对比文件名称：2008-05-29_US2008121422A_发明申请_US20080121422A1 MULTILAYERED PRINTED-WIRING BOARD AND INTER-LAYER CONNECTING METHOD THEREOF
目标专利名称：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
本次调用的模型名称：无特定信息
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括两个端部分(L1，L5) <br>《隐含公开》 | 对比文件[0024]：“第一通孔Va和Vi分别设置在第一和第二布线层10a和10i中，这些布线层形成外层……”（原文：first vias Va and Vi are respectively disposed in the first and second wiring layers 10a and 10i forming outer layers）。 | 对比文件明确公开了设置在外层的第一通孔Va和Vi，这些通孔在结构上位于通孔过渡堆叠结构的两端，起到连接外部电路的作用。目标专利中的端部分也是位于通孔过渡两端、用于与传输线耦接的元件。虽然对比文件未使用“端部分”这一术语，也未强调其阻抗特性，但本领域技术人员可以合理推断，这些位于两端、作为连接端点的通孔（Va、Vi）实质上构成了通孔过渡的端部分。因此，技术特征A被隐含公开。 |
| 技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4) <br>未公开 | 对比文件[0024]-[0031]描述了各通孔Va至Vi，但未提及任何部分被定义为“高阻抗部分”。其关注点在于通过改变通孔直径（如中心层通孔Ve直径最大）来增强连接强度，而非调整阻抗特性。 | 对比文件没有公开“高阻抗部分”这一概念，也未公开任何部分（包括未定义的L2、L3、L4）被设计为具有高阻抗。对比文件虽提及了通孔直径的变化，但这是基于机械应力分布的考量，而非电学阻抗匹配。目标专利中的高阻抗部分是基于阶梯式阻抗低通滤波原理设计的，用于等效串联电感，两者功能和设计动因不同。因此，技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) <br>未公开 | 对比文件[0024]-[0031]描述了各通孔Va至Vi，但未提及任何部分被定义为“低阻抗部分”。其关注点在于通过改变通孔直径（如中心层通孔Ve直径最大）来增强连接强度，而非调整阻抗特性。 | 对比文件没有公开“低阻抗部分”这一概念，也未公开任何部分（包括未定义的C1、C2、C3、C4）被设计为具有低阻抗。与特征B类似，对比文件中的直径变化不是为了实现电学上的低阻抗特性。目标专利中的低阻抗部分是等效并联电容，以形成低通滤波结构，这在对比文件中完全没有提及。因此，技术特征C未被公开。 |
| 技术特征D：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间 <br>未公开 | 对比文件[0024]-[0031]描述了各通孔Va至Vi连续堆叠，例如[0024]：“通孔Va至Vi通过各个焊盘La至Lj在堆叠方向上连续连接”。图中显示Vd和Vf都与中心通孔Ve直接相邻。 | 对比文件公开的是通孔（如Va、Vb...Vi）的连续堆叠结构，其中中心通孔Ve直径较大，其他通孔直径较小或渐变。这种结构是简单的串联堆叠，不存在高阻抗部分和低阻抗部分在两端之间交替布置的模式。目标专利的核心在于通过交替布置形成阶梯式阻抗低通滤波器，对比文件中没有公开或暗示这种特定的交替布置模式。因此，技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中 <br>《直接公开》 | 对比文件[0005]：“在用作电子设备电路板的多层印刷线路板中...”（原文：In the multilayered printed-wiring board used as the circuit board...）；[0024]：“多层印刷线路板10由...层叠而成”。整个发明涉及在印刷线路板（基底）中形成的层间连接结构。 | 对比文件明确描述了一种形成在基底（多层印刷线路板）中的层间连接结构，该结构由堆叠的通孔构成，其整体构成一个通孔过渡。这与目标专利中通孔过渡形成在基底中的特征完全一致，并且起到了在多层基底中实现垂直互连的基本作用。因此，技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 <br>《直接公开》 | 对比文件[0024]：“每个通孔Va至Vi通过将导电材料（例如铜）填充到形成在每个布线层10a至10i中的通孔中来形成”。（原文：Each of the vias Va to Vi is formed by filling with a conductive material such as copper into a via-hole formed in each of the wiring layers 10a to 10i）。 | 对比文件明确指出，每个通孔都形成并延伸通过对应的单个布线层（介电层）。例如，通孔Va形成于第一层，Vb形成于第二层，等等。这等同于目标专利中每个部分（在对比文件中对应为每个通孔）延伸通过基底的一个介电层。因此，技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底 <br>《隐含公开》 | 对比文件[0005]：“多层印刷线路板”（原文：multilayered printed-wiring board）；[0024]：“多层印刷线路板10由布线层10a至10i层叠而成”。全文均以“印刷线路板”作为基底。 | 对比文件公开的基底为“多层印刷线路板”，在现有技术中，常见的多层印刷线路板基底包括有机PCB基底。虽然对比文件未明确排除LTCC等其他类型，但本领域技术人员可以合理推断，其最典型的实施方式即为有机PCB基底。目标专利的特征G为可选的基底材料列表，对比文件至少隐含公开了其中的“有机印刷电路板PCB基底”这一选项。因此，技术特征G被隐含公开。 |
