本次评估的目标专利是：1182通孔过渡及其制作方法CN105453302B。
本次评估的对比文件是：2004-01-22_AU2003204881A_发明专利_AU2003204881A1 High efficiency stepped impedance filter。
本次调用的模型名称：Expert Patent Analysis System v4。
以下为特征比对表格，包括技术特征描述、对比文件引用原文及公开性论述：
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括两个端部分(L1，L5) 《直接公开》 | “Stepped impedance filters typically have an input port, an output port.” “input/output ports 108” (说明书第19页、第22页) | D1明确公开了阶梯阻抗滤波器具有输入端口和输出端口，作为其结构的两端，这与目标专利中通孔过渡的两个端部分在功能上完全相同，均作为与外部电路或传输线连接的结构端点。 |
| 技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4) 《直接公开》 | “High impedance transmission line sections 110” (说明书第22页) | D1明确公开了高阻抗传输线段110，该段用于实现等效串联电感，与目标专利中高阻抗部分的作用和功能完全相同。 |
| 技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) 《直接公开》 | “lower impedance transmission line sections 112” and “lowest impedance transmission line sections 114” (说明书第22页) | D1明确公开了低阻抗传输线段112和最低阻抗传输线段114，这些段用于实现等效并联电容，与目标专利中低阻抗部分的作用和功能完全相同。 |
| 技术特征D：其中所述高阻抗部分和所述低阻抗部分被交替布置在两个端部分之间 《直接公开》 | “multiple alternating high impedance and low impedance transmission line sections” (说明书第19页) | D1明确公开了高阻抗和低阻抗传输线段交替布置在输入输出端口之间的结构，这与目标专利的技术方案完全相同。 |
| 技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中 《直接公开》 | “stepped impedance filter is sandwiched within substrate” “formed... stripline...” (说明书第17页) | D1公开了阶梯阻抗滤波器形成在基底中（如带状线结构），目标专利的通孔过渡同样形成在基底中，两者均以基底为物理载体。 |
| 技术特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 《隐含公开》 | “features such as vias... can be punched through one or more layers of tape.” “The individual layers of tape can be stacked together to produce a complete, multi-layer substrate.” (说明书第32-33页) | 对比文件D1公开了多层基板结构以及通孔可以贯穿一个或多个介电层的概念（部分公开了技术特征F的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能将D1公开的垂直通孔贯穿介电层的技术内容与滤波器各部分结合，从而得出各部分延伸通过介电层的技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC...基底 《直接公开》 | “Low-Temperature Cofire Dielectric Tape... 951 Low-Temperature Cofire Dielectric Tape” (说明书第31页) | D1明确公开了其基底可以使用低温共烧陶瓷（LTCC），与目标专利列出的可选基底材料完全一致。 |
| 技术特征H：其中所述低阻抗部分的数目是4 《直接公开》 | 说明书附图1及第22页，在输入输出端口108之间具有四个低阻抗传输线段：112, 114, 112, 114。 | D1的示例性7元件阶梯阻抗滤波器实施例明确示出了四个低阻抗部分，与该特征完全相同。 |
| 技术特征I：所述高阻抗部分的数目是3 《直接公开》 | 说明书附图1及第22页，在输入输出端口108之间具有三个高阻抗传输线段：110, 110, 110。 | D1的示例性7元件阶梯阻抗滤波器实施例明确示出了三个高阻抗部分，与该特征完全相同。 |
| 技术特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形 《隐含公开》 | “features such as vias... punched through... layers of tape.” (说明书第32页) | 对比文件D1公开了通孔（via）结构，通孔的典型形状即为圆柱形（部分公开了技术特征J的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能将D1公开的通孔的圆柱形形状与滤波器各部分结合，从而得出各部分为圆柱形的技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征K：所有部分都是同轴对齐的 《隐含公开》 | 多层基板结构，通孔对齐。（说明书第33页） | 对比文件D1公开了多层基板结构，其中不同层间的通孔通常需要同轴对齐以确保电气连接（部分公开了技术特征K的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能将D1公开的通孔同轴对齐概念与滤波器各部分结合。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征L：高阻抗部分中的每一个的横截面面积比端部分中的任一个的横截面面积更小 《隐含公开》 | “the line characteristic impedance value is exclusively adjusted by controlling the line geometry and physical structure.” (说明书第18页) | 对比文件D1公开了通过调整传输线物理几何结构（如线宽）来控制阻抗（部分公开了技术特征L的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能将D1公开的几何结构调整阻抗的概念应用于垂直通孔的横截面积调整上。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征M：低阻抗部分中的每一个的横截面面积比端部分中的任一个的横截面面积更大 《隐含公开》 | 同上。 | 同上。 |
| 技术特征N：其中所述两个端部分被分别直接耦接到两个传输线 《直接公开》 | “input/output ports 108” (说明书第22页，附图1) | D1的端口108直接与外部电路或传输线连接，以实现信号传输，与目标专利的端部分直接耦接传输线的作用相同。 |
| 技术特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成 《隐含公开》 | “The metal layer then can be applied to form the stepped impedance filter... Conductor traces can be provided using... electroplating...” (说明书第30、38页) | 对比文件D1公开了滤波器由金属层/导体形成（部分公开了技术特征O的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能将D1公开的金属导体材料替换为高频性能更优的金或银。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成 《隐含公开》 | “Ferro Electronic Materials ULF28-30” (说明书第31页) | 对比文件D1公开了其基底材料来源于Ferro公司（部分公开了技术特征P的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能将D1公开的Ferro公司产品概念具体化为Ferro A6S型号。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 《隐含公开》 | “Two critical factors affecting the performance of a substrate material are permittivity... and the loss tangent” (说明书第17页) | 对比文件D1公开了介电常数和损耗因数是基板材料的关键性能参数（部分公开了技术特征Q的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能为特定的Ferro A6S材料定义出相应的具体参数值。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um 《隐含公开》 | “substrate layer 100 has a thickness... This distance can be adjusted...” (说明书第22页) | 对比文件D1公开了基板或介电层厚度可以调整（部分公开了技术特征R的内容）。根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员完全有可能将D1公开的厚度可调概念具体化为100μm这一LTCC工艺中的常规厚度值。因此，该技术特征被隐含公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<N>>><<<f>>><<<j>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>><<<o>>><<<p>>><<<q>>><<<r>>>