好的，作为一名资深专利代理师，我将根据您提供的目标专利和对比文件，进行严谨的创造性评估。
**本次调用模型名称：** DeepSeek-R1
**目标专利名称：** 三端口压电超声换能器CN107107114B
**对比文件名称：** 2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《隐含公开》** <br>在第一时间段期间，响应于来自收发器电路的信号，借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号。 | [0030]-[0031]：“cMUTs are silicon-based devices that comprise small capacitive ‘drumheads’ or cells that can transmit and receive ultrasound energy. ... Conversely, an AC signal applied to one of the electrodes will modulate the charge on the electrode, which in turn causes a modulation in the capacitive force between the electrodes, the latter causing the diaphragm to move and thereby transmit an acoustic signal.” (cMUT是基于硅的器件，包含可以发射和接收超声能量的小型电容性“鼓膜”或单元。... 反之，施加到其中一个电极的交流信号将调制电极上的电荷，这进而导致电极之间的电容力的调制，后者使隔膜移动从而发射声学信号。) | 对比文件明确公开了MUT（包括cMUT和pMUT）单元可以发射超声信号，并且发射是通过向电极施加信号（如AC信号）来实现的。虽然对比文件未明确限定“第一时间段”和“收发器电路”，但本领域技术人员能够毫无疑义地理解，发射动作必然发生在某个时间段内，且施加信号的电路必然是与电极电连接的某种形式的驱动或收发电路。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B《直接公开》** <br>所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。 | [0030]：“For each MUT transducer cell, a thin membrane or diaphragm 8, which may be made of silicon, silicon nitride, or other suitable material, is suspended above the substrate 4. The membrane 8 is supported on its periphery by an insulating support 6... The cavity 15 between the membrane 8 and the substrate 4 may be air- or gas-filled or wholly or partially evacuated.” (对于每个MUT换能器单元，一个薄的膜或隔膜8悬浮在衬底4上方。膜8在其周边由绝缘支撑件6支撑...膜8和衬底4之间的腔15可以是空气或气体填充的或完全或部分抽真空的。) | 对比文件直接且明确地公开了MUT单元的基本结构：膜片（diaphragm/membrane）悬置于衬底上方的腔体（cavity）之上。这与目标专利中“安置于腔上方的膜片”的技术特征完全相同。 |
| **技术特征C《隐含公开》** <br>所述膜片包含压电层堆叠。 | [0009]：“...but rather may also employ pMUTs.” (…但也可以采用pMUTs。)<br>结合本领域公知常识：pMUT（压电微机械超声换能器）的膜片必然包含压电材料层以实现机电转换。对比文件在提及pMUT时，本领域技术人员可以毫无疑义地推断出其膜片结构包含压电材料层，即压电层堆叠。 | 对比文件明确提到了pMUT（压电微机械超声换能器）是其技术方案涵盖的类型。对于本领域技术人员而言，pMUT的核心特征就是利用压电材料的压电效应，因此其膜片结构中必然包含压电材料层，即“压电层堆叠”。尽管对比文件主要示例为cMUT，但其明确将pMUT纳入保护范围，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D《未公开》** <br>所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。 | 未找到对应内容。对比文件图1和[0030]描述了cMUT的典型结构：包括膜片8上的上电极12和衬底4上/内的下电极10。对于pMUT，未具体描述其电极配置。 | 目标专利明确限定压电层堆叠包含压电层、第一电极和第二电极，且第一和第二电极均位于压电层的同一侧（见特征F）。对比文件公开的cMUT结构是电容式，其两个电极分别位于膜片和衬底上，构成电容的两个极板，这与目标专利的“压电层堆叠”包含的电极结构有本质不同。即使考虑pMUT，对比文件也未公开在压电层的同一表面上设置两个独立电极（第一、第二电极）的具体结构。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E《隐含公开》** <br>所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。 | [0037]：“The cMUT cells of each element are connected in parallel.” (每个单元的cMUT单元并联连接。)