**对比文件名称：** 2015-04-01_CN102823049B_发明授权_CN102823049B 硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法
**目标专利名称：** 1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池CN108352567B
**本次调用的模型名称：** 资深专利代理师评估模型（基于深度思考分析）
---
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物 —— **《未公开》** | 对比文件涉及硫化物固体电解质材料，但未记载LTMS型化合物或通式1。对比文件[0011]记载“含有M1元素、M2元素和S元素，所述M1是选自Li、Na、K、Mg、Ca、Zn中的至少一种，所述M2是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种”，但其所有实施例均含有磷元素，且没有以锡为必需元素的教导。 | 目标专利的LTMS型化合物明确不含磷，且必须同时含有锡和金属M（Zr）。对比文件始终围绕含磷的硫化物固体电解质，未提供任何不含磷的组成，也未出现“LTMS”或类似的命名。因此，本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得到目标专利的LTMS型化合物，技术特征A未公开。 |
| **技术特征B：** [通式1] LiaSnbMcSd —— **《未公开》** | 对比文件未包含该通式。对比文件实验的组成例如Li4‑xGe1‑xPxS4（[0070]）、Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4（实施例10）等，均不含锡，且通式结构不同。 | 对比文件虽在可选元素列表中包括Sn，但从未将Sn与具体的通式LiaSnbMcSd结合，也未实际合成含Sn的硫化物固体电解质。该通式未在任何记载中出现，因此技术特征B未公开。 |
| **技术特征C：** 其中M是锆(Zr) —— **《直接公开》** | [0011]“上述M2是选自…Zr…中的至少一种”；[0068]“M2选自…Zr…”；实施例10使用ZrS2合成Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4，明确使用了Zr。 | 对比文件明确将Zr列为M2元素的选项之一，并在实施例中实际使用ZrS2作为原料，得到含Zr的硫化物固体电解质。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地得出在硫化物固体电解质中M可以是锆（Zr），技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：** 0<b<4, 0<c<4, 4<a<16, 5<d<12 —— **《未公开》** | 对比文件未公开此具体数值范围。对比文件实施例10组成Li3.5Ge0.25Zr0.25P0.5S4，a=3.5（小于4），d=4（小于5），且不含Sn（b不存在）。其他实施例也未满足该范围。 | 对比文件没有给出a、b、c、d在目标专利所限范围内的任何教导或启示，其公开的组成均不在该数值范围之内。因此技术特征D未公开。 |
| **技术特征E：** 其特征在于包括如下步骤 —— **《直接公开》** | [0105]第一实施方式“具有以下工序：离子传导性材料合成工序，即…；结晶性降低工序，即…；加热工序，即…。”；[0125]第二实施方式“具有以下工序：离子传导性材料合成工序，即…；加热工序，即…。” | 对比文件的制造方法明确包括多个工序（步骤），因而公开了“包括如下步骤”这一前序特征。技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F：** i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr) —— **《隐含公开》** | [0011]M2选自…Sn…Zr…；[0112]“原料组合物只要含有M1元素、M2元素和S元素则没有特别限定”，且原料可以是硫化物；实施例10使用Li2S和ZrS2。但未明确使用锡硫化物。 | 对比文件将Sn和Zr均列为M2的选项，并教导使用相应的硫化物作为原料。本领域技术人员根据对比文件的启示，为制备含Sn和Zr的硫化物固体电解质，可以合理推断使用锂硫化物（如Li2S）、锡硫化物（如SnS2）和含Zr硫化物（如ZrS2）进行混合。虽然对比文件未直接写入锡硫化物，但Sn作为可选元素且硫化物为常规原料，使该混合步骤具有合理可能性，因此技术特征F被隐含公开。 |
| **技术特征G：** 和ii)对所述混合物进行热处理 —— **《直接公开》** | [0105]“加热工序，即，通过加热上述结晶性降低了的离子传导性材料”；[0125]“加热工序，即，通过加热上述非晶质化的离子传导性材料”。均涉及对前步材料进行加热处理。 | 对比文件在两种实施方式中均包含加热工序，对前步获得的材料进行热处理以得到最终固体电解质。因此，对混合物进行热处理的技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H：** 其特征在于所述热处理 —— **《直接公开》** | 同上，[0105]和[0125]均记载了“加热工序”。 | 对比文件明确设有加热工序（热处理步骤），故技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：** 在400℃至850℃下 —— **《直接公开》** | [0123]“优选上述加热温度是300℃以上，更优选是350℃以上，进一步优选是400℃以上，特别优选是450℃以上…优选上述加热温度是700℃以下”；实施例1加热至550℃，实施例5加热至550℃。 | 对比文件公开的加热温度范围（400℃～700℃）以及550℃的实例，均落入目标专利的400℃～850℃范围内。本领域技术人员可直接得到在400℃至850℃下进行热处理，因此技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J：** 进行一次或多次 —— **《直接公开》** | 第一实施方式（[0105]～[0107]）：先加热合成结晶质离子传导性材料，机械研磨后再加热（两次）；第二实施方式（[0125]～[0127]）：机械研磨后加热一次。 | 对比文件明确给出热处理可以进行一次（第二实施方式）或多次（第一实施方式）的方案，因此技术特征J被直接公开。 |
---
<<<C>>><<<E>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<f>>>