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对比文件列表
1981-12-29_发明授权_US4307613A Electronically focused ultrasonic transmitter_+++A_e_n_t+++.docx
2026-03-10 19:01
1985-06-18_发明授权_US4523471A Composite transducer structure_+++A_E_H_a_d_e_f_h+++.docx
2026-03-10 19:01
1991-10-17_发明专利_DE3940808C2_+++a+++.docx
2026-03-10 19:01
1998-04-28_发明授权_US5744898A Ultrasound transducer array with transmitter_receiver integrated circuitry_+++A_C_D_E_N_h+++.docx
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2004-05-18_发明授权_US06736779B1 Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic device comprising the same_+++A_C_D_E_N+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-02-03_发明申请_US20050023937A1 Piezoelectric vibrator_+++C_M_a_d_e_l_n_o_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-03-17_发明申请_US20050057284A1 Method and apparatus for controlling scanning of mosaic sensor array_+++B_a_c_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2005-04-07_发明申请_US20050075572A1 Focusing micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture_+++B_a_c_e_g_l_o_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2008-10-23_发明申请_US20080258580A1 Reliability Improvement For Piezoelectric Imaging Array Device_+++a+++.docx
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2008-12-18_发明申请_US20080309200A1 Ultrasonic Transducer Module Comprising a Transmitter Layer and a Receiver Layer_+++A_E_H_I_N_d_m+++.docx
2026-03-10 19:01
2009-01-08_发明申请_US20090009704A1 LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS_+++A_a+++.docx
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2009-08-13_发明申请_US20090204001A1 ULTRASONIC PROBE AND ULTRASONIC DIAGNOSTIC APPARATUS_+++B_N_a_b_c_d_e_l_m_o+++.docx
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2010-07-01_发明申请_US20100168583A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS_+++B_C_G_O_a+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-08-03_发明公开_CN102143422A 圆形薄膜压电超声换能器_+++B_C_J_O_R_S_a_d_l_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2011-09-08_发明申请_US20110215150A1 Biometric Sensor With Delay Layer_+++a_d_e_f_h_i+++.docx
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2012-06-19_发明授权_US08203912B2 CMUTs with a high-k dielectric_+++A_B_E_G_O_f_j+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-07-26_发明申请_US20120188849A1 ULTRASONIC SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_D_E_F_G_o_p_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-08-16_发明申请_US20120206014A1 PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS USING MICRO-DOME ARRAYS_+++A_B_C_E_O+++.docx
2026-03-10 19:01
2012-09-27_发明申请_US20120245408A1 METHODS AND SYSTEMS FOR IMPROVING ACTUATOR PERFORMANCE BY REDUCING TENSILE STRESSES IN PIEZOELECTRIC THIN FILMS_+++B_C_D_F_G_L_O_S_a_e_j_p_r+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-07-11_发明专利_JP2013135793A Ultrasonic probe and ultrasonic inspection apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_L_M_N_O_P_R_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2013-11-07_发明申请_US20130293065A1 ULTRA WIDE BANDWIDTH PIEZOELECTRIC TRANSDUCER ARRAYS_+++B_C_D_E_O_a_b_c_l_m_n_p+++.docx
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2014-06-24_发明授权_US08760971B2 Method for controlling an ultrasonic sensor and ultrasonic sensor_+++D_E_F_a+++.docx
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2014-08-07_发明申请_US20140219521A1 BIOMETRIC SENSING DEVICE FOR THREE DIMENSIONAL IMAGING OF SUBCUTANEOUS STRUCTURES EMBEDDED WITHIN FINGER TISSUE_+++A_D_E_b_c_n_p+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-08-21_发明申请_US20140232241A1 PIEZOELECTRIC ARRAY EMPLOYING INTEGRATED MEMS SWITCHES_+++B_C_E_L_M_N_O_a_g_t+++.docx
2026-03-10 19:01
2014-08-28_发明申请_US20140243676A1 DELTA DELAY APPROACH FOR ULTRASOUND BEAMFORMING ON AN ASIC_+++a+++.docx
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2014-12-04_发明申请_US20140354608A1 DEVICES AND METHODS OF SENSING_+++C_D_E_F_a_b_g+++.docx
2026-03-10 19:01
2015-06-18_发明申请_US20150169136A1 MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY_+++B_C_a_e_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_US20160107194A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061406A1 SUPERPIXEL ARRAY OF PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCERS FOR 2-D BEAMFORMING_+++A_B_C_D_E_G_H_I_f_l_m_o+++.docx
2026-03-10 19:01
2016-04-21_发明申请_WO2016061410A1 THREE-PORT PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_US20170110504A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_b_e_k_q_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2017-04-20_发明申请_WO2017066612A1 INTEGRATED PIEZOELECTRIC MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCER PIXEL AND ARRAY_+++A_B_C_D_G_H_I_L_M_N_e_f_j_o_p_r_s+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-08_发明公开_CN108140115A 集成的压电微机械超声换能器像素和阵列_+++A_B_C_D_E_G_H_I_J_L_M_N_O_f_p_r_s+++.docx
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2018-06-18_发明公开_KR20180066096A 통합된 압전 마이크로기계식 초음파 트랜스듀서 픽셀 및 어레이_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_O_P_Q_R_S+++.docx
2026-03-10 19:01
2018-06-19_发明授权_US10001552B2 Three-port piezoelectric ultrasonic transducer_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T+++.docx
2026-03-10 19:01
EP3362943A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_N_P_k_o+++.docx
2026-03-10 19:01
WO2016061410A1_Description_20260304_2047_+++A_B_C_D_F_G_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_e_h+++.docx
2026-03-10 19:01
2009-01-08_发明申请_US20090009704A1 LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS_+++A_a+++.docx

