对比文件：JP2007233418A_Description_20260428_1007
目标专利：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
本次调用的模型名称：专利分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括两个端部分(L1，L5) - 《直接公开》 | [0075] “过孔片9的过孔的端面优选为剑山状等锐角结构，从而可以使过孔与配线的连接变得良好。” 以及 [0074] “相邻的两个预定二维配线2通过过孔3连接。” | 对比文件明确记载了过孔（ビア）具有端面，该端面用于与配线连接，且过孔两端分别连接上下配线，这实质公开了过孔具有两个端部分，与目标专利中端部分用于连接传输线的功能相同，因此特征A被直接公开。 |
| 特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4) - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件涉及多孔质体中的配线和过孔结构，未提及任何关于“高阻抗部分”的概念或结构，也未公开通过横截面积或长度控制阻抗的阶梯式设计，因此特征B未被公开。 |
| 特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未公开任何“低阻抗部分”的相关内容，没有描述阻抗交替变化的结构，因此特征C未被公开。 |
| 特征D：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件中的过孔为单一均匀导体，未公开高/低阻抗部分交替布置的结构，也未公开任何阶梯式阻抗滤波设计，因此特征D未被公开。 |
| 特征E：所述通孔过渡形成在基底中 - 《直接公开》 | [0073] “在多孔质体1中形成有多层二维配线2，相邻的两个预定二维配线2通过过孔3连接。” | 对比文件明确记载过孔（ビア）形成在多孔质体（基底）中，用于连接不同层的配线，这实质公开了通孔过渡形成在基底中，因此特征E被直接公开。 |
| 特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 - 《未公开》 | 无相关内容（对比文件仅公开过孔整体延伸通过一个介电层，未公开多个部分分别延伸） | 对比文件中的过孔是单一整体，未划分端部分、高/低阻抗部分等，因此不存在“每个部分”延伸通过介电层的概念，且对比文件中过孔通常只穿过单层多孔质体片，未公开部分跨越多层的结构，故特征F未被公开。 |
| 特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件中的基底为多孔质体，例如聚酰亚胺、聚丁二烯、硅气凝胶等聚合物或无机材料，未提及LTCC、HTCC、LCP或PCB等具体基板类型，因此特征G未被公开。 |
| 特征H：其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未公开低阻抗部分，更未公开其数目为4，因此特征H未被公开。 |
| 特征I：所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未公开高阻抗部分，更未公开其数目为3，因此特征I未被公开。 |
| 特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形 - 《未公开》 | 无明确圆柱形描述（实施例部分提及“铜柱”，但未明确形状） | 对比文件中的过孔虽可理解为柱状，但未明确形状为圆柱形，更关键的是目标专利中每个部分（包括端部分、高/低阻抗部分）均为圆柱形，而对比文件未公开这些部分的存在，因此特征J未被公开。 |
| 特征K：所有部分都是同轴对齐的 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未公开多个部分及其同轴对齐关系，过孔本身为单一结构，不存在多个部分的对齐问题，因此特征K未被公开。 |
| 特征L：其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未公开高阻抗部分和端部分的横截面面积比较关系，未涉及不同阻抗部分的横截面变化，因此特征L未被公开。 |
| 特征M：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未公开低阻抗部分和端部分的横截面面积比较关系，因此特征M未被公开。 |
| 特征N：其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线 - 《直接公开》 | [0074] “相邻的两个预定二维配线2通过过孔3连接。” 以及 [0075] “过孔片9的过孔的端面...使过孔与配线的连接变得良好。” | 对比文件明确记载过孔（ビア）的两端分别连接配线（传输线），实现层间连接，这直接公开了两个端部分分别耦接到两个传输线，因此特征N被直接公开。 |
| 特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成 - 《未公开》 | 无相关内容（对比文件中配线和过孔常由铜制成） | 对比文件未限定通孔过渡和传输线的材料为金或银，实施例中多采用铜，因此特征O未被公开。 |
| 特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未涉及LTCC基底，更未指定Ferro A6S材料，因此特征P未被公开。 |
| 特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未涉及LTCC基底，未公开该材料的介电常数和损耗因数，因此特征Q未被公开。 |
| 特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um - 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未涉及LTCC介电层的厚度，因此特征R未被公开。 |
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、E、N，因此插入相应的大写英文代码。其他技术特征未被直接或隐含公开，故不插入代码。
<<<A>>><<<E>>><<<N>>>