**对比文件名称：** 2007-06-25_KR1020070065769A_发明公开_KR1020070065769A 박막 캐패시터 및 그 제조 방법, 전자 장치 및 회로 기판（薄膜电容器及其制造方法、电子设备及电路板）
**目标专利名称：** CN106165094B 用于晶片翘曲减小的应力缓解结构
**本次调用模型名称：** DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板<br>**判断结果：《隐含公开》** | [104] “지지 기판(10) 상에는, 절연막(12)이 형성되어 있다. ... 절연막(12)은, 지지 기판(10)과 후술하는 캐패시터부(20)를 절연하기 위한 것이다.”<br>（在支撑基板(10)上，形成有绝缘膜(12)。... 绝缘膜(12)是为了使支撑基板(10)与后述的电容器部(20)绝缘。） | 对比文件明确公开了“支撑基板(10)”（지지 기판），其上方形成有绝缘膜(12)（절연막）。该绝缘膜(12)是一种电介质层，其作用是将基板与上方的导电层（电容器电极）绝缘。虽然对比文件未使用“层间电介质”（ILD）这一术语，也未提及“第一沉积层间电介质”，但本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，该绝缘膜(12)位于基板与第一导电层（电容器下电极14）之间，其物理形态和作用（作为绝缘层）与目标专利中“支撑第一沉积层间电介质的基板”所描述的基础结构实质相同。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，<br>**判断结果：《未公开》** | 对比文件公开了由导电层（如下电极14、上电极18）和介电层（16）构成的电容器结构，但未明确将其描述为“后端制程（BEOL）导电层”或“导电栈”。此外，对比文件通篇未提及“标高”（即从基板表面到特定导电层底面的距离）这一概念，也未教导或暗示存在处于不同“标高”的导电栈。对比文件的电容器结构是作为一个整体功能单元（去耦电容器）设置的，其各层相对基板的位置是固定的，并未体现目标专利中通过不同标高布置来缓解应力的设计思想。 | |
| **技术特征C**：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层<br>**判断结果：《未公开》** | 对比文件公开了类似的多层结构：[106-108] 记载了在绝缘膜(12)上形成下电极(14)、在下电极(14)上形成电容器介电膜(16)、在电容器介电膜(16)上形成上电极(18)。此外，[114-115] 描述了通过开口(24a)形成由导电性阻挡膜构成的引出电极(26a)，该引出电极(26a)连接至下电极(14)。然而，对比文件的结构存在关键差异：1）其“第一导电层”（下电极14）并非“直接在基板的表面上”，而是位于绝缘膜(12)之上。2）其“第一沉积层间电介质”（对应绝缘膜12）覆盖整个基板表面，并非“仅在第一导电层的表面上”。3）其“第二沉积电介质层”是电容器介电膜(16)，功能是形成电容，而非目标专利中可能作为层间隔离的一部分。4）其“第三导电层”（对应引出电极26a）并非“直接在第一沉积层间电介质上”，而是形成在另一绝缘性阻挡膜(22)上。因此，对比文件的结构安排和层间关系与技术特征C的描述有本质不同，本领域技术人员无法直接且毫无疑义地得出技术特征C的完整技术方案。 | |
| **技术特征D**：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。<br>**判断结果：《未公开》** | 对比文件中未公开与“第一导电栈”并列存在的、具有不同结构（特别是包含“直接在基板表面上的第三导电层”）的“第二导电栈”。对比文件的电容器是单一功能块，所有导电层均通过绝缘膜(12)与基板隔离，不存在“直接在基板表面上”的导电层。此外，如特征B所述，“标高”概念未被公开。 | |
| **技术特征E**：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。<br>**判断结果：《未公开》** | 对比文件的附图（如第1实施例的图1）和文字描述均显示，基板(10)表面被绝缘膜(12)连续覆盖，不存在“基板表面被暴露”的区域。目标专利中暴露基板表面是应力缓解结构的核心特征之一，用于减少层间电介质材料、缓解应力。对比文件完全未涉及此概念。 | |
| **技术特征F**：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。<br>**判断结果：《未公开》** | 对比文件的发明主题是“薄膜电容器”，说明书全文仅详细描述了电容器的结构、材料和制造方法，包括MIM（金属-绝缘体-金属）电容器。未提及任何关于“电感器”的结构、用途或制造方法。因此，对比文件未公开电感器相关的技术特征。 | |
| **技术特征G**：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。<br>**判断结果：《直接公开》** | [106-108] “절연막(12) 상에는, ... 캐패시터 전극(하부 전극)(14)이 형성되어 있다. 캐패시터 전극(14) 상에는, 캐패시터 유전체막(16)이 형성되어 있다. ... 캐패시터 유전체막(16) 상에는, ... 캐패시터 전극(상부 전극)(18)이 형성되어 있다. 이렇게 해서, 캐패시터 전극(14)과 캐패시터 유전체막(16)과 캐패시터 전극(18)을 갖는 캐패시터부가 구성되어 있다.”<br>（在绝缘膜(12)上，形成有电容器电极（下电极）(14)。在电容器电极(14)上，形成有电容器介电膜(16)。... 在电容器介电膜(16)上，形成有电容器电极（上电极）(18)。这样，就构成了具有电容器电极(14)、电容器介电膜(16)和电容器电极(18)的电容器部。） | 对比文件明确且详细地公开了由下电极(14)、电容器介电膜(16)和上电极(18)构成的电容器部(20)。这正是标准的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器的结构。虽然目标专利中该MIM电容器是应力缓解结构的一部分，而对比文件中该电容器用于防止电源电压波动和噪声，但两者的基本物理结构（两层导电层夹一层介电层）完全相同。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器”这一技术方案。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。<br>**判断结果：《直接公开》** | [350-359]（对应图18）描述了包含所述薄膜电容器(2)的电子设备（电容器内置封装）。[360-371]（对应图19）描述了另一包含薄膜电容器(4)的电子设备。<br>此外，[77-78]提到“회로 배선 기판 상에 실장된 LSI ... 디커플링 캐패시터가 실장된다”（在电路布线基板上安装的LSI...安装有去耦电容器），表明该电容器用于电子设备中。虽然未明确列举音乐播放器等具体设备名称，但本领域技术人员公知，此类去耦电容器可广泛应用于各种电子设备。结合对比文件明确公开了“电子设备”包含该电容器，可以毫无疑义地推断该器件可被纳入目标专利所列的各类电子设备（如通信设备、计算机等）中。 |
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