对比文件名称：2017-09-22_KR1020170107040A_发明公开_KR1020170107040A 조면화 처리 구리박 및 프린트 배선판
目标专利名称：1558印刷电路板CN113243145B
本次调用的模型名称：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括（直接公开） | [0010]：“根据本发明的另一形态，提供一种高频用途用印刷线路板，其具备上述形态的粗糙化处理铜箔和与上述铜箔的粗糙化处理面密合而形成的绝缘树脂层。” | 对比文件明确公开了印刷线路板（包括铜箔和绝缘树脂层），因此直接公开了“包括”这一开放式表述所对应的整体产品。 |
| 技术特征B：绝缘层（直接公开） | [0010]：同上，提及“绝缘树脂层”。 | 对比文件直接公开了绝缘层（绝缘树脂层），该层作为印刷线路板的组成部分。 |
| 技术特征C：电路图案（直接公开） | [0109]：“将绝缘树脂基材的一侧的粗糙化处理铜箔进行蚀刻，形成特性阻抗为50Ω的微带线作为信号层（电路图案）。” | 对比文件公开了通过蚀刻铜箔形成的信号层（即电路图案），因此直接公开了电路图案。 |
| 技术特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上（直接公开） | [0010]：铜箔的粗糙化处理面与绝缘树脂层密合；[0109]：在绝缘树脂基材上形成信号层。 | 对比文件公开了铜箔（信号层）与绝缘树脂层直接接触并设置于其上，故电路图案设置在绝缘层上。 |
| 技术特征E：所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面（直接公开） | [0109]及图4：微带线信号层具有上表面、下表面和两侧表面。 | 本领域技术人员阅读对比文件并结合附图，可以毫无疑义地确定信号层（电路图案）具有上表面、下表面以及第一、第二侧表面，这是任何导电图案固有的几何特征。 |
| 技术特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下（未公开） | [0019]、[0021]等公开了粗糙化处理面的10点平均粗糙度Rzjis为0.6～1.7μm，半值宽度0.9μm以下，未涉及Ra值，也未提及电路图案的多个表面。 | 对比文件仅针对铜箔的粗糙化处理面（与绝缘层接触的面）采用Rzjis参数，未给出Ra数值，也未涉及电路图案上表面、侧表面的粗糙度，更未要求至少三个表面满足特定Ra范围。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推导出该特征。 |
| 技术特征G：在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度（未公开） | 对比文件未公开任何关于表面长度与粗糙度关系的内容。 | 对比文件未涉及不同表面长度的比较，也未教导根据长度调整粗糙度的技术思想。 |
| 技术特征H：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下（未公开） | 同特征F，对比文件未公开Ra值≤0.17μm。 | 对比文件无对应数值。 |
| 技术特征I：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm（未公开） | 同特征F，对比文件未公开此具体范围。 | 对比文件无对应数值。 |
| 技术特征J：所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同（直接公开） | [0109]：形成特性阻抗为50Ω的微带线；[0052]：铜箔厚度为18μm。结合微带线设计常识，宽度（对应上/下表面长度）通常大于厚度（对应侧表面长度）。 | 本领域技术人员可以毫无疑义地确定，对比文件中微带线信号层的横截面中，上表面/下表面的长度（宽度）与第一侧表面/第二侧表面的长度（高度）是不同的，因为典型微带线为实现50Ω阻抗，宽度必然大于厚度（18μm）。因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征K：所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的粗糙度(Ra)与所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的粗糙度(Ra)不同（未公开） | 对比文件未提及不同表面之间粗糙度的比较或差异。 | 对比文件仅针对铜箔一面进行粗糙度控制，没有教导电路图案不同表面的粗糙度会不同。 |
| 技术特征L：所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且，所述上表面和所述下表面中的至少一个的粗糙度小于所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的粗糙度（未公开） | 对比文件未同时公开长度比较和相应的粗糙度比较关系。 | 对比文件没有公开上/下表面长度大于侧表面长度的情形，更没有在此情形下粗糙度大小的对应关系。 |
| 技术特征M：所述上表面的长度是所述上表面的宽度（直接公开） | [0109]形成微带线，其横截面中上表面长度即为该图案的宽度。 | 在电路图案技术领域中，上表面的长度在横截面中即为上表面的宽度，这是基本概念。对比文件公开的微带线必然具有宽度，因此该定义被直接公开。 |
| 技术特征N：所述下表面的长度是所述下表面的宽度（直接公开） | 同上，下表面长度即为下表面宽度。 | 同理，下表面的长度即为下表面宽度，对比文件公开的微带线具有下表面，其宽度是确定的。 |
| 技术特征O：所述第一侧表面和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度（直接公开） | [0052]等公开铜箔厚度（例如18μm），第一和第二侧表面的长度对应于电路图案的高度（厚度）。 | 侧表面的长度在横截面中即为电路图案的高度（厚度），对比文件明确公开了铜箔厚度，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征P：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下（未公开） | 对比文件未公开Ra或Rq值为0.42μm以下。 | 对比文件没有提供该数值参数。 |
| 技术特征Q：所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下（未公开） | [0109]明确公开形成特性阻抗为50Ω的微带线。 | 对比文件公开的阻抗为50Ω，并非35.3Ω以下。 |
| 技术特征R：所述电路图案包括：电镀种子层（未公开） | 对比文件使用电解铜箔或轧制铜箔，未提及电镀种子层。 | 对比文件中的电路图案由单层铜箔蚀刻形成，没有电镀种子层和图案层的区别。 |
| 技术特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上（未公开） | 同R。 | 同R。 |
| 技术特征T：图案层（未公开） | 同R。 | 同R。 |
| 技术特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上（未公开） | 同R。 | 同R。 |
| 技术特征V：所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面（未公开） | 同R。 | 同R。 |
| 技术特征W：所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面（未公开） | 同R。 | 同R。 |
| 技术特征X：所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面（未公开） | 同R。 | 对比文件未公开分层结构的侧表面构成。 |
| 技术特征Y：所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度（未公开） | 对比文件未描述上、下表面长度比较关系。 | 对比文件未教导或暗示电路图案横截面中上表面长度小于下表面长度的特定形状（如倒梯形）。 |
| 技术特征Z：所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间（未公开） | 对比文件未提及侧壁倾斜角度。 | 对比文件未涉及侧壁倾斜的技术特征。 |
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