好的,作为一名专利代理师,我将对提供的对比文件进行深度分析,评估其是否公开了目标专利权利要求的各项技术特征。本次评估严格遵循您提供的标准,包括特征划分、公开性判断原则和输出格式。

### 对比文件名称:

2009-01-08_发明申请_US20090009704A1 LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

### 目标专利名称:

217三端口压电超声换能器CN107107114B

### 模型名称:

GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:在第一时间段期间,响应于来自收发器电路的信号,借助于压电微机械超声换能器PMUT的第一电极发射第一超声信号。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:对比文件涉及液晶显示装置(LCD),其核心是驱动液晶分子旋转以调制可见光。文件中描述的“信号”是施加在像素电极和公共电极之间的图像信号或驱动电压,用于控制液晶的排列状态(例如,[0048]段描述了应用图像信号)。文件中完全没有提及任何与“超声信号”、“压电微机械超声换能器(PMUT)”、“发射”超声相关的技术内容。因此,本领域技术人员无法从对比文件得出或推理出该技术特征。
**技术特征B**:所述PMUT包含安置于腔上方的膜片。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:对比文件的结构包括玻璃基板(11,21)、电极(16,18)和液晶层(50)(如[0034],[0040]段所述)。整个装置是实心的层叠结构,没有任何“腔”或悬置的“膜片”结构。其工作原理依赖于液晶分子的旋转,而非膜片的振动。因此,该特征未被公开。
**技术特征C**:所述膜片包含压电层堆叠。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:对比文件的层结构包括半导体层(31)、绝缘层(42-45)、由ITO(氧化铟锡)等透明导电材料制成的电极(16,18)以及液晶层(50)(见[0042]-[0047]段)。没有任何一层被描述为具有压电特性的材料(如AlN, PZT)。文件中的“层堆叠”是为液晶显示目的而构建的,与“压电层堆叠”在材料和功能上完全不同。
**技术特征D**:所述压电层堆叠包含压电层、所述第一电极和第二电极。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:如特征C所述,对比文件没有“压电层”。虽然其具有“第一电极”(如公共电极18)和“第二电极”(如像素电极16)(见[0038]段),但这些电极是用于在液晶层中产生水平电场的透明电极,与压电层无关。因此,构成压电换能器核心的“压电层与电极的组合”这一技术特征未被公开。
**技术特征E**:所述第一电极与所述收发器电路的第一部分电耦合。 <br> **未公开**对比文件涉及电极与电路的连接,但目的不同。例如,[0038]段:“像素电极16电连接到TFT元件30的漏极区”。驱动电路提供图像信号。**论述**:对比文件中的电极(如像素电极16)确实与驱动电路(通过TFT)电连接。然而,这里的“电路”是用于显示驱动的“数据线”、“扫描线”及相关IC,其功能是提供图像电压以调制光,而非目标专利中定义的用于激励和读取超声信号的“收发器电路”。二者在功能和技术领域上存在本质区别。因此,该特征未被公开。
**技术特征F**:且所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征的前提是存在“压电层”。如前所述,对比文件不存在压电层。因此,该特征不可能被公开。
**技术特征G**:所述第一表面与所述腔对置。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征涉及“表面”、“腔”和“对置”关系,这些均依赖于目标专利中特定的PMUT结构(膜片悬置于腔上)。对比文件既无“腔”,也无此类结构关系。因此,未被公开。
**技术特征H**:和在第二时间段期间,借助于所述第二电极接收第二超声信号,所述第二电极与所述收发器电路的第二且不同的部分电耦合,其中所述第一时间段和所述第二时间段至少部分地重叠。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:这是目标专利的核心发明点之一,即通过独立的电极和电路实现发射与接收信号在时间上的重叠(同时或部分同时操作)。对比文件仅涉及静态或缓变的电压信号对液晶状态的控制,完全不涉及动态的“接收”信号,更不涉及“超声信号”的接收以及时间段的重叠。该特征未被公开。
**技术特征I**:其进一步包括同时地借助于所述第一电极发射所述第一超声信号并借助于所述第二电极接收所述第二超声信号。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:这是特征H的进一步限定(完全同时)。对比文件中的电极功能是施加电场,不存在“同时发射和接收”信号的概念。因此,未被公开。
**技术特征J**:所述第一电极安置于所述膜片的内部部分中,且所述第二电极安置于所述膜片的外部部分中,所述外部部分接近于所述腔的壁且处在所述壁与所述第一电极之间。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征描述了PMUT膜片上电极的特定空间布局(内部/外部,相对于腔壁)。对比文件中的电极(如像素电极16和公共电极18)是平面图案(如[0041]段描述的具有狭缝的矩形),其布局是为了在液晶层中形成有效的水平电场(如FFS或IPS模式),与悬置膜片上的振动模式和应力分布优化无关。