对比文件的名称：2007-10-17_CN101056094A_发明公开_CN101056094A 同轴型大功率低通滤波－阻抗变换器
目标专利的名称：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括两个端部分(L1，L5) 《直接公开》 | “由外导体M1、内导体T0～T9、绝缘支撑片E1～E4组成”（说明书发明内容部分）；“TL0特性阻抗为ZL，TL9特性阻抗为ZH”（说明书具体实施方式部分） | 对比文件公开了内导体T0和T9作为两个端部分，位于整个内导体的两端，用于连接外部电路，其作用与目标专利中端部分作为阻抗变换网络端口相同。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4) 《直接公开》 | “TL1、TL3、TL5、TL7特性阻抗取值范围100～120Ω，由于其特性阻抗较高，我们称其为高阻传输线”（说明书发明内容部分） | 对比文件明确公开了高阻传输线（TL1、TL3、TL5、TL7），这些部分具有高特性阻抗，对应于目标专利中的高阻抗部分。虽然数量为4，但特征B未限定具体数目，因此直接公开。 |
| 技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) 《直接公开》 | “TL2、TL4、TL6、TL8特性阻抗取值范围5～10Ω，由于其特性阻抗较低，我们称其为低阻传输线”（说明书发明内容部分） | 对比文件明确公开了低阻传输线（TL2、TL4、TL6、TL8），这些部分具有低特性阻抗，对应于目标专利中的低阻抗部分。数量与目标专利相同（4个），因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间 《直接公开》 | “TL1、TL3、TL5、TL7…高阻传输线；TL2、TL4、TL6、TL8…低阻传输线”（说明书发明内容部分）；且TL1～TL8位于TL0和TL9之间（参见图1及结构描述） | 对比文件中的高阻传输线（TL1、TL3、TL5、TL7）和低阻传输线（TL2、TL4、TL6、TL8）交替排列（高-低-高-低-高-低-高-低），并布置在端部分TL0和TL9之间，形成阶梯式阻抗结构。该交替布置方式与目标专利一致，直接公开。 |
| 技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中 《未公开》 | 对比文件全文未提及基底或通孔过渡形成在基底中。 | 对比文件为空气介质的同轴结构，未使用任何基底材料，也未涉及通孔过渡。因此该特征未被公开，也无法隐含公开。 |
| 技术特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 《未公开》 | 对比文件全文未提及介电层或部分延伸通过介电层。 | 对比文件的传输线由内导体和空气介质构成，没有介电层结构。因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底 《未公开》 | 对比文件全文未提及LTCC、HTCC、LCP或PCB基底。 | 对比文件未公开任何基底类型，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4 《直接公开》 | “TL2、TL4、TL6、TL8特性阻抗取值范围5～10Ω”（说明书发明内容部分） | 对比文件明确公开了4个低阻传输线（TL2、TL4、TL6、TL8），与目标专利低阻抗部分数目4完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征I：所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3 《未公开》 | “TL1、TL3、TL5、TL7特性阻抗取值范围100～120Ω”（说明书发明内容部分） | 对比文件公开了4个高阻传输线（TL1、TL3、TL5、TL7），与目标专利高阻抗部分数目3不同，且无任何暗示可推理出数目3，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形 《直接公开》 | “同轴型结构，外导体M1采用外径为79.4mm铜管，内导体T1～T8采用铜或铝”（说明书具体实施方式部分）；同轴内导体通常为圆柱形，且计算直径也表明内导体为圆柱形。 | 对比文件中内导体T0~T9均为圆柱形，目标专利中各部分（端部分、高阻抗部分、低阻抗部分）也采用圆柱形，形状特征一致，因此直接公开。 |
| 技术特征K：所有部分都是同轴对齐的 《直接公开》 | “同轴型大功率低通滤波-阻抗变换器”（发明名称）；“设备为同轴结构”（说明书发明内容部分） | 对比文件为同轴结构，内导体各段与外导体同轴对齐，因此所有部分（端部分、高阻抗部分、低阻抗部分）同轴对齐，直接公开。 |
| 技术特征L：其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小 《直接公开》 | “TL1、TL3、TL5、TL7特性阻抗取值范围100～120Ω”（高阻）；“TL0特性阻抗ZL＝14.06Ω，TL9特性阻抗ZH＝50Ω”（端部分，具体实施方式部分） | 根据同轴传输线特性阻抗公式（外径固定时，内导体直径越小特性阻抗越高），高阻线特性阻抗（100-120Ω）高于端部分（14.06Ω和50Ω），因此高阻线内导体横截面面积小于任一端部分。本领域技术人员能毫无疑义得出，直接公开。 |
| 技术特征M：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大 《直接公开》 | “TL2、TL4、TL6、TL8特性阻抗取值范围5～10Ω”（低阻）；“TL0特性阻抗ZL＝14.06Ω，TL9特性阻抗ZH＝50Ω”（端部分，具体实施方式部分） | 低阻线特性阻抗（5-10Ω）低于端部分（14.06Ω和50Ω），因此低阻线内导体横截面面积大于任一端部分。本领域技术人员能毫无疑义得出，直接公开。 |
| 技术特征N：其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线 《直接公开》 | “阻抗变换器完成两个不同阻抗ZL到ZH变换（ZL＜ZH）”（说明书发明内容部分）；“需要其中阻抗变换器完成的功能是：将阻抗ZL＝14.06Ω变换到ZH＝50Ω”（具体实施方式部分） | 对比文件的端部分TL0和TL9分别与特性阻抗为ZL和ZH的传输线连接，直接耦接到外部电路，实现阻抗变换，其作用与目标专利中端部分直接耦接到传输线相同，因此直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成 《未公开》 | “内导体T1～T8采用铜或铝”（说明书具体实施方式部分） | 对比文件使用铜或铝，未公开金或银，且无任何隐含启示，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成 《未公开》 | 对比文件全文未提及Ferro A6S或LTCC。 | 对比文件未涉及LTCC基底，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 《未公开》 | 对比文件全文未提及该参数。 | 对比文件未公开任何介电常数和损耗因数参数，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um 《未公开》 | 对比文件全文未提及介电层厚度。 | 对比文件未公开该特征。 |
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