对比文件名称：2014-05-19_JP2014093355A_发明专利_JP2014093355A Method for manufacturing printed-wiring board
目标专利名称：1558印刷电路板CN113243145B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
以下将对比文件与目标专利权利要求的各技术特征进行比对。对于每个特征，判断是否被对比文件直接公开或隐含公开，并引用对比文件原文（日文原文后附中文翻译，段落标号以对比文件原文中的数字编号为准）进行论述。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括《直接公开》 | ［プリント配線板］部分：本発明の方法により製造されるプリント配線板に関しては、絶縁層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１８０ｎｍ以下であることが好ましい。 | 对比文件明确公开了通过其方法制造的印刷线路板，该线路板必然包括绝缘层和导体层（电路图案）。特征A（“包括”）作为开放式前序用语直接公开。 |
| 技术特征B：绝缘层《直接公开》 | 工程（Ｂ）段落：支持体付き樹脂シートの樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。 | 对比文件在多个步骤中提及“絶縁層”，例如工程（B）中热固化树脂组合物形成绝缘层，明确公开了绝缘层。 |
| 技术特征C：电路图案《直接公开》 | 工程（Ｆ）段落：絶縁層の表面に導体層を形成する。また、導体層は所望の配線パターンを有する。 | 对比文件中的“導体層”即导体层，形成配线图案，对应于电路图案。直接公开。 |
| 技术特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上《直接公开》 | 工程（Ｆ）段落：絶縁層の表面に導体層を形成する。 | 对比文件明确在绝缘层表面形成导体层，即电路图案设置在绝缘层上。直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面《隐含公开》 | 工程（Ｆ）部分：形成导体层的图案。 | 对比文件虽未明确列出各表面，但作为立体导体图案，必然具有上表面、下表面以及两侧表面。本领域技术人员可合理推断该特征，因此隐含公开。 |
| 技术特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件仅公开绝缘层表面粗糙度（Ra≤180nm），未涉及电路图案的粗糙度，更未给出0.31μm的范围。无法从对比文件直接或间接得出该特征。 |
| 技术特征G：其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未提及电路图案表面长度与粗糙度的关系。 |
| 技术特征H：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未公开电路图案的粗糙度，更未给出0.17μm的范围。 |
| 技术特征I：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未公开电路图案的粗糙度，更未给出0.1-0.13μm的范围。 |
| 技术特征J：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同《隐含公开》 | 工程（Ｆ）部分：导体层厚度和线宽不同。 | 电路图案的横截面中，上表面/下表面的长度（宽度）与侧表面的长度（厚度）通常不同，这是电路的基本几何特征。对比文件虽未明确提及，但本领域技术人员能合理推断出该差异，隐含公开。 |
| 技术特征K：其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未讨论不同表面粗糙度的差异。 |
| 技术特征L：其中，所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未公开长度与粗糙度的关联关系。 |
| 技术特征M：其中，所述上表面的长度是所述上表面的宽度《隐含公开》 | 工程（Ｃ）段落：ビアホールの開口の大きさ（直径）。 | 对比文件虽未直接定义，但本领域技术人员知道在电路图案横截面中上表面的长度即宽度。这是公知常识，可合理推断。隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述下表面的长度是所述下表面的宽度《隐含公开》 | （同M） | 类似M，下表面长度即宽度，隐含公开。 |
| 技术特征O：所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度《隐含公开》 | 工程（Ｆ）段落：導体層の厚さは３μｍ〜３５μｍ。 | 对比文件公开了导体层的厚度，侧表面的长度对应高度，本领域技术人员可合理推断。隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件仅公开绝缘层Rq≤250nm（0.25μm），未涉及电路图案粗糙度，且特征要求Ra值，对比文件绝缘层Rq虽符合但对象不同。无法得出。 |
| 技术特征Q：其中，所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未提及阻抗值。 |
| 技术特征R：其中，所述电路图案包括：电镀种子层《直接公开》 | 湿式法部分：絶縁層の表面に、無電解メッキによりメッキシード層を形成する。 | 对比文件明确在绝缘层表面通过无电镀形成镀覆种子层（メッキシード層），直接公开。 |
| 技术特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上《直接公开》 | 同上：メッキシード層を形成する（形成在絶縁層の表面）。 | 直接公开。 |
| 技术特征T：图案层《直接公开》 | 湿式法部分：電解メッキにより金属層を形成する。 | 对比文件在种子层上通过电镀形成金属层，该金属层对应于图案层。直接公开。 |
| 技术特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上《直接公开》 | 同上：金属層を形成する（メッキシード層の上）。 | 直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面《隐含公开》 | 湿式法部分：形成金属層。 | 对比文件形成的金属层构成图案，其上表面即为电路图案的上表面。虽未明确说明，但可合理推断。隐含公开。 |
| 技术特征W：其中，所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面《隐含公开》 | 湿式法部分：メッキシード層が絶縁層上に形成。 | 种子层下表面接触绝缘层，是电路图案的下表面。隐含公开。 |
| 技术特征X：其中，所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；并且中，所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面《隐含公开》 | 种子层与金属层叠层结构。 | 由于种子层和图案层叠置，侧表面必然由两层材料的侧表面共同构成。本领域技术人员容易理解。隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未公开横截面形状，未提及上表面宽度小于下表面宽度（梯形）。 |
| 技术特征Z：其中，所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间《无公开》 | （无相关公开） | 对比文件未提及侧表面倾斜角度。 |
综上所述，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、R、S、T、U；隐含公开了技术特征E、J、M、N、O、V、W、X。其余特征未被公开。
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