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对比文件列表
1981-12-29_发明授权_US4307613A Electronically focused ultrasonic transmitter_+++A_e_n_t+++.docx
2026-03-10 19:01
1985-06-18_发明授权_US4523471A Composite transducer structure_+++A_E_H_a_d_e_f_h+++.docx
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1991-10-17_发明专利_DE3940808C2_+++a+++.docx
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1998-04-28_发明授权_US5744898A Ultrasound transducer array with transmitter_receiver integrated circuitry_+++A_C_D_E_N_h+++.docx
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2004-05-18_发明授权_US06736779B1 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic device comprising the same_+++A_C_D_E_N+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-02-03_发明申请_US20050023937A1 Piezoelectric vibrator_+++C_M_a_d_e_l_n_o_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-03-17_发明申请_US20050057284A1 Method and apparatus for controlling scanning of mosaic sensor array_+++B_a_c_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-10-23_发明申请_US20080258580A1 Reliability Improvement For Piezoelectric Imaging Array Device_+++a+++.docx
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2008-12-18_发明申请_US20080309200A1 Ultrasonic Transducer Module Comprising a Transmitter Layer and a Receiver Layer_+++A_E_H_I_N_d_m+++.docx
2026-03-10 19:01
2009-01-08_发明申请_US20090009704A1 LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS_+++A_a+++.docx
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2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2010-07-01_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_G_O_a+++.docx
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2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-09-08_发明申请_US20110215150A1 Biometric Sensor With Delay Layer_+++a_d_e_f_h_i+++.docx
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2012-06-19_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++A_B_E_G_O_f_j+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-08-16_发明申请_US20120206014A1 PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS USING MICRO-DOME ARRAYS_+++A_B_C_E_O+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
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2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
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2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-06-24_发明授权_US08760971B2 Method for controlling an ultrasonic sensor and ultrasonic sensor_+++D_E_F_a+++.docx
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2014-08-07_发明申请_US20140219521A1 BIOMETRIC SENSING DEVICE FOR THREE DIMENSIONAL IMAGING OF SUBCUTANEOUS STRUCTURES EMBEDDED WITHIN FINGER TISSUE_+++A_D_E_b_c_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-08-28_发明申请_US20140243676A1 DELTA DELAY APPROACH FOR ULTRASOUND BEAMFORMING ON AN ASIC_+++a+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-12-04_发明申请_US20140354608A1 DEVICES AND METHODS OF SENSING_+++C_D_E_F_a_b_g+++.docx
2026-03-10 19:01
2015-06-18_发明申请_US20150169136A1 MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY_+++B_C_a_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
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2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
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2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx

本次调用的模型名称:深度专利特征比对分析模型

**对比文件名称**:2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus

**目标专利名称**:三端口压电超声换能器CN107107114B

以下是根据目标专利权利要求的技术特征划分创建的特征比对表格:

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号。 <br> **《直接公开》**[2]段落:“メイン電極33にパルス状の電圧を印加することにより、超音波パルスが発生するように構成され”(通过向主电极33施加脉冲状电压,构成为产生超声波脉冲)对比文件明确公开了通过向PMUT的电极(主电极33)施加来自发送接收部(相当于收发器电路)的驱动信号来发射超声波。本领域技术人员能够毫无疑义地得出,这必然发生在一个时间段(即发射时间段)内。因此,技术特征A被对比文件直接公开。
**技术特征B**:所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。 <br> **《直接公开》**图3(b)及对应描述:展示了“振動板36”(振动板36)和其下方的“空間38”(空间38)。振动板在台座37上形成,覆盖空间38,构成安置于腔(空间38)上方的膜片结构。对比文件中的pMUT素子31具有振动板36,该振动板在空间38(即腔)上方延伸,由台座37支撑。这与目标专利中“安置于腔上方的膜片”结构相同。因此,技术特征B被对比文件直接公开。
**技术特征C**:所述膜片包含压电层堆叠。 <br> **《直接公开》**[2]段落:“振動板36…と…圧電体膜35aおよび35b”(振动板36…和…压电体膜35a以及35b)以及图3(b)所示结构。对比文件中的膜片(振动板36)包含压电体膜35a和35b,这些压电膜层叠在振动板36上,共同构成了压电层堆叠。因此,技术特征C被对比文件直接公开。
**技术特征D**:所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。 <br> **《直接公开》**[2]段落:“メイン電極33、およびサブ電極34、…圧電体膜35aおよび35b”(主电极33,以及副电极34,…压电体膜35a以及35b)及图3(b)。对比文件明确公开了压电体膜(35a, 35b,相当于压电层)以及两个独立的电极:主电极33(第一电极)和副电极34(第二电极)。因此,技术特征D被对比文件直接公开。
**技术特征E**:所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。 <br> **《直接公开》**[2]段落:“送受信部13…駆動信号を発生して超音波プローブ12のメイン電極に供給する”(发送接收部13…产生驱动信号并供给至超声波探头12的主电极)及图1。对比文件中的主电极33(第一电极)与发送接收部13(相当于收发器电路的第一部分)电连接,用于接收驱动信号以发射超声波。因此,技术特征E被对比文件直接公开。
**技术特征F**:且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近。 <br> **《直接公开》**图3(b)及描述:显示“メイン電極33”和“サブ電極34”分别形成在“圧電体膜35a”和“圧電体膜35b”的上面(上方)。对比文件的附图明确显示,主电极33和副电极34分别位于压电体膜35a和35b的上表面(第一表面)上。因此,技术特征F被对比文件直接公开。
**技术特征G**:所述第一表面与所述腔对置。 <br> **《直接公开》**图3(b)及描述:振动板36位于空间38(腔)上方,压电体膜35a、35b及电极33、34位于振动板36上。因此,电极所在的表面(第一表面)背向空间38(腔)。在对比文件的结构中,电极所在的压电体膜上表面(第一表面)与下方的空间38(腔)相对。本领域技术人员能毫无疑义地得出此位置关系。因此,技术特征G被对比文件直接公开。
**技术特征H**:和在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。 <br> **《未公开》**对比文件描述了利用主电极33接收超声波回声信号([2]:“メイン電極33と振動板36の間の電圧を検出することにより、超音波エコーに応じた振動を検出することができる”)。副电极34主要用于在发射时施加反向电压以抑制振动形成短脉冲,或在接收时施加随时间变化的电压以改变共振频率特性,其本身并未被描述为直接用于接收超声信号。也未描述第一时间段(发射)和第二时间段(接收)至少部分地重叠。对比文件未公开使用第二电极(副电极34)来接收超声信号。其接收功能主要由第一电极(主电极33)执行。同时,对比文件的操作模式是顺序的:先发射(主、副电极协同),然后接收(主电极检测,副电极调整特性),没有公开发射和接收时间段至少部分重叠。因此,技术特征H既未被直接公开,也未被隐含公开。
**技术特征I**:其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。 <br> **《未公开》**对比文件中,发射时主电极33和副电极34协同工作产生并抑制振动以形成短脉冲;接收时,主电极33用于检测信号,而副电极34用于施加偏压以调整接收频率特性。没有描述在同一个时间段内,一个电极发射而另一个独立的电极同时接收信号。对比文件的操作模式是分时或功能协同,并非目标专利所强调的通过物理隔离的电极实现“同时”发射和接收。本领域技术人员无法从对比文件推断出同时且独立的发射和接收操作。因此,技术特征I未被公开。
**技术特征J**:其中:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。 <br> **《未公开》**对比文件图3(a)显示,在一个单位振子32内,多个pMUT素子31的主电极33和副电极34以特定图案(如交替)排列,并未明确界定哪个是“内部部分”,哪个是“外部部分”,也未描述第二电极“接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间”的特定位置关系。对比文件未公开电极在膜片上精确的“内部部分”和“外部部分”的划分以及所述的相对位置关系。