对比文件名称：2011-11-02_JP4808106B_发明专利_JP4808106B2 Cutting method of optical film
目标专利名称：1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B
本次调用的模型名称：AI助手
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：激光束的形状为椭圆形状。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件记载“ガウシアンビームの特性を有するレーザビーム”（具有高斯光束特性的激光束）。【[2]“本実施形态で使用されるレーザビーム…”部分】 | 对比文件明确指出使用高斯光束，其通常为圆形截面，未提及椭圆形状，因此没有直接或隐含公开该技术特征。 |
| 技术特征B：所述椭圆形状的长轴与切割方向平行。无直接公开，无隐含公开。 | 同上 | 对比文件未提及椭圆形状，更未涉及长轴与切割方向的关系，因此没有公开。 |
| 技术特征C：所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率。无直接公开，无隐含公开。 | 同上 | 对比文件未提及椭圆形状及比率，因此没有公开。 |
| 技术特征D：所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度。《直接公开》 | “レーザビームのスキャン速度は、６０ｍ／ｍｉｎに設定した。”（激光束的扫描速度设定为60 m/min）。【实施例1部分】 | 对比文件实施例1明确公开了切割速度为60 m/min，换算为1000 mm/s，落在100-1000 mm/s范围内，因此直接公开该技术特征。 |
| 技术特征E：所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件未提及脉冲能量参数。 | 对比文件仅公开了单位长度能量、连续照射时间、功率等，未涉及脉冲能量，因此没有公开。 |
| 技术特征F：所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜。《直接公开》 | “シクロ系またはノルボルネン構造を有するポリオレフィン”（具有环状或降冰片烯结构的聚烯烃）。【在透明保护层材料描述部分】 | 对比文件在偏光板的透明保护层（光学膜）材料中明确列举了具有环状或降冰片烯结构的聚烯烃（即环烯烃聚合物），因此直接公开了偏光板可包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜。 |
| 技术特征G：所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件未涉及偏光板拉伸方向与切割方向的关系。 | 对比文件未提及切割方向与拉伸方向的任何关联，因此没有公开。 |
| 技术特征H：在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件测量的是“盛り上がり部”（凸起）的尺寸（实施例中≤30μm），未提及锥度。 | 对比文件未涉及锥度的概念及尺寸，因此没有公开。 |
| 技术特征I：所述激光为CO2激光或UV激光。《直接公开》 | “レーザとしては、例えば、ＣＯ2レーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザ等があげられ”（作为激光，例如可以列举CO2激光、YAG激光、UV激光等）。【在“本実施形态で使用されるレーザビーム”部分】 | 对比文件明确公开了CO2激光和UV激光作为可使用的激光类型，因此直接公开该技术特征。 |
| 技术特征J：所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件仅提及“ＵＶレーザ”，未给出具体波长范围。 | 对比文件没有公开UV激光的波长范围，因此没有公开。 |
| 技术特征K：所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长。《直接公开》 | “精密加工ＣＯ2レーザ（…、波長１０．６μｍ）”（精密加工CO2激光，波长10.6μm）。【在切断方法部分】 | 对比文件实施例具体使用了CO2激光，其波长10.6μm，落在9.0-10.9μm范围内，因此直接公开该技术特征。 |
| 技术特征L：使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行。《直接公开》 | “一回の照射で切断しても、複数の照射で切断してもよい”（可以一次照射切断，也可以多次照射切断）。【在“レーザ照射”说明部分】 | 对比文件明确说明可通过单次照射或多次照射进行切断，与单一切割系统或多重切割系统对应，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度。无直接公开，无隐含公开。 | 对比文件未记载环烯烃薄膜的厚度；仅泛称透明保护层厚度无特别限制。 | 对比文件没有给出环烯烃薄膜的具体厚度或范围，因此没有公开。 |
| 技术特征N：所述偏光板具有50微米至250微米的厚度。《直接公开》 | “偏光板を調製した（厚さ２００μｍ）”（制备了偏光板（厚度200μm））。【在偏光板制备部分】 | 对比文件实施例中偏光板厚度为200μm，落在50-250μm范围内，因此直接公开该技术特征。 |
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