因此,该特征未被公开。
**技术特征K**:其中所述第二电极的一部分延伸超出所述腔的所述壁。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征同样依赖于“腔”和“腔壁”的存在。对比文件没有这些结构,故无法公开此特征。
**技术特征L**:其中所述膜片包含第三电极,所述第三电极安置于所述压电层与所述腔之间。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征描述了PMUT的三端口结构中的参考电极。对比文件虽然也有多层电极(如公共电极18和像素电极16),但它们并非位于“压电层与腔之间”,且功能是共同产生驱动液晶的电场,而非作为超声换能的参考地。因此,未被公开。
**技术特征M**:其中所述第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的每一者一样的参考电极。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:目标专利中的“参考电极”通常接地或接固定参考电位,用于为发射和接收电路提供公共参考点(如说明书[0052]段)。对比文件中的公共电极(18)虽然也施加公共电位([0038]段),但其作用是作为形成水平电场的电极之一,与像素电极共同工作,而非作为独立的“参考电极”。功能和技术目的不同。
**技术特征N**:其中所述参考电极的电压箝位到接地或其它参考电压。 <br> **未公开**对比文件未明确描述电极电压被“箝位”到地。公共电极有恒定电位([0048]段)。**论述**:对比文件的公共电极(18)被维持在一个恒定的电位,这可以理解为一种参考电压。然而,这种设置是为了与像素电极形成电位差以驱动液晶,其技术背景和目的(显示驱动)与目标专利中为了减少电串扰、隔离发射/接收电路而将参考电极箝位到地([0052]段)完全不同。从宽松的隐含公开标准看,可以认为对比文件“部分公开”了电极接恒定电位这一广义概念。但严格来说,其具体技术作用(形成驱动电场 vs. 提供电学参考并减少串扰)不同,且未提及“箝位”这一主动控制方式。**出于严谨考虑,判断为未公开。**
**技术特征O**:所述膜片受锚定结构支撑并在所述腔上方延伸,所述膜片经配置以在所述PMUT接收或发射超声信号时,经历挠曲运动和振动中的一者或两者并在第一挠曲模式中操作。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:这是PMUT的机械工作原理。对比文件中的结构是刚性的层压结构,没有任何部件被描述为可以“挠曲运动”或“振动”的“膜片”。液晶分子本身会旋转,但支撑结构(基板、电极)是固定的。因此,该特征未被公开。
**技术特征P**:其中,在所述第一挠曲模式中,所述第一电极和所述第二电极中的每一者经历包含拉伸和压缩应力的交替周期的相应的第一振荡负载循环和第二振荡负载循环。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征描述了压电材料在膜片振动时因形变而产生的机电耦合效应。对比文件中的电极是静止的导电层,其上的电信号是用于控制外部液晶材料的电压,电极本身不承受由振动引起的周期性机械应力。因此,未被公开。
**技术特征Q**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环大致同相。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征涉及两个电极处机械应力的相位关系,这取决于电极在振动膜片上的位置。对比文件不存在振动和机械应力,故此特征无基础。
**技术特征R**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:同特征Q,该特征基于不存在的技术前提。
**技术特征S**:其中所述第一振荡负载循环和所述第二振荡负载循环异相180°。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:同特征Q,该特征基于不存在的技术前提。
**技术特征T**:其中所述第二电极经配置以在所述第一时间段期间处于发射模式中且在所述第二时间段期间处于接收模式中。 <br> **未公开**对比文件全文未涉及。**论述**:该特征描述了电极功能的可切换性(发射/接收)。对比文件中的电极功能是固定的:像素电极用于接收数据电压以改变电场,公共电极提供恒定电位。没有“模式切换”的概念,更与超声信号的发射和接收无关。因此,未被公开。

### 总结

经全面比对,对比文件US20090009704A1公开的是一种用于改善显示对比度的液晶显示装置(LCD),其技术领域、发明目的、技术问题及解决方案均与目标专利“三端口压电超声换能器”截然不同。对比文件的核心在于通过优化液晶层的延迟来减少偏振片角度偏差对对比度的影响,其结构为固态的层状显示面板,涉及可见光的调制。而目标专利的核心在于一种具有特殊三电极结构的压电微机械超声换能器(PMUT),涉及超声信号的产生、发射与接收,其结构包含悬置于腔体上方的振动膜片。

**结论**:对比文件没有直接公开目标专利权利要求的任何技术特征。同时,基于本领域技术人员的知识和对比文件所公开的内容,也无法通过合理推理得出目标专利的技术方案。因此,所有技术特征均未被对比文件直接公开或隐含公开。

**最终输出**:根据指令,由于没有技术特征被直接公开或隐含公开,不在回答中插入任何对应的代码(如<<<A>>>或<<<a>>>等)。

权利要求与技术特征
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