目标专利名称：1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池CN108352567B
对比文件名称：2014-01-16_AU2011230239B_发明专利_AU2011230239B2 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material
本次调用模型名称：GPT-4级别大型语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 (翻译为中文) | 公开性论述 |
| 技术特征A：其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物 **【隐含公开】** | 【0008】“一种硫化物固体电解质材料，包含M1元素、M2元素和S元素...所述M2是选自由P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V和Nb组成的组中的至少一种”。【0043】重申M2元素包括Sn。 | 对比文件保护的硫化物固体电解质材料体系为Li-M2-S，其金属元素列表中明确包含了Sn。这实质上覆盖了目标专利所要求保护的锂-锡-金属-硫化物(LTMS)型化合物这一类别。虽然对比文件核心强调磷基硫代-LISICON结构，但其广义的M2元素选择范围包含了以锡为基础的化合物。根据“非常宽松”的隐含公开标准，该特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征B：[通式1] LiaSnbMcSd **【隐含公开】** | 【0008】公开了M1、M2和S构成。表4（实施例15）第一性原理计算了Li21Ge2Sn1P3S4（部分替代Ge）和Li21Sn3P3S4（全部替代Ge）。 | 对比文件没有明确列出通式LiaSnbMcSd，但其M2元素明确包含Sn。表4的计算例证明了在Li-M2-S骨架中引入Sn是完全可行的，这与目标专利通式1所表达的元素组合（Li、Sn、M、S）在物质构成上是相同的。该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征C：其中M是锆(Zr) **【直接公开】** | 【0008】M2选自由...Zr...组成的组。【0134】实施例10：将Li2S、P2S5、ZrS2和GeS2混合，合成了Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4。 | 锆(Zr)被对比文件明确列为构成硫化物的M2元素之一，并提供了具体的合成例来证明Zr可以参与形成目标晶体相。在对比文件和目标专利中，Zr的引入均用于构建导电网络，作用相同。本领域技术人员能够毫无疑义地得出M可以是Zr，属于直接公开。 |
| 技术特征D：0<a≤20, 0<b≤10, 0<c≤10, 0<d≤20 **【隐含公开】** | 【0045】优选通式为Li(4-x)Ge(1-x)PxS4 (0<x<1)。【0134】实施例10的组成为Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4 (a=3.5, b=0, c=0.5, d=4)。 | 对比文件没有单独公开锡基体系的宽范围边界值，但其给出的具体化学式的原子配比均落在该数值范围内。本领域技术人员可以合理预见该数值范围对于涵盖各种M2元素组合是必要的。该特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征E：其特征在于包括如下步骤 **【直接公开】** | 【0022】“一种生产硫化物固体电解质材料的方法，包括以下步骤：...”。【0068】“本发明的硫化物固体电解质材料的制备方法大致可分为两个实施方式”。 | 对比文件的实质内容即是方法权利要求，明确规定了其发明是通过步骤来定义的，这与目标专利的技术特征E完全一致，属于直接公开。 |
| 技术特征F：i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr) **【直接公开】** | 【0074】“原料组合物...包含M1元素（如Li）、M2元素（包含Sn、Zr）和S元素...原料组合物的实例包括含有Li2S、P2S5和GeS2的组合物”。【0134】实施例10具体使用ZrS2作为含M的硫化物。 | 对比文件教导M2元素包括Sn和Zr。本领域技术人员可以毫无疑义地得知，可以通过将锂硫化物、锡硫化物以及含锆的硫化物进行混合以得到所需前驱体。选择SnS2替代GeS2进行混合属于对比文件教导的M2元素之间的等同替换。该特征被直接公开。 |
| 技术特征G：和ii)对所述混合物进行热处理 **【直接公开】** | 【0022】“加热步骤，加热...离子导电材料以获得硫化物固体电解质材料”。【0082】详细说明了加热步骤。 | 在混合后施加热处理以促进结晶和相形成，是对比文件制备方法的核心步骤，与目标专利的特征G直接对应。 |
| 技术特征H：其特征在于所述热处理 **【直接公开】** | 【0082】“加热步骤，加热上述结晶度降低的离子导电材料...以获得硫化物固体电解质材料”。 | 热处理是对比文件方法中区别于常规固相法的关键特征，该技术特征在对比文件中被明确且直接地公开。 |
| 技术特征I：在400℃至850℃下 **【直接公开】** | 【0083】“加热温度优选为300℃以上，更优选350℃以上，进一步优选400℃以上...优选为1000℃以下，更优选700℃以下”。【0077】“优选在300℃至1000℃的范围内，更优选在500℃至900℃的范围内”。各实施例热处理温度550℃。 | 对比文件所披露的工艺温度范围（如400-700℃、500-900℃）完全覆盖了目标专利的400-850℃的范围，优选的各范围组合起来恰好构成该完整区间，且实施例的具体温度（550℃）落在该范围内。本特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征J：进行一次或多次 **【直接公开】** | 【0069】第一实施方式：合成结晶性离子导电材料（含一次热处理）→结晶度降低→加热步骤（再次热处理）。【0084】第二实施方式：合成非晶性离子导电材料（机械研磨）→加热步骤（一次热处理）。 | 对比文件明确公开了热处理可以仅进行一次（第二实施方式），也可以进行至少两次（第一实施方式）。这直接体现了“进行一次或多次”的技术方案，属于直接公开。 |
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