对比文件的名称：2001-08-25_KR1020010080846A_发明公开_KR1020010080846A 다공성 금속의 제조방법
目标专利的名称：1629制造金属泡沫的方法CN108883470B
本次调用的模型名称：AI评估模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括对包含金属组分和盐的生坯结构进行烧结的步骤，所述金属组分包含相对磁导率为90或更大的导电金属（未公开） | 对比文件[8]公开“将盐粉末和金属粉末的混合物加热加压获得成型体”；[14]中使用铝（铝合金）金属粉末；[2]提及多孔金属材料为不锈钢、铜合金、铝合金。 | 对比文件虽公开了对金属粉末和盐的混合物进行加热加压的烧结步骤，但其使用的金属为铝或铝合金，铝的相对磁导率（约1）远小于90。对比文件未涉及任何关于金属磁导率的限定，也未公开相对磁导率≥90的导电金属。因此特征A未被公开。 |
| 技术特征B：其中所述金属组分中的所述导电金属的比例为80重量％或更大（未公开） | 对比文件[14]金属组分为纯铝或铝合金（100%铝基），但该金属并非目标定义的导电金属。 | 对比文件未公开目标专利所指的相对磁导率≥90的导电金属，更未公开其比例要求。特征B未被公开。 |
| 技术特征C：其中所述生坯结构呈膜状（未公开） | 对比文件[14]将混合粉末填充到模具中形成生坯结构，未描述为膜状；[18]将成型体切割成10mm厚度，最终产品为板状。 | 对比文件中生坯结构为模具内的松散粉末填充体，并非膜状；其方法聚焦于厚板制造，未给出任何膜状生坯结构的教导或暗示。特征C未被公开。 |
| 技术特征D：其中所述膜的厚度为1000μm或更小；并且所述生坯结构的烧结仅通过向所述结构施加电磁场来进行（未公开） | 对比文件未出现膜状生坯；烧结采用真空热压炉外部加热（[16]），未使用电磁场。 | 对比文件既不满足膜厚度条件，也未记载仅通过施加电磁场进行烧结。特征D未被公开。 |
| 技术特征E：通过施加所述电磁场，通过所述金属组分的所述导电金属中的感应加热现象产生焦耳热，从而烧结所述结构（未公开） | 对比文件[16]通过加热模具至600℃进行烧结，未施加电磁场，无感应加热过程。 | 对比文件使用传统外部加热方式，完全没有涉及电磁场、感应加热或焦耳热产生。特征E未被公开。 |
| 技术特征F：其中所述电磁场通过施加频率在100kHz至1000kHz范围内的电流来形成（未公开） | 对比文件未涉及电磁场，无电流频率参数。 | 对比文件未公开任何与电磁场或施加电流相关的内容。特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其中施加所述电磁场持续1分钟至30分钟范围内的时间（未公开） | 对比文件未涉及电磁场施加时间。 | 对比文件未公开电磁场的存在及其施加时间。特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其中通过涂覆所述金属组分和所述盐的混合物来形成所述生坯结构（未公开） | 对比文件[14]将混合物填充到模具中形成生坯，未采用涂覆方式。 | 对比文件的生坯形成方法为填充模具，而非涂覆。特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述导电金属为镍、铁或钴（未公开） | 对比文件[2][14]使用铝及铝合金、不锈钢、铜合金，未提及镍、铁、钴。 | 对比文件未公开导电金属为镍、铁或钴，其使用的金属均为非磁性或弱磁性金属。特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中所述盐为NaCl、KCl、K2CO3、KOH、NaOH、CsCl、CaCl2、MgBr2、MgCl2、Na2SiO3、Na2CO3、NaHCO3、NH4Br或NH4Cl（直接公开） | 对比文件[11]明确“优选一价盐如氯化钠或氯化钾”；实施例[14]使用氯化钠（NaCl）粉末。 | 对比文件直接公开了NaCl和KCl，两者均属于特征J所列举的盐。本领域技术人员可以直接得出盐可以是NaCl或KCl。因此特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述导电金属的平均粒径在10μm至100μm的范围内（未公开） | 对比文件[12]公开“金属粉末的颗粒尺寸优选为10~300μm左右”，包含10-100μm范围。但该金属粉末为铝，非目标导电金属。 | 对比文件中金属粉末为铝，而特征K要求的是特定导电金属（相对磁导率≥90）的粒径。对比文件未公开任何目标导电金属（如镍、铁、钴）的粒径。因此特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述盐的粒径在30μm至250μm的范围内（隐含公开） | 对比文件[12]公开“盐的粉末尺寸优选为0.05~5mm”（即50μm-5000μm），并指出盐尺寸可根据用途调节。 | 对比文件公开的盐粒径范围（50-5000μm）与特征L范围（30-250μm）部分重叠（50-250μm）。结合其盐尺寸决定孔尺寸且可调节的教导，本领域技术人员有动机选择更小粒径的盐（如通过筛分获得30-250μm范围）以实现不同孔隙特性。因此特征L被隐含公开。 |
| 技术特征M：其中所述电磁场通过施加100A至1000A范围内的电流来形成（未公开） | 对比文件未涉及电磁场，无电流参数。 | 对比文件未公开电磁场或施加电流的任何信息。特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述导电金属在20℃下的电导率为8MS/m或更大（未公开） | 对比文件未涉及导电金属（相对磁导率≥90）的电导率。 | 对比文件未公开满足磁导率要求的导电金属及其电导率指标。特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述生坯结构包含基于重量的30重量％或更大的所述导电金属（未公开） | 对比文件[14]铝金属粉末质量占比约33.3%，但该金属并非目标导电金属。 | 对比文件未公开包含目标导电金属的生坯结构及其含量。特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其中相对于100重量份的所述金属组分，所述生坯结构包含10重量份至1000重量份的所述盐（直接公开） | 对比文件[14]金属粉末500g，盐1000g，计算得盐为200重量份/100份金属，落入10-1000份范围。 | 对比文件直接给出了盐与金属组分的具体比例（200重量份/100份金属），该数值属于特征P范围内。本领域技术人员可以直接确定该比例关系。因此特征P被直接公开。 |
| 技术特征Q：还进行在烧结之后除去所述盐的步骤（直接公开） | 对比文件[19]将切割的成型体浸入水中去除盐并干燥；[26]同样记载浸水除盐步骤。 | 对比文件明确公开了在烧结（加热加压成型）之后通过水溶去除盐的步骤。特征Q被直接公开。 |
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