<br>[0048]：“The cMUT bottom electrodes ... are connected to the CMOS electronics...” (cMUT底部电极...连接到CMOS电子器件...) | 对比文件多次提及MUT单元的电极与电路（如CMOS电子器件）连接。虽然未明确区分“收发器电路的第一部分”，但本领域技术人员可以理解，用于驱动发射的电极必然与驱动电路（可视为收发器电路的发射部分）电连接。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征F《未公开》** <br>且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近，所述第一表面与所述腔对置。 | 未找到对应内容。对比文件公开的cMUT结构（图1）中，电极12在膜片8上（或内），电极10在衬底4上（或内），它们分别位于腔15的两侧，并非位于同一表面。对于pMUT，未描述电极的具体位置。 | 目标专利的核心创新点之一在于第一电极和第二电极均设置在压电层的同一表面上（与腔对置的表面）。对比文件公开的cMUT结构是两个电极分别位于腔的上下两侧（膜片侧和衬底侧），这与“安置于所述压电层的第一表面上或附近”且“所述第一表面与所述腔对置”的技术方案完全不同。该特征限定了特定的电极布局，未被对比文件公开。 |
| **技术特征G《隐含公开》** <br>所述第一表面与所述腔对置。 | 结合特征B和C的论述，若膜片包含压电层堆叠且悬置于腔上方，则压电层必然有一个表面朝向腔（即对置）。这是由“膜片安置于腔上方”这一结构必然导出的位置关系。 | 该特征是对特征F中“第一表面”与腔位置关系的进一步明确。基于对比文件已公开的“膜片悬置于腔上方”的结构（特征B），以及pMUT中膜片包含压电层（特征C），本领域技术人员可以毫无疑义地推断出压电层存在一个与腔对置的表面。因此，该特征被隐含公开。但其与特征F组合形成的特定电极布局方案（电极均位于该表面上）未被公开。 |
| **技术特征H《未公开》** <br>和在第二时间段期间，借助于所述第二电极接收第二超声信号，所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合，其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。 | [0002]：“...the system switches to receive mode after a short time interval...” (…系统在短时间间隔后切换到接收模式…) <br>[0030]：“When an impinging acoustic signal causes the membrane to vibrate, the variation in the capacitance can be detected using associated electronics... thereby transducing the acoustic signal into an electrical signal.” (当入射的声学信号导致膜振动时，可以使用相关的电子器件检测电容的变化...从而将声学信号转换成电信号。) | 对比文件公开了MUT可以接收超声信号并将其转换为电信号。然而，其描述的工作模式是传统的“先发射后切换至接收”模式（[0002]），发射和接收在时间上是顺序进行的，存在切换间隔。目标专利明确要求“第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠”，即允许同时或部分重叠的发射和接收，且接收使用独立的第二电极连接到收发器电路的不同部分。对比文件完全没有公开这种允许时间重叠的、使用独立电极进行同步发射和接收的操作模式。这是目标专利的关键创新点，未被公开。 |
| **技术特征I《未公开》** <br>其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。 | 未找到对应内容。 | 该特征是特征H中“至少部分地重叠”的极致情况，即完全同时。如上所述，对比文件公开的是顺序切换模式，未提及同时发射和接收的可能性，更未公开通过不同电极实现该功能的方案。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J《未公开》** <br>其中：所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中，且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中，所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。 | 未找到对应内容。 | 该特征限定了第一电极和第二电极在膜片平面上的具体相对位置：内部部分和外部部分，且外部电极靠近腔壁。对比文件完全没有描述或暗示MUT电极在膜片上有此类特定的分区布局。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K《未公开》** <br>其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。 | 未找到对应内容。 | 该特征限定了第二电极在空间上延伸超出腔壁的边界。对比文件的图1或描述中，电极与膜片、腔体的关系没有显示出这种延伸特征。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征L《隐含公开》** <br>其中所述膜片包含第三电极，所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。 | [0030]：“...another film or layer made of conductive material forms an electrode 10 on the substrate 4. Alternatively, the electrode 10 can be embedded in the substrate 4 or substrate may itself be conductive...” (…另一由导电材料制成的膜或层在衬底4上形成电极10。替代地，电极10可以嵌入衬底4中或者衬底本身可以是导电的…) | 在对比文件描述的cMUT结构中，位于衬底上或内的电极10，其位置相当于在振动膜片（可类比为目标专利的压电层堆叠功能层）与腔体之间（因为腔在膜片和衬底之间）。虽然cMUT是电容式，而目标专利是压电式，但就“膜片结构包含一个位于功能层与腔体之间的电极”这一结构特征而言，对比文件给出了相应的教导。对于pMUT，本领域技术人员也可能采用类似的三明治结构。因此，该结构特征被隐含公开。 |
| **技术特征M《未公开》** <br>其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。 | 未找到对应内容。 | 对比文件没有描述电极10被“配置为参考电极”。在cMUT中，电极10和12是构成可变电容的两个极板，在交流驱动下都参与作用，并非一个固定电位的参考电极。目标专利中“参考电极”的作用（如箝位到固定电位以降低串扰）是特定设计目的，未被对比文件公开。 |
| **技术特征N《未公开》** <br>其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。 | 未找到对应内容。 | 该特征涉及参考电极的具体电学偏置方式。对比文件没有公开将某个电极的电压箝位到接地或固定参考电压以服务于同时发射/接收、减少串扰的目的。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O《隐含公开》** <br>其中：所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸，所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时，经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。 | [0030]：“The membrane 8 is supported on its periphery by an insulating support 6...” (膜8在其周边由绝缘支撑件6支撑…) <br>结合[0030]-[0031]关于膜片振动发射和接收声波的描述。 | 对比文件直接公开了膜片由支撑结构（绝缘支撑6）支撑并在腔上方延伸。同时，也公开了膜片在电信号驱动下移动发射声波，以及在声波作用下振动产生电信号。这必然意味着膜片经历了挠曲运动和振动。本领域技术人员可以理解，这种振动通常是在其基频（第一）挠曲模式下进行的。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征P《隐含公开》** <br>其中，在所述第一挠曲模式中，所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。 | 结合特征O的论述。当膜片在第一挠曲模式（如基频模式）下振动时，膜片上的不同区域会周期性地经历拉伸和压缩应力。这是悬臂梁或薄膜振动的基本力学原理。虽然对比文件未明确描述“电极经历负载循环”，但电极附着在膜片上，必然会跟随膜片相应区域的应变。因此，对于设置在膜片上的电极而言，该特征被隐含公开。但需注意，对比文件并未公开具有所述第一、第二电极的结构。 | |
| **技术特征Q《未公开》** <br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。 | 未找到对应内容。 | 该特征限定了两个电极所在区域的应力循环相位关系。这取决于电极在膜片上的具体位置（如是否位于振动模式的同相位区）。对比文件未公开特定的电极布局，因此无法得出此相位关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征R《未公开》** <br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。 | 未找到对应内容。 | 同上，该相位关系未被公开。 |
| **技术特征S《未公开》** <br>其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。 | 未找到对应内容。 | 同上，该特定的180°异相关系未被公开。目标专利说明书指出，当两电极位于拐点区两侧时可能呈现180°异相，这关联于特定的电极布局（特征J），而该布局未被公开。 |
| **技术特征T《未公开》** <br>其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。 | 未找到对应内容。 | 该特征描述了一个电极在不同时间段切换功能。对比文件公开的是整个换能器单元在发射和接收模式之间切换（[0002]），而非单个电极在发射和接收功能之间切换。目标专利此特征可能涉及可切换的发射/接收电极（见图18-20），这与对比文件公开的整体模式切换不同，且依赖于特定的多电极架构。因此，该特征未被公开。 |
**结论**：根据上述比对分析，对比文件US20050075572A1隐含公开了技术特征A、C、E、G、L、O、P；直接公开了技术特征B。其余技术特征D、F、H、I、J、K、M、N、Q、R、S、T均未被对比文件直接或隐含公开。
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