# 特征比对分析
**对比文件名称：** 2020-12-31_US2020408969A_发明申请_US20200408969A1 DIFFRACTION LIGHT GUIDE PLATE AND METHOD OF MANUFACTURING DIFFRACTION LIGHT GUIDE PLATE
**目标专利名称：** 1561全息光学元件及其制造方法CN113728757B
**本次调用的模型名称：** Claude 3.5 Sonnet
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征 A：** 所述制造方法包括<br>《直接公开》 | [0132] "An exemplary embodiment of the present invention provides a method of manufacturing a diffraction light guide plate."<br>（本发明的一个示例性实施方案提供了一种制造衍射导光板的方法。） | 对比文件明确开宗明义地提供了制造方法，涵盖了后续的所有步骤，与目标专利中“制造方法包括”这一前置技术特征在撰写形式和实质上完全相同，本领域技术人员可直接无误地确定该特征。 |
| **技术特征 B：** 通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)<br>《直接公开》 | [0146] "applying a photo-curable resin composition on the first substrate"<br>（在第一基板上施加光固化树脂组合物。）<br> [0159] "a photo-curable resin composition including a photo-curable resin … is applied by a spin-coating method"<br>（包括光固化树脂的光固化树脂组合物通过旋涂法施加。） | 对比文件公开了在基底（第一基板）上涂覆光固化树脂组合物的步骤，该组合物属于光敏树脂，涂覆后形成树脂层（即光敏基底）。该步骤的作用是提供后续形成图案的光敏层，与目标专利步骤(a)中形成光敏基底的作用相同，属于直接公开。 |
| **技术特征 C：** 通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)<br>《未公开》 | [0145]-[0147] 对比文件描述的是压印工艺（imprinting process）：使用模具在光固化树脂表面压印，然后用紫外光照射固化。未提及用激光照射两个表面记录全息光栅。 | 对比文件的衍射光栅通过模具压印和紫外固化形成，是一种浮雕光栅，与目标专利通过激光干涉在两个表面记录全息光栅的原理、工艺和物理机制完全不同。对比文件中没有任何内容提示或公开该记录步骤，本领域技术人员也无法从中合理推断得出。 |
| **技术特征 D：** 其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化<br>《未公开》 | [0124] 对比文件公开了第三区域中倾斜图案结构的深度从一侧向另一侧逐渐增加，但这是指光栅沟槽的深度，而非初始涂覆的树脂涂层高度。全文未提及涂层高度沿方向变化。 | 对比文件在涂覆步骤中未教导控制涂层厚度使其沿方向变化；其光栅深度的渐变是通过模具的形貌设计实现的，与涂层初始厚度无关。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出“涂层高度沿预定方向变化”这一特征。 |
| **技术特征 E：** 所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上<br>《未公开》 | 对比文件未涉及全息光栅的记录，也未公开光栅占据树脂层整个高度。其形成的浮雕光栅通常只占据树脂层的一部分深度（例如[0098]中图案结构深度h2为600nm或以下，而涂层厚度可能更大）。 | 目标专利中全息光栅是通过全息记录过程在光敏树脂内形成的体积光栅，贯穿整个涂层高度；对比文件的浮雕光栅仅存在于树脂层表面区域，两者结构本质不同。对比文件没有公开类似特征，也无隐含可能性。 |
| **技术特征 F：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且中所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>《未公开》 | 对比文件[0124]公开了衍射光栅的深度从一侧向另一侧逐渐增加（即光栅高度变化），但未公开涂层高度逐渐增加。而且对比文件的光栅是浮雕光栅，不是全息光栅。 | 对比文件虽然公开了光栅深度变化，但该变化并非源于涂层高度变化，而是由模具的差异深度决定。同时，对比文件未涉及全息光栅，因此该特征整体未被公开。 |
| **技术特征 G：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>《未公开》 | [0124] "the third area includes an inclined pattern structure, of which a depth is gradually increased from one side to the other side"<br>（第三区域包括倾斜图案结构，其深度从一侧向另一侧逐渐增加。）——但这是浮雕光栅深度，非全息光栅高度。 | 对比文件公开了浮雕光栅的深度渐增，但目标专利明确限定为“全息光栅”，全息光栅是通过全息记录形成的体积结构，与对比文件的表面浮雕光栅在形成机理和物理性质上不同。该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征 H：** 所述全息光栅具有相同的宽度<br>《未公开》 | 对比文件[0128]讨论了占空比（duty）可以逐渐增加，意味着图案结构的宽度可能逐渐增加；未公开宽度保持不变。 | 对比文件教导了宽度可以变化以实现折射率梯度，而非宽度相同。目标专利中全息光栅宽度相同是区别于现有技术的重要特点。对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征 I：** 其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处<br>《未公开》 | 对比文件[0159]仅提及旋涂（spin-coating）作为施加方式，未公开喷涂至多个位置。 | 对比文件未涉及喷涂工艺，更没有公开在多个位置施加树脂。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该具体涂覆方式。 |
| **技术特征 J：** 喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及按位置改变喷涂量。 | 对比文件没有公开与位置相关的涂覆量调整，该特征完全未被披露。 |
| **技术特征 K：** 其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)<br>《未公开》 | 对比文件未公开浸渍涂覆工艺。 | 对比文件的涂覆方式为旋涂或施加，不包括浸入操作。该特征不包含在对比文件中。 |
| **技术特征 L：** 和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)<br>《未公开》 | 对比文件未公开浸渍后的提拉分离步骤。 | 对比文件无浸渍工艺，故无对应分离步骤。未公开。 |
| **技术特征 M：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何与浸渍提拉速度变化相关的内容。 | 对比文件未涉及该特征。 |
| **技术特征 N：** 其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)<br>《未公开》 | 对比文件[0138]提到通过粘合层（adhesive layer）将第一基板与附加基板结合，但这是在形成衍射光栅层之后的后处理步骤，并非在涂覆步骤中在基底与辅助基底之间提供光敏树脂。 | 对比文件未公开在基底与辅助基底之间填充光敏树脂作为涂覆方法的手段。该特征不包含在对比文件中。 |
| **技术特征 O：** 和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)<br>《未公开》 | 对比文件未公开在提供树脂后移动基底或辅助基底以形成渐变涂层。 | 对比文件无相关移动步骤。 |
| **技术特征 P：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者<br>《未公开》 | 对比文件未公开改变相对移动速度。 | 对比文件未涉及。 |
| **技术特征 Q：** 其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂<br>《未公开》 | 对比文件未公开倾斜涂覆工艺。 | 对比文件的所有涂覆示例均未提及基底倾斜。该特征未被公开。 |
| **技术特征 R：** 将所述光敏树脂干燥<br>《直接公开》 | [0159] "the photo-curable resin composition is dried at a temperature of about 80°C for about three minutes"<br>（光固化树脂组合物在约80℃的温度下干燥约三分钟。） | 对比文件明确公开了在涂覆光敏树脂（光固化树脂组合物）后进行干燥的步骤，该步骤的作用是去除溶剂、形成固态涂层，与目标专利中步骤(a)的干燥操作实质相同。因此直接公开。 |
## 公开性结论
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征 A、B、R。其余技术特征（C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q）均未被直接或隐含公开。
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