| 技术特征H：其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4 <br>未公开 | 对比文件[0024]描述了9个通孔Va至Vi，其中Va、Vi为外层通孔，Vb、Vc、Vd、Vf、Vg、Vh、Ve为内层通孔。没有部分被定义为低阻抗部分，也未提及数目为4。 | 对比文件中没有公开任何被定义为“低阻抗部分”的元件，更未公开其数目为4。对比文件的通孔堆叠结构有9个通孔，与目标专利中4个低阻抗部分和3个高阻抗部分的特定数目划分完全不同。因此，技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3 <br>未公开 | 对比文件[0024]描述了9个通孔Va至Vi，其中Va、Vi为外层通孔，Vb、Vc、Vd、Vf、Vg、Vh、Ve为内层通孔。没有部分被定义为高阻抗部分，也未提及数目为3。 | 对比文件中没有公开任何被定义为“高阻抗部分”的元件，更未公开其数目为3。与特征H同理，对比文件的结构与目标专利中高低阻抗部分的数目配置完全不同。因此，技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形 <br>《直接公开》 | 对比文件[0024]：“...形成在通孔（via-hole）中...”；[0029]：“通孔的开口面直径SV...”。本领域公知，通过钻孔形成的通孔（via-hole）通常是圆柱形。此外，对比文件图2、3等示出的通孔截面为矩形，对应圆柱体的剖面。 | 对比文件全文涉及的多层印刷线路板中的通孔，其标准制造工艺为钻孔并填充导电材料，所形成的通孔结构为标准的圆柱形。这是本领域的公知常识，且对比文件的附图和描述（如直径、开口面）均明确指向圆柱形通孔。因此，技术特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：所有部分都是同轴对齐的 <br>《直接公开》 | 对比文件[0024]：“...通孔Va至Vi通过各个焊盘La至Lj在堆叠方向上连续连接，以便通孔直线贯穿所有布线层。”（原文：...the vias Va to Vi are straightly connected through all the wiring layers 10a to 10i through respective lands La to Lj）。 | 对比文件明确描述所有通孔是“直线贯穿（straightly connected）”的，这隐含了它们在堆叠方向上是同轴对齐的，以保证垂直导电通道的连续性。这是实现层间可靠连接的基本要求。因此，技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小 <br>未公开 | 对比文件[0024]-[0031]描述了通孔直径的变化，但未定义高、低阻抗部分。其中，中心通孔Ve的直径最大，而非更小。对比文件提及[0037]：“从最外层向最内层，通孔直径逐渐增大”，即外层通孔直径小，内层大。 | 对比文件公开的是中心内层通孔直径最大，外层通孔直径最小的结构。由于未定义高阻抗部分和端部分，无法直接比对。若将外层通孔对应为端部分，则内层通孔（可能被对应为高阻抗部分）的横截面面积大于外层通孔，这与特征L所述高阻抗部分面积“更小”相反。因此，技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大 <br>未公开 | 对比文件[0024]-[0031]描述了通孔直径的变化，但未定义高、低阻抗部分。其中，中心通孔Ve的直径最大，若将其对应为低阻抗部分，则其面积大于其他通孔。但外层通孔直径最小。 | 若将外层通孔对应为端部分，将内层通孔对应为低阻抗部分，则内层通孔（如Ve）的横截面面积大于外层通孔，这与特征M所述“更大”一致。但此对应关系是主观的，且对比文件未教导低阻抗部分的概念。更重要的是，对比文件中直径不同的目的是为了分散机械应力，而非实现阻抗匹配。由于对比文件与目标专利的发明构思和技术目的完全不同，不能认为其公开了特征M。因此，技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线 <br>《隐含公开》 | 对比文件[0021]：“布线板10具有层间连接部分11，所有布线层通过通孔连接在一起。设置在各布线层上的布线图案通过连接部分11相互连接。”[0024]：“...通孔Va和Vi...第一和第二布线层形成外层”。 | 对比文件公开了外层通孔Va和Vi，并且明确层间连接部分的作用是连接各层布线图案。本领域技术人员可以合理推断，位于外层的第一通孔Va和第二通孔Vi必然直接耦接到相应外层（顶层和底层）的传输线或布线图案上，以实现与外部电路的连接。这等同于特征N所述端部分直接耦接到传输线。因此，技术特征N被隐含公开。 |
| 技术特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成 <br>未公开 | 对比文件[0024]：“每个通孔Va至Vi通过将导电材料（例如铜）填充到通孔中来形成...”。全文未提及使用金或银作为导电材料。 | 对比文件明确使用铜作为通孔的导电材料，未提及金或银。目标专利使用金或银是为了在高频下保持性能，而对比文件未涉及此方面。因此，技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成 <br>未公开 | 对比文件全文未提及低温共烧陶瓷（LTCC）基底，更未提及Ferro A6S材料。 | 对比文件涉及的基底为有机印刷线路板，而非LTCC。技术特征P是针对LTCC基底的特定材料限定，对比文件完全没有涉及。因此，技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 <br>未公开 | 对比文件全文未提及Ferro A6S材料，也未提及任何材料的介电常数或损耗因数。 | 对比文件未公开任何有关基底材料电性能参数的信息，技术特征Q在对比文件中完全不存在。因此，技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um <br>未公开 | 对比文件全文未提及低温共烧陶瓷（LTCC）基底，也未提及介电层厚度。 | 对比文件未涉及LTCC基底，也未对介电层厚度进行任何限定。技术特征R是针对LTCC工艺的具体参数，对比文件无相关内容。因此，技术特征R未被公开。 |
<<<E>>> <<<F>>> <<<J>>> <<<K>>> <<<a>>> <<<g>>> <<<n>>>