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对比文件列表
2014-08-01_TW201430408A_发明专利_TW201430408A 偏光板及圖像顯示裝置_+++F_L_m+++.docx

**对比文件名称**:2014-08-01_TW201430408A_发明专利_TW201430408A 偏光板及圖像顯示裝置

**目标专利名称**:1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B

**本次调用的模型名称**:AI

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:其中激光束的形状为椭圆形状<br>**未公开**对比文件仅在“第1切斷步驟”提到“第1切斷機構304為雷射裝置”,未对激光束形状进行任何描述。对比文件虽提及使用激光(雷射装置)进行切割,但未公开激光束的形状(如圆形、椭圆形等),更未提及椭圆形状。本领域技术人员无法从对比文件直接或间接得出激光束形状为椭圆形的技术方案。
技术特征B:所述椭圆形状的长轴与切割方向平行<br>**未公开**对比文件未提及椭圆形状,也未提及长轴与切割方向的关系。对比文件未公开任何关于激光束形状或方向的信息,因此无法公开该特征。
技术特征C:其中,所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率<br>**未公开**对比文件未提及椭圆形状或任何比率。对比文件完全没有涉及椭圆形状的比率参数,本领域技术人员无法获得该技术启示。
技术特征D:其中,所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度<br>**未公开**对比文件在“第1切斷步驟”中仅描述激光装置进行扫描切割,未提及具体切割速度。对比文件未给出任何关于激光切割速度的数值范围,本领域技术人员不能从对比文件中合理推断出该速度范围。
技术特征E:其中,所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量<br>**未公开**对比文件未提及激光脉冲能量参数。对比文件未公开激光脉冲能量的任何信息,无法直接或隐含公开该特征。
技术特征F:其中,所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜<br>**《直接公开》**对比文件在“層疊形態b”中明确记载:“作為透明膜T,較好的是使用選自纖維素系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環狀烯烴系樹脂以及(甲基)丙烯酸系樹脂中的任意之至少一種樹脂。”对比文件直接公开了偏光板中的透明膜(即光学膜)可以采用环状烯烃系树脂(基于环烯烃的薄膜)形成。该透明膜在偏光板中作为光学膜使用,因此特征F被对比文件直接公开。
技术特征G:所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向<br>**未公开**对比文件仅描述激光沿宽度方向扫描并配合搬送方向进行切割,未提及切割方向与偏光板拉伸方向的关系。对比文件未公开任何关于切割方向与偏光板拉伸方向之间关系的内容,本领域技术人员无法从对比文件中获得该技术特征。
技术特征H:在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸<br>**未公开**对比文件未提及锥度尺寸或相关测量。对比文件完全没有涉及切割后锥度的尺寸或任何相关参数,因此无法公开该特征。
技术特征I:其中,所述激光为CO2激光或UV激光<br>**未公开**对比文件仅提到“雷射裝置”,未具体限定激光类型。对比文件仅泛泛提及激光装置,未指明具体为CO2激光或UV激光,本领域技术人员无法确定其具体种类。
技术特征J:其中,所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长<br>**未公开**对比文件未提及UV激光或任何波长范围。对比文件未公开UV激光及其波长,因此无法公开该特征。
技术特征K:其中,所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长<br>**未公开**对比文件未提及CO2激光或任何波长。对比文件未公开CO2激光及其波长,因此无法公开该特征。
技术特征L:其中,使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行<br>**《直接公开》**对比文件在“第1切斷步驟”中描述:“第1切斷機構304為雷射裝置。沿第1片材製品F1之寬度方向使雷射水平移動以進行掃描,且於搬送方向上以既定間距將第1光學膜、第1黏著劑層、保護膜切斷(以下,適當地稱為「半切」),而保留最下部之第2脫模膜。”对比文件明确记载使用激光(雷射装置)进行切割,且通过激光移动一次完成扫描切割(半切),这属于单一切割系统的具体实施方式。因此,对比文件直接公开了使用激光切割偏光板通过单一切割系统执行,而特征L包括了单一切割系统,故该特征被直接公开。
技术特征M:其中,所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度<br>**《隐含公开》**对比文件在“透明膜”部分记载:“透明膜T之厚度可適當地確定,與上述聚酯膜之情形同樣,較好的是5~500μm,更好的是5~200μm,進而更好的是10~150μm。”对比文件明确给出了透明膜(包括环状烯烃系树脂膜)的优选厚度范围(10~150μm)。目标专利中基于环烯烃的薄膜厚度为10~80μm,完全落入该优选范围内。本领域技术人员在对比文件教导下,可以合理推断出基于环烯烃的薄膜可以采用该厚度范围,因此特征M被隐含公开。
技术特征N:其中,所述偏光板具有50微米至250微米的厚度<br>**未公开**对比文件仅提及各层(如聚酯膜、偏光元件、接着剂层等)的厚度,未给出偏光板总厚度范围。对比文件未公开偏光板整体厚度范围,本领域技术人员无法从对比文件中直接或间接得出该特征。

### 公开性判断代码

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