虽然电极位于膜片的不同区域,但具体布局与目标专利权利要求限定的特定位置关系不同。因此,技术特征J未被公开。
**技术特征K**:其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。 <br> **《未公开》**对比文件未描述副电极34延伸超出空间38(腔)的壁。图3(b)显示电极大致位于振动板覆盖空间38的区域上方。对比文件完全没有提及电极延伸超出腔壁的特征。本领域技术人员无法从对比文件内容推断出此特征。因此,技术特征K未被公开。
**技术特征L**:其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。 <br> **《直接公开》**[2]段落:“共通電極を兼ねた振動板36”(兼作公共电极的振动板36)及图3(b)。振动板36由金属膜构成,位于压电体膜35a、35b与空间38(腔)之间。对比文件中的振动板36由导电材料(如Cu, Cr)制成,并作为公共电极(第三电极),其位置正在压电体膜(压电层)与空间38(腔)之间。因此,技术特征L被对比文件直接公开。
**技术特征M**:其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。 <br> **《直接公开》**[2]段落:“共通電極を兼ねた振動板36…プリント基板24のグランド線に接続される。”(兼作公共电极的振动板36…连接到印刷基板24的地线。)对比文件明确将振动板36(第三电极)作为公共电极并接地,这正是一种参考电极的配置,与第一电极(主电极33)和第二电极(副电极34)配合使用。因此,技术特征M被对比文件直接公开。
**技术特征N**:其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。 <br> **《直接公开》**同上,[2]段落明确记载振动板36(参考电极)连接到地线(グランド線),即其电压被箝位到接地。对比文件直接公开了参考电极(振动板36)接地,即电压箝位到接地参考电压。因此,技术特征N被对比文件直接公开。
**技术特征O**:其中:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。 <br> **《直接公开》**[2]段落及图4(b):描述了在电压作用下,压电体膜变形导致“振動板36が瞬間的に撓んで超音波を発生する”(振动板36瞬间挠曲产生超声波),并接收时振动板因回声而振动。支撑结构为“台座37”。对比文件公开了膜片(振动板36)由台座37(锚定结构)支撑,在空间38(腔)上方延伸,并在电信号驱动下发生挠曲以发射超声波,或在回声作用下振动以接收信号。这对应于在第一挠曲模式中操作。因此,技术特征O被对比文件直接公开。
**技术特征P**:其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。 <br> **《直接公开》**图4(a)及描述:显示了在施加电压时,压电体膜35a和35b分别产生压缩和拉伸应变,导致振动板弯曲。这种应变在交流驱动信号下必然是交替的,因此位于其上的电极区域也会经历交替的拉伸和压缩应力循环。对比文件公开了在驱动下,与第一电极(主电极33)和第二电极(副电极34)对应的压电区域经历相反的机械应变(压缩/拉伸),在交流信号下,这种应变会交替变化,构成振荡负载循环。因此,技术特征P被对比文件直接公开。
**技术特征Q**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。 <br> **《未公开》**图4(a)及描述:在发射时,为了产生短脉冲,向主电极33和副电极34施加相反电位的电压,导致对应的压电体膜35a和35b产生相反的应变(一个压缩,一个拉伸)。这表明两个电极区域的应力变化是反相的。对比文件教导了在优化发射脉冲时,需要使两个电极区域的驱动信号反相,从而导致应力循环反相。这与“大致同相”的要求相反。因此,技术特征Q未被公开。
**技术特征R**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。 <br> **《直接公开》**同上,图4(a)及描述明确显示,通过施加相反电位的电压,使两个压电体膜产生方向相反的应变,这意味着第一电极和第二电极所经历的应力循环是异相的。对比文件直接公开了为了特定目的(形成短脉冲),使第一电极和第二电极对应的压电区域应变方向相反,即负载循环异相。因此,技术特征R被对比文件直接公开。
**技术特征S**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。 <br> **《隐含公开》**图4(a)及描述:“メイン電極33と逆の電位の電圧を印加し”(施加与主电极33相反电位的电压)。在交流信号驱动下,施加“相反电位”通常意味着相位相差180度,从而导致产生的应变及相应的应力循环也相差180度。虽然对比文件未明确写出“180度”,但本领域技术人员根据“施加相反电位的电压”这一教导,结合交流驱动信号的特性,能够合理推断出,为了实现所述的反向应变效果,两个驱动信号以及由此产生的应力循环之间的相位差非常接近于180度。因此,技术特征S被对比文件隐含公开。
**技术特征T**:其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。 <br> **《未公开》**对比文件中,副电极34在发射时用于施加反向电压以控制振动,在接收时用于施加随时间变化的偏压以调整共振频率。其功能始终是“控制”或“调整”,而非在“发射模式”和“接收模式”之间切换以分别执行独立的发射和接收信号功能。对比文件未将第二电极(副电极34)配置为可在标准的发射信号模式与接收信号模式之间切换的电极。其作用与目标专利中定义的“发射模式”和“接收模式”不同。因此,技术特征T未被公开。

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