对比文件的名称：2012-04-25_CN202205870U_实用新型_CN202205870U 一种大功率高抑制低通滤波器
目标专利的名称：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括两个端部分(L1，L5) 【直接公开】 | [0014] “传输线1有两段，两段传输线1分别与串接的高、低阻抗传输线两端的高阻抗传输线2连接” | 对比文件公开了位于结构两端的传输线1，它们作为整个滤波器件的输入/输出端口，与目标专利中端部分（L1、L5）的功能（作为通孔过渡的末端并与外部传输线连接）实质相同，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4) 【直接公开】 | [0014] “高阻抗传输线2有两段以上” | 对比文件明确公开了高阻抗传输线2，其特性阻抗较高，在等效电路中起串联电感作用，与目标专利中高阻抗部分的功能一致，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) 【直接公开】 | [0014] “相邻的两段高阻抗传输线2之间连接有一段低阻抗传输线3” | 对比文件明确公开了低阻抗传输线3，其特性阻抗较低，在等效电路中起并联电容作用，与目标专利中低阻抗部分的功能一致，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间 【直接公开】 | [0014] “高阻抗传输线2有两段以上，相邻的两段高阻抗传输线2之间连接有一段低阻抗传输线3，两段传输线1分别与串接的高、低阻抗传输线两端的高阻抗传输线2连接” | 根据对比文件的描述，其结构为：传输线1（端部分）→高阻抗传输线2→低阻抗传输线3→高阻抗传输线2→…→高阻抗传输线2→传输线1（端部分），高阻抗和低阻抗传输线交替排列在两端传输线之间，与目标专利的交替布置方式完全相同，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中 【未公开】 | 无相应公开内容 | 对比文件涉及的是同轴电缆式结构的滤波器，由内导体、绝缘介质层和外导体组成，未提及任何基底（如陶瓷、PCB等），更未涉及通孔过渡形成在基底中，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 【未公开】 | 无相应公开内容 | 对比文件中各部分（传输线、高/低阻抗传输线）为连续的同轴结构，不存在“通过基底介电层”的概念，其绝缘介质层是整体结构的一部分而非基底中的层状结构，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底 【未公开】 | 无相应公开内容 | 对比文件未指定滤波器所基于的基底材料类型，其结构不依赖于上述基底，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4 【未公开】 | [0014] “高阻抗传输线2有两段以上” | 对比文件仅提及低阻抗传输线3的数目与高阻抗传输线2的数目关联（高阻抗段数减1），但未给出具体数目为4，本领域技术人员无法毫无疑义地或合理推定出低阻抗部分为4个，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征I：所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3 【未公开】 | [0014] “高阻抗传输线2有两段以上” | 对比文件未指定高阻抗传输线2的具体段数，仅描述为“两段以上”，未公开数目为3，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形 【直接公开】 | [0015] “内导体4的纵截面为圆形” 以及整体同轴结构描述 | 对比文件中的传输线、高阻抗传输线、低阻抗传输线均采用同轴结构，内导体为圆形截面，外导体为圆管，整体外轮廓为圆柱形，本领域技术人员可直接确定其形状为圆柱形，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征K：所有部分都是同轴对齐的 【直接公开】 | [0015] “外导体套设于内导体4上，绝缘介质层位于外导体和内导体之间” 以及各部分依次串联连接 | 对比文件的各部分采用同轴结构，且传输线、高阻抗传输线、低阻抗传输线相互串联时中心轴线重合，实现同轴对齐，与目标专利中所有部分同轴对齐的方式相同，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征L：其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小 【未公开】 | [0015] “高阻抗传输线2外导体的纵截面面积大于传输线1外导体的纵截面面积” | 对比文件中高阻抗传输线的外导体纵截面面积更大，而目标专利中高阻抗部分的横截面面积（整体直径）更小，两者相反，对比文件未公开该特征，也无法合理推定，因此未公开。 |
| 技术特征M：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大 【未公开】 | [0015] “传输线1外导体的纵截面面积大于低阻抗传输线3外导体的纵截面面积” | 对比文件中低阻抗传输线的外导体纵截面面积更小，而目标专利中低阻抗部分的横截面面积更大，两者相反，对比文件未公开该特征，也无法合理推定，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线 【未公开】 | 无直接对应公开 | 对比文件中的传输线1同时充当端部分和传输线的功能，并未明确区分端部分与另外的传输线并形成耦接关系，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成 【未公开】 | 无相应公开内容 | 对比文件未限定导体材料为金或银，仅一般性描述“内导体”、“外导体”，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成 【未公开】 | 无相应公开内容 | 对比文件未涉及LTCC基底，更未指定材料型号为Ferro A6S，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 【未公开】 | 无相应公开内容 | 对比文件未公开任何关于Ferro A6S材料的介电常数及损耗因数，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um 【未公开】 | 无相应公开内容 | 对比文件未涉及LTCC介电层厚度，因此该特征未被公开。 |
综上，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、J、K，未公开或隐含公开其余技术特征。
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