对比文件名称：2014-04-03_US2014092384A_发明申请_US20140092384A1 DIFFRACTION GRATING MANUFACTURING METHOD, SPECTROPHOTOMETER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
目标专利名称：1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
本次调用的模型名称：大型语言模型（GPT-4o）
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 所述制造方法包括《直接公开》 | 原文[0064]: "FIG. 3 shows a procedure of manufacturing the diffraction grating 100 on a Si wafer." 翻译：“图3示出了在Si晶圆上制造衍射光栅100的过程。” | 对比文件公开了衍射光栅的制造方法，包括一系列步骤，因此直接公开了“制造方法包括”这一前序特征。 |
| B: 通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)《直接公开》 | 原文[0071]: "After a photoresist is applied on a Si wafer for diffraction grating manufacture by a spin coater, the Si wafer is pre-baked." 翻译：“在通过旋涂机将光致抗蚀剂施加到用于衍射光栅制造的Si晶圆上之后，对Si晶圆进行预烘烤。” | 对比文件明确公开了用光致抗蚀剂（光敏树脂）涂覆硅晶圆（基底）的一个表面，形成光敏基底。步骤(a)实质公开。 |
| C: 通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)《未公开》 | 原文[0067]: "The transmittance distribution on the gray-scale mask 10 is transferred to the Si wafer obtained at Step 2 by using the gray-scale mask 10 in a reduction projection exposure apparatus." 翻译：“使用灰阶掩模10在缩小投影曝光装置中将灰阶掩模10上的透射率分布转移到步骤2获得的Si晶圆上。” | 对比文件的曝光方式是通过投影系统一次性照射基底的一个表面，实现掩模图案转移。并未公开用激光分别照射光敏基底的两个表面来记录全息光栅。目标专利的特征涉及双面干涉曝光，对比文件无此内容，且本领域技术人员无法从单面投影曝光合理推断出双面照射记录方案。 |
| D: 其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化《未公开》 | 原文[0071]: "...applied on a Si wafer ... by a spin coater"（旋涂） | 对比文件在涂覆光致抗蚀剂时采用旋涂，旨在获得均匀涂层，未公开施加树脂时使涂层高度沿预定方向变化。目标专利的特征是通过特定涂覆方法实现厚度梯度，对比文件无此教导。 |
| E: 所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上《未公开》 | 原文[0160]等描述形成闪耀截面，但深度通常小于涂层厚度。如[0083]图5所示，光刻胶图案深度小于涂覆厚度。 | 对比文件形成的是表面浮雕型衍射光栅，闪耀结构存在于光致抗蚀剂表面，并非记录在整个涂层高度的体全息光栅。因此未公开该特征。 |
| F: 所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加《未公开》 | 原文[0153]: "it is made possible to change angles (depths) of the blazed diffraction grating by adjusting the size of the auxiliary pattern." 翻译：“通过调整辅助图案的尺寸可以改变闪耀衍射光栅的角度（深度）。” | 对比文件虽能改变深度，但未公开光敏树脂涂层高度逐渐增加，也未公开全息光栅高度沿同一方向变化。目标专利的全息光栅高度变化是由涂层高度变化导致的，对比文件无此关联。 |
| G: 所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加《未公开》 | 同上，原文[0153]提及深度可改变，但未涉及逐渐增加。 | 对比文件没有公开全息光栅高度沿预定方向逐渐增加。对比文件中深度变化可以是离散的或周期性的，没有给出沿一个方向单调增加的教导或暗示。 |
| H: 所述全息光栅具有相同的宽度《直接公开》 | 原文[0110]: "The width W of the opening in a short side direction ... is set to a width equal to each width of about N pieces obtained by division of the groove period ..." 翻译：“短边方向开口的宽度W设定为等于通过分割光栅周期得到的约N个片段的每个宽度。” | 对比文件在二元掩模中开口宽度相等，从而形成的衍射光栅具有相同的宽度（线宽恒定）。目标专利的全息光栅宽度相同特征被直接公开。 |
| I: 其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开喷涂方法，均为旋涂，故未公开。 |
| J: 喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未涉及喷涂及位置依赖喷涂量，故未公开。 |
| K: 其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开浸涂法。 |
| L: 和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开分离步骤。 |
| M: 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开改变速度的分离。 |
| N: 其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开在基底与辅助基底之间提供树脂。 |
| O: 和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开移动步骤。 |
| P: 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开改变相对速度移动。 |
| Q: 其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂《未公开》 | 无对应公开内容。 | 对比文件未公开倾斜涂覆。 |
| R: 将所述光敏树脂干燥《直接公开》 | 原文[0066]: "the Si wafer is pre-baked." 翻译：“对Si晶圆进行预烘烤。” | 对比文件在涂覆光致抗蚀剂后进行了预烘烤（干燥），直接公开了干燥光敏树脂的步骤。 |
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