，能够毫无困难地理解像素输入电极是由导电薄膜形成的。这是一种隐含的、必然的技术手段。 |
| **技术特征I**：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《未公开》 | 对比文件全文未提及在涂布聚合物层之前或过程中使用“助粘剂”（adhesion promoter）。 | 对比文件没有公开任何关于使用助粘剂的内容。助粘剂（如HMDS）用于改善衬底与聚合物层之间的附着力，这是一种特定的工艺选择。对比文件未描述此步骤，本领域技术人员也无法从对比文件公开的内容中必然推导出需要使用助粘剂。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《直接公开》 | [0072] "In some implementations, the transceiver layer 206 may be sprayed, spun, dispensed, coated or otherwise formed directly or indirectly on the sensor circuits 204."<br>[0143] "...using, for example, a spraying, spinning, dispensing or coating process." | 对比文件明确列举了形成收发器层（即压电聚合物层）的几种工艺：喷涂（sprayed）、旋涂（spun）、施配（dispensed）、涂覆（coated）。这些工艺术语与目标专利权利要求中的“喷射”、“旋涂”、“施配”直接对应。“涂覆（coated）”是一个上位概念，可以涵盖“槽缝式涂布”和“浸渍”等具体涂布方式。因此，对比文件直接公开了这些涂布方法。 |
| **技术特征K**：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0141] "In some implementations, the piezoelectric layer may include a ferroelectric polymer such as polyvinylidene fluoride (PVDF) or a polyvinylidene fluoride-trifluoroethylene (PVDF-TrFE) copolymer." | 对比文件明确公开了压电层可以包含铁电聚合物（ferroelectric polymer），并以PVDF和PVDF-TrFE共聚物为例。这与目标专利的技术特征完全相同。 |
| **技术特征L**：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《未公开》 | 对比文件未提及聚合物的居里温度、熔点，也未提及在特定温度范围内焙烤至少一小时的结晶工艺条件。 | 对比文件虽然公开了使用铁电聚合物作为压电材料，但完全没有涉及该聚合物的具体特性参数（居里温度、熔点），也没有公开使其结晶的具体工艺条件，如“在居里温度与熔点之间的温度下焙烤至少一小时”。这是目标专利中一个非常具体的工艺参数限定。对比文件未提供任何相关信息，无法推导出该特定条件。 |
| **技术特征M**：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 对比文件全文未提及在极化（成极）工艺之前，使用导电材料将像素电路的端子短路到接地以进行保护。 | 在目标专利中，这是在极化高压下保护敏感TFT元件的一种特定防护措施。对比文件没有描述任何类似的工艺步骤或保护措施。本领域技术人员无法从对比文件中得出该技术特征。 |
| **技术特征N**：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 对比文件未提及技术特征M中的“导电材料”，更未具体公开其为“导电橡胶或导电墨水”。 | 由于对比文件未公开技术特征M，其从属特征N自然也未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《隐含公开》 | [0151] "For example, the transceiver electrode 208 may be formed by depositing a layer of copper (˜20 nm) and nickel (˜200 nm) on top of the transceiver layer 206."<br>[0184] "For example, the transceiver electrode 208 may be formed by depositing a layer of copper (˜20 nm) and nickel (˜200 nm) on top of the transceiver layer..." | 对比文件在描述收发器电极（即接收器偏置电极）的制造实施例时，明确公开了可以通过沉积铜层和镍层来形成该电极。这直接公开了电极包含铜子层和镍子层。虽然子层的顺序（第一铜、第二镍）和具体厚度与目标专利可能不同，但“包含第一铜子层和第二镍子层”这一结构特征已被明确公开。 |
| **技术特征P**：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | [0151] 和 [0184] 公开的厚度为“铜 (~20 nm) 和 镍 (~200 nm)”，即约200埃和2000埃。 | 对比文件虽然公开了电极包含铜层和镍层，但其给出的具体厚度数值（~20nm铜，~200nm镍）与目标专利权利要求中限定的特定厚度（150埃铜，850埃镍）不同。权利要求中的厚度是具体的数值限定，对比文件公开的不同厚度不能构成对该特定厚度组合的公开。因此，该技术特征未被公开。 |
### 结论
根据上述比对分析，在目标专利权利要求的16个技术特征（A-P）中：
- **直接公开**的特征有：A, B, D, G, J, K。
- **隐含公开**的特征有：C, E, F, H, O。
- **未公开**的特征有：I, L, M, N